三星看好NAND閃存市場 斥資35億興建新生產(chǎn)線

從國外媒體處獲悉：作為全球最大的內(nèi)存芯片生產(chǎn)商，韓國三星電子于當(dāng)?shù)貢r間本周五發(fā)表聲明稱，該公司計劃在2008年之前對其已有十年歷史的美國芯片工廠投資35億美元用于閃存芯片生產(chǎn)線的興建。 

據(jù)了解，三星去年已經(jīng)開始在該公司位于美國德克薩斯州的芯片工廠興建全新NAND閃存生產(chǎn)線，本周五的聲明公布了三星NAND生產(chǎn)線具體的投資數(shù)額。德克薩斯州芯片工廠是三星電子海外唯一一家半導(dǎo)體工廠，該廠目前只生產(chǎn)用于計算機(jī)的DRAM芯片。目前，NAND閃存芯片廣泛應(yīng)用于數(shù)字音樂播放器、手機(jī)以及數(shù)碼相機(jī)等消費(fèi)電子產(chǎn)品。 

三星在當(dāng)天發(fā)表的一份聲明中表示，全新NAND生產(chǎn)線將在今年下半年投產(chǎn)，到2008年每月的晶圓產(chǎn)能將達(dá)到六萬片。由于業(yè)內(nèi)普遍擔(dān)心DRAM芯片價格大幅下滑將影響生產(chǎn)商第二季度業(yè)績，包括三星電子和現(xiàn)代半導(dǎo)體在內(nèi)的內(nèi)存芯片廠商股價也因此受到一定程度影響。 

業(yè)內(nèi)分析人士預(yù)測，NAND閃存芯片將在今年下半年和明年對廠商業(yè)績產(chǎn)生積極推動作用，這主要是由于配備閃存的計算機(jī)產(chǎn)品和蘋果iPhone手機(jī)等全新的應(yīng)用需求促使NAND閃存市場價格不斷回暖反彈。