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          奇夢達推出節(jié)能型FB-DIMM

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          作者: 時間:2007-07-08 來源:EEPW 收藏
          公司近日宣布推出業(yè)界首款四列8GB DDR2全緩沖雙線內(nèi)存模組(),該模組技術是推動下一代多核服務器性能的重要技術,同時還可降低服務器的功耗。這些領先的模組進一步壯大了本已非常廣博的產(chǎn)品陣容,可更好地滿足服務器和高性能計算機工作站應用日益增長的要求。

          的新款模組的速率最快可達800 MHz。800 MHz模組將提高今年晚些時候面市的下一代服務器的性能。在800 MHz模組中,每條高速通道的帶寬為4.8 Gbit/s,與533 MHz模組相比增加50%,與667 MHz模組相比增加20%。

          新款模組的推出,還表明了奇夢達致力于提高服務器內(nèi)存能效的承諾。在服務器中,內(nèi)存是第二大耗能單元。在奇夢達實驗室進行的初步測試表明,與相同容量常規(guī)模組相比,功耗可降低45%。

          “隨著四列8GB FB-DIMM模組的推出,奇夢達擴大了其面向服務器和高端計算機市場的高密度內(nèi)存解決方案的陣容,”奇夢達負責計算類事業(yè)部的高級副總裁Michael Buckermann說道,“隨著對低功耗服務器應用的需求日益增加,對滿足這一需求的多核處理器所需的更高性能內(nèi)存的需求也在不斷增長,我們預計8GB FB-DIMM模組的市場需求將非常強勁。”

          奇夢達正在利用向下一代75nm制造工藝轉(zhuǎn)變這一契機,進一步提高其整個服務器內(nèi)存模組產(chǎn)品陣容的能效。公司現(xiàn)可提供工作電壓為1.5V的DDR2組件,這一電壓水平比現(xiàn)有標準產(chǎn)品低17%,但其性能卻絲毫不受損失。有了這些顆粒,從其新款FB-DIMM產(chǎn)品開始,奇夢達將可支持基于DDR2的低功耗服務器內(nèi)存解決方案。

          奇夢達四列結構的FBD是由奇夢達內(nèi)部設計和制造的高級內(nèi)存緩沖(AMB)芯片支持。AMB的作用相當于FB-DIMM的數(shù)據(jù)流量疏導器。四列FB-DIMM模組使得企業(yè)用戶能夠在保持或降低功率預算的同時調(diào)節(jié)總體內(nèi)存模塊密度。這不僅降低了功耗,而且還縮短了內(nèi)存通道的延遲時間。更低的工作電壓再加上四列FB-DIMM模組,使得新模組在降低功耗方面具有很大的潛力。

          奇夢達是全球唯一一家有能力生產(chǎn)DRAM和AMB芯片的內(nèi)存供應商,不僅能夠推動在標準封裝內(nèi)實現(xiàn)8GB內(nèi)存容量所需的創(chuàng)新技術,而且可以滿足行業(yè)標準所要求的散熱性能和電氣性能。

          奇夢達現(xiàn)已推出容量為1GB、2GB和4GB、雙列配置的FB-DIMM模組及2GB,4GB和8GB的四列配置。各種密度的FB-DIMM的數(shù)據(jù)速率都可達到800 Mbps,工作電壓為1.8伏(符合Jedec標準)或1.5伏(行業(yè)發(fā)展目標)。四列8GB模組的首批樣品已交付主要的合作伙伴進行驗證測試。

          更多關于奇夢達的FB-DIMM產(chǎn)品的信息,可在http://www.qimonda.com/computing-dram/ddr2/fully-buffered-dimms.html上找到。


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