韓確定“下下一代”半導(dǎo)體四大重點(diǎn)領(lǐng)域

    韓國下下一代半導(dǎo)體策略技術(shù)的四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域已確定為：系統(tǒng)設(shè)計(jì)、納米集成工程、下一代存儲器、系統(tǒng)統(tǒng)合。此次的推進(jìn)策略與以往不同，要采取“共同研發(fā)”和設(shè)備材料需求企業(yè)之間的協(xié)作體系。 

　　據(jù)韓國媒體報道，韓國產(chǎn)業(yè)資源部要以當(dāng)前正改編中的策略技術(shù)開發(fā)體系為基礎(chǔ)，以此確定從明年開始的下下一代半導(dǎo)體研發(fā)，并對此加強(qiáng)政策支持。 

　　韓國產(chǎn)資部未來生活產(chǎn)業(yè)本部長透露，通過四大領(lǐng)域的重點(diǎn)研發(fā)，大幅度增加根源、前沿的研發(fā)投資，從而確保系統(tǒng)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)以及工程技術(shù)的領(lǐng)先，并增強(qiáng)產(chǎn)、學(xué)、研以及供、需企業(yè)之間的協(xié)作。 

　　為此，產(chǎn)資部以共同研發(fā)項(xiàng)目的擴(kuò)大和設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的同步增長作為推進(jìn)策略。 

　　在四大重點(diǎn)研發(fā)領(lǐng)域中，系統(tǒng)設(shè)計(jì)的目標(biāo)是將當(dāng)前分別處于23位、13位(世界前100的基準(zhǔn))左右水平的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造技術(shù)提高到美國、日本、中國臺灣的水平。為了積極應(yīng)對半導(dǎo)體行業(yè)細(xì)小化、集成化的趨勢而需要進(jìn)一步強(qiáng)化的納米集成工程，其目標(biāo)不僅是確保新技術(shù)主導(dǎo)權(quán)，而且要提高設(shè)備、材料產(chǎn)業(yè)的競爭力。與此同時，下一代存儲器的核心是通過加強(qiáng)相關(guān)研發(fā)，使得當(dāng)前DRAM、NAND Flash的主導(dǎo)權(quán)擴(kuò)展到性質(zhì)上與此不同的PRAM、FeRAM、ReRAM等技術(shù)上，從而進(jìn)一步拉大與競爭國家之間的差距。 

　　除此以外，在系統(tǒng)領(lǐng)域上要把焦點(diǎn)放在半導(dǎo)體領(lǐng)域和其他產(chǎn)業(yè)之間的聯(lián)系上。其策略是從產(chǎn)品的策劃階段開始，通過與電子、通信、汽車等共同開發(fā)，占領(lǐng)新的半導(dǎo)體市場。 

　　產(chǎn)資部有關(guān)人員透露，通過加強(qiáng)中小設(shè)備、零部件企業(yè)和半導(dǎo)體大企業(yè)的協(xié)助，消除半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的不均衡發(fā)展，組成健全的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系，這也是政府的主要政策方向。當(dāng)前，設(shè)備、原料、零部件占據(jù)著半導(dǎo)體生產(chǎn)成本的65%以上，但國產(chǎn)化率較低，如設(shè)備的國產(chǎn)化率不到20%，零部件、原料的國產(chǎn)化率不到40%。