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Infineon為全緩沖DIMM提供首款測試芯片

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作者：eaw 時間：2005-06-01 來源：eaw

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英飛凌科技公司(Infineon)宣布，首款高級內(nèi)存緩沖(AMB)測試芯片已順利通過測試。該芯片面向下一代采用DDR2動態(tài)隨機(jī)存儲器的服務(wù)器模塊，運(yùn)行速率高達(dá)6.0 Gb/s，提供了相當(dāng)大的系統(tǒng)裕度，并確保了最低誤碼率。AMB是完全緩沖雙列直插式內(nèi)存模塊(FB-DIMM)的核心部件，設(shè)計樣品將于2004年第四季度推出，并定于2005年下半年進(jìn)入市場。www.infineon.com

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