ST第二代MDmesh高壓功率MOSFET技術(shù)

MDmesh II 降低通態(tài)電阻高達40%，提高設(shè)計效率及系統(tǒng)可靠性，大幅度降低成本

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/6928.htm
中國，2005年6月9日 – 世界功率器件的領(lǐng)導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所：STM），日前推出了第一批采用該公司獨有的MDmeshTM高壓功率MOSFET第二代技術(shù)制造的半導(dǎo)體元器件。新產(chǎn)品特別適合開關(guān)電源（SMPS）、功率因數(shù)校正器（PFC）和電源適配器。與第一代Mdmesh產(chǎn)品相比，新一代產(chǎn)品的效率明顯提升，在新的電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計中，能夠大幅度降低成本，提高系統(tǒng)可靠性。
ST的MDmesh（多重漏極網(wǎng)格）工藝的出色性能源自一個創(chuàng)新的漏極結(jié)構(gòu)，漏極是由隔離物組成的陣列結(jié)構(gòu)，縱向的p-型漏極條作為漏極體的延伸，沿很薄的水平n-型源極條排列 。除極低的通態(tài)電阻外，這種漏極結(jié)構(gòu)還創(chuàng)造了優(yōu)異的dV/dt特性和抗雪崩特性。作為第二代MDmesh技術(shù)，MDmesh II進一步改進了p-型漏極陣列，通態(tài)電阻RDS(ON)比上一代產(chǎn)品降低多達40%，而且沒有犧牲對其溫度關(guān)系的嚴(yán)格控制。同時，通過對柵極指和覆蓋式水平源極條氧化層的優(yōu)化，確保內(nèi)部柵電阻和固有電容都得到精確的控制。
除通態(tài)功耗大幅度降低外，新器件的開關(guān)功耗也很低。因柵極內(nèi)部電阻得到控制，時間延遲縮短，從而使開關(guān)速度更快，達到新的高效開關(guān)電源的設(shè)計需求。此外，由于柵極固有電容被嚴(yán)格控制，交叉時間縮短和柵電荷減少得到保證，通過更加簡單和更加低廉的柵極驅(qū)動電路，可以大幅度提高開關(guān)電源的效率。例如，在一個基于L4981的300W功率因數(shù)校正器上進行測試時，新產(chǎn)品STP25NM60N在230Vac時的效率高達98%，輸出功率達到250W。新的MDmesh MOSFET系列產(chǎn)品可在高工作頻率下提高效率，而且溫度較低，所以，允許使用尺寸更小的磁器件和散熱器，從而達到大幅降低設(shè)備尺寸的目的。
第二代MDmesh技術(shù)的另一個優(yōu)點是，驅(qū)動器件的電壓VGS變得更低，而電流處理能力變得更高。VGS電壓范圍被修改，驅(qū)動功能得到優(yōu)化，噪聲抑制能力增強，閾壓范圍保持不變。而且，新一代MDmesh技術(shù)支持更嚴(yán)格的RDS (ON)通態(tài)電阻要求，反過來，新的需求允許使用尺寸更小的封裝。
首批上市的新產(chǎn)品系列包括分別采用TO-247、TO-220、TO-220FP和 D2PAK/I2PAK封裝的500V、140mΩ的STW25NM50N、STP25NM50N、STF25NM50N和 STB25NM50NT4/-1；分別采用DPAK, TO-220,TO-220FP和 D2PAK封裝的500V, 380mΩ的STD12NM50NT4、STP12NM50N、STF12NM50N、STB12NM50NT4；分別采用TO-247, TO-220,TO-220FP 和 D2PAK/I2PAK封裝的600V, 170mΩ的STW25NM60N, STP25NM60N, STF25NM60N, STB25NM60NT4/-1。這些元器件適用于 90W到1000W的各種電源應(yīng)用。