KLA-Tencor推出新一代電子束缺陷再檢查和分類系統(tǒng)

KLA-Tencor正式推出新一代晶片缺陷再檢查和分類系統(tǒng) eDR-5200。該系統(tǒng)綜合高分辨率圖像和高缺陷再檢查靈敏度，以及與 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)的獨(dú)特連接技術(shù)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更高的再檢查效能，更短的良率學(xué)習(xí)周期和更高的總體系統(tǒng)生產(chǎn)效率。KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)和 eDR-5200 電子再檢查系統(tǒng)的獨(dú)特連接，確保生產(chǎn) 45 納米及以下的芯片廠每小時能建立更多， 更高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖†，讓工程師得以采取快速、準(zhǔn)確的糾正措施，以確保器件良率。 
 
KLA-Tencor 電子束產(chǎn)品群副總裁 Zain Saidin 表示：“隨著設(shè)計準(zhǔn)則縮小到 45 納米及以下，缺陷檢查和良率工程師越來越關(guān)心其電子再檢查工具所建立的缺陷 Pareto 圖的品質(zhì)。我們最新一代的光學(xué)檢測系統(tǒng) 281x 和 Puma 9150 能夠?qū)ふ业叫∮?nbsp;50 納米的關(guān)鍵性缺陷，而以往的電子束再檢查系統(tǒng)很難對這些缺陷進(jìn)行再檢查。大量的“找不到”或“電子束不可見 (SNV)”缺陷充斥缺陷 Pareto 圖，進(jìn)而影響工程師做出提高良率和工藝監(jiān)控的正確決策。將 eDR-5200 納入我們的缺陷解決方案后，能在更短的時間內(nèi)大量減少 SNV 的數(shù)量，并使缺陷 Pareto 圖更準(zhǔn)確地反映晶片上關(guān)鍵缺陷 (DOI) 的種類和數(shù)量。” 

eDR-5200 采用的浸沒式設(shè)計（請參閱技術(shù)概要），突破了一直阻礙傳統(tǒng)電子束再檢查系統(tǒng)欲進(jìn)一步增加分辨率的障礙，進(jìn)而可對 50 納米以下的缺陷進(jìn)行成像和分類。借助行業(yè)領(lǐng)先的定位平臺精確度，以及在 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)上產(chǎn)生的patch圖像，eDR-5200可降低缺陷 Pareto 圖中的SNV比例達(dá)一個數(shù)量級以上。同時，其一系列全新的缺陷分類方法將進(jìn)一步幫助用戶快速建立有意義的，高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖。例如，智慧協(xié)助分類 (ePAC) 可讓用戶不必經(jīng)歷漫長而繁瑣的設(shè)置過程就從手動分類過渡到完全自動分類。 

KLA-Tencor 在 eDR-5200 電子束再檢查系統(tǒng)和其光學(xué)檢測系統(tǒng)之間建立起獨(dú)特連接，讓用戶能在 eDR-5200 上就可設(shè)置和優(yōu)化光學(xué)檢測系統(tǒng)的程式，而無需在系統(tǒng)間來回傳送晶片。其結(jié)果是檢測系統(tǒng)程式設(shè)置的時間可縮短一半，同時質(zhì)量得到顯著提高，使缺陷 Pareto 圖上能顯示更大比例的需關(guān)注缺陷，和更少的 SNV 缺陷。此外，當(dāng) eDR-5200 再檢查系統(tǒng)和 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)配合使用于工藝窗口鑒定 (PWQ) 時，獲得結(jié)果的時間可縮短 10 倍以上。eDR-5200 再檢查和分類系統(tǒng)和 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)的完美結(jié)合能創(chuàng)造出目前市面上生產(chǎn)效率最高的檢測-再檢查-分類解決方案。

eDR-5200 再檢查和分類系統(tǒng)現(xiàn)已在亞洲、歐洲和美國等地區(qū)的存儲和邏輯器件生產(chǎn)廠安裝和使用。許多廠家依靠該系統(tǒng)獨(dú)有的行業(yè)領(lǐng)先的高分辨率圖像和再檢查能力，以及與 KLA-Tencor 光學(xué)檢測系統(tǒng)的有效連接，已經(jīng)成功地在最短的時間內(nèi)建立起最高品質(zhì)的缺陷 Pareto 圖。