全球逾20座半導體新廠展開裝機操作

    根據(jù)港臺媒體報道，半導體市調機構StrategicMarketingAssociates(SMA)最新報告提出警告，2005年上半全球逾20座新建晶圓廠展開裝機操作，未來陸續(xù)經過試產、驗證、導入量產階段后，恐導致2006年全球半導體產能過剩危機，其中尤以DRAM產業(yè)最為嚴重。

　　SMA總裁GeorgeBurns指出，自2003年下半全球半導體景氣確定回暖后，半導體廠商陸續(xù)提高資本支出，展開新一波興建晶圓廠風潮，不僅帶動2004年全球半導體設備市場高度增長，以興建速度而言，目前這些新建晶圓廠均紛紛進入裝機階段，例如超微(AMD)德勒斯登12寸廠Fab36、中芯北京12寸廠Fab4、特許(Chartered)最新12寸廠Fab 7等。

　　Burns表示，由于這些新建晶圓廠陸續(xù)將在2005年下半到2006年上半進入量產階段，產能過剩危機浮現(xiàn)，恐怕會讓部份廠商難以支撐，尤其是以市況變化迅速的DRAM廠商，來得最為嚴重。

　　Burns指出，韓廠三星(Samsung)持續(xù)在景氣低迷之際，斥資投入12寸廠建設，以先進制程導入內存生產，包括DRAM與閃存(Flash)等，均占有極高的成本優(yōu)勢，三星若實施降價策略，其動見觀瞻均會影響全球市場甚鉅。

　　此外，亞太地區(qū)可說是DRAM產業(yè)大本營，也是晶圓代工產能重鎮(zhèn)，光是2005年亞太地區(qū)半導體廠商資本支出，便占全球一半，臺灣地區(qū)與韓國新一波DRAM產能即將陸續(xù)開出，盡管理論上廠商可延后投產進程，但實際上，搶得先機也是半導體產業(yè)成功之道，只要終端市場需求遲遲未現(xiàn)，產能過剩危機便無法解除。

    不過，臺灣地區(qū)多數(shù)DRAM晶圓廠對于這樣的說法提出質疑，認為就算2006年DRAM產業(yè)景氣無法像2004年那樣好，但也不至于太差，因為到2006年多數(shù)DRAM廠將開始采用90納米制程，但到目前為止，除三星在90納米制程良率比佳外，多數(shù)DRAM廠在90納米良率上仍處于摸索期，這將使得DRAM總產出量因轉換至90納米制程而減少許多。

　　此外，自2005年下半起陸續(xù)有8寸廠因產出成本效益不如12寸廠，被迫退出量產標準型DRAM，而到2006年更是8寸廠大撤退的時間點，如此一來這些8寸廠因無法量產512MbDDRII而需退出所造成的總產能喪失，將使得2006年DRAM產業(yè)應不會過于悲觀。

　　至于晶圓代工方面，盡管2005年上半景氣欠佳，除臺積電外，其他晶圓代工廠商全數(shù)虧損，然因看好2010年前全球晶圓代工產值增長率，可望高于整體半導體產值增長率，計劃投入晶圓代工市場的廠商家數(shù)有增無減。

　　不過，包括臺積電及聯(lián)電均對于2006年景氣持樂觀看法，強調應比2005年來得好，對于2006年景氣看法明顯不悲觀。此外，瑞薩科技社長兼CEO伊藤達12日則表示，目前半導體景氣尚處于調整階段，市況仍相當嚴峻，雖然夏季前可能會觸底反彈，然反彈速度緩慢。