東芝推出采用56nm工藝的16Gb NAND閃存

 

　　東芝宣布即將推出和美國SanDisk公司共同開發(fā)的采用最先進５６ｎｍ＊1工藝的１６Gb（２gigabyte）、８Gb（１gigabyte）的ＮＡＮＤ閃存。１６Gb是單芯片的業(yè)內最大容量＊2。

　　東芝從本月開始量產目前市場上主流的８GbNAND閃存，同時也計劃從今年第二季度的早期開始量產１６GbNAND閃存。繼去年底開始出廠開發(fā)樣品后，今天開始將陸續(xù)出廠產品樣品。

　　本次新產品采用多值單元（MLC）技術和改進的編程效率，實現(xiàn)了高容量和高寫入性能。采用56nm工藝，實現(xiàn)了上一代產品（8Gb 70nm工藝）2倍的NAND閃存業(yè)內單芯片最大容量＊2的1６Gb產品。而且一次處理的數(shù)據(jù)（頁面）達到數(shù)倍增長，寫入速度也達到了以往MLC產品2倍＊3的１０MB/秒，同時實現(xiàn)了大容量化和高速化。

　　東芝公司今后將繼續(xù)微細加工、多值化的新技術開發(fā)，同時也將不斷增強設備、改善生產效率，確保滿足NAND閃存市場需求的供應能力和成本競爭力。