飛兆半導體的高電壓 SuperFET MOSFET 產品榮獲最佳功率元器件獎

飛兆半導體器件獲《電子設計應用》嘉許，
能顯著減低 SMPS 和 PFC 應用的系統(tǒng)功耗，并同時提升效率和可靠性

《電子設計應用》雜志是中國領先的電子設計出版刊物之一，該雜志日前舉行了2004年度電源產品獎頒獎典禮，向飛兆半導體頒發(fā)了"最佳功率元器件大獎"。這個頒獎典禮于2005年5月25日在北京舉行，并與第二屆模塊電源與電源管理技術專題研討會同場進行。

所有參選產品都根據多項關鍵標準進行了嚴格的評審，包括市場地位和競爭力、測試和應用評估報告等。飛兆半導體的產品結果在其它領先供應商的多種同類產品中脫穎而出，獲得殊榮。

飛兆半導體獲獎的兩項高電壓MOSFET產品采用新型的SuperFET?技術，能大幅降低系統(tǒng)功率損耗，并且增加開關電源 (SMPS) 和功率因子校正 (PFC) 應用的效率和可靠性。飛兆半導體的專利SuperFET技術利用多重外延層來構成補償區(qū)域，以改善導通阻抗性能。FCP11N60和FCPF11N60 SuperFET MOSFET具有低FOM值 (FOM = RDS(on) x Qgd)，與擁有相同RDS(on)水平的產品相比，F(xiàn)CP11N60器件具有更佳的FOM。

FCP11N60和FCPF11N60都提供業(yè)界最佳的di/dt (最大值為1430 A/us)，這是由于它們具有寬體二極管，確保擁有更強大的堅固性、超低RDS(on) (典型值為0.32 ohm)，以及低輸出電容 (典型值為Coss=35pF)。

與TO-3P封裝的標準平面結構MOSFET提供的導通阻抗相同，飛兆半導體全新TO-220和 TO-220F 封裝的 MOSFET能提供更高的功率密度。FCP11N60和FCPF11N60提供優(yōu)化的柵極電荷水平 (典型值為Qg=40nC)，用于降低柵極驅動功率和開關功率損耗。

飛兆半導體技術及應用支持中心副總裁王瑞興稱："對于能夠獲得這項殊榮，我們深感自豪。這是對于公司的卓越技術和市場表現(xiàn)的認可，飛兆半導體可藉此向新老客戶清楚地顯示與飛兆半導體合作所帶來的優(yōu)勢。"

FCP11N60和FCPF11N60分別備有TO-220 和TO-220F封裝，這些無鉛產品能達到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B標準要求，并符合現(xiàn)已生效的歐盟標準。SuperFET MOSFET的推出并與飛兆半導體用于SMPS和DC/DC轉換應用的解決方案相輔相成，其中包括PFC/PWM控制器、橋式整流器和光耦合器。

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http://www.fairchildsemi.com/ds/FC/FCPF11N60.pdf。