英特爾嚇退英飛凌 加劇NOR閃存市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)
——
近幾個(gè)月來(lái),全球NOR型閃存市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)過(guò)度導(dǎo)致產(chǎn)品價(jià)格慘跌,除有部分廠商錯(cuò)誤估計(jì)市場(chǎng)供需情況的原因外,還有英特爾回歸低容量NOR型閃存市場(chǎng)帶來(lái)的沖擊作用,其他廠商不得不殺價(jià)應(yīng)對(duì),與英特爾硬拼,以避免市場(chǎng)占有率被搶,但這卻造成NOR型閃存價(jià)格幾近崩盤(pán)狀態(tài)。
Infineon德國(guó)總部發(fā)言人日前證實(shí),盡管公司擁有Twin Flash技術(shù),具備制造NOR型閃存的能力,而且已完成產(chǎn)品原型(prototype)設(shè)計(jì),但就現(xiàn)階段全球NOR型閃存市場(chǎng)的狀況來(lái)看,現(xiàn)在進(jìn)入這一市場(chǎng)并沒(méi)有任何好處,因此Infineon決定暫不進(jìn)入NOR型Flash市場(chǎng),未來(lái)將積極轉(zhuǎn)向NAND型閃存市場(chǎng)。
我國(guó)臺(tái)灣DRAM制造商們表示,由于NOR型閃存市場(chǎng)現(xiàn)在已慘不忍睹,供貨商們紛紛停止擴(kuò)充產(chǎn)能,甚至降低整體產(chǎn)出量,到目前為止,NOR型閃存相關(guān)IDM或IC設(shè)計(jì)廠商已經(jīng)傷痕累累,這促使Infineon對(duì)NOR型閃存市場(chǎng)態(tài)度轉(zhuǎn)趨保守。
DRAM制造商們指出,就整體閃存市場(chǎng)未來(lái)成長(zhǎng)性來(lái)看,NAND型產(chǎn)品確實(shí)比NOR型產(chǎn)品更有前景,尤其是在手機(jī)上,未來(lái)高容量的閃存需求將主要來(lái)自NAND型閃存,因此廠商與其花費(fèi)心力在已近末路的NOR型閃存上,還不如將所有資源投在NAND型閃存上,可能有更大的獲益。
此外,DRAM制造商們也認(rèn)為,Infineon暫緩?fù)度隢OR型閃存市場(chǎng),對(duì)該市場(chǎng)也有“冷卻”的正面效果。
評(píng)論