三星現(xiàn)代偏重閃存生產(chǎn)內(nèi)存迎來缺貨漲價期

    DRAM制造業(yè)巨頭調(diào)換產(chǎn)能搶攻NAND型閃存市場的效應(yīng)正在快速擴散，那就是內(nèi)存芯片正面臨缺貨危機。三星、Hynix以及我國臺灣的力晶紛紛實施或宣布了將產(chǎn)能轉(zhuǎn)調(diào)入閃存生產(chǎn)的消息后，內(nèi)存模塊制造商即將進入長達數(shù)個月的供貨“枯水期”。 

    內(nèi)存模塊制造業(yè)人士稱，原本DRAM芯片供貨量僅受三星轉(zhuǎn)換產(chǎn)能影響，還沒有明顯感受到貨源不足壓力，但從7月起，Hynix也將轉(zhuǎn)換產(chǎn)能生產(chǎn)閃存，在2大DRAM芯片制造商雙雙轉(zhuǎn)換產(chǎn)能的沖擊下，DRAM芯片供貨量大減。三星還決定從7月起，對下游DRAM模塊制造商全面采取強制配貨行動，保證DRAM芯片貨源均優(yōu)先供應(yīng)跨國的大型電腦制造商。 

    事實上，三星從2005年第一季度末逐月增產(chǎn)NAND型閃存后，6月起DRAM供貨量減少的不良效應(yīng)就已開始擴散，不過，由于6月僅有三星轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，因此6月DRAM芯片平均合約報價與之前持平或僅有微幅增長。 

    不過，從7月起Hynix也轉(zhuǎn)換產(chǎn)能增產(chǎn)閃存后，預(yù)計DRAM市場供貨量將持續(xù)降低，并使得DRAM顆粒合約價將很有可能在7月前半個月漲價約5%～10%。值得注意的是，8月起力晶增加對瑞薩（Renesas）AG-AND型閃存代工的轉(zhuǎn)產(chǎn)效應(yīng)也將起到火上澆油的效果，屆時可能造成DRAM市場供貨來源“三缺”效應(yīng)同時發(fā)生。 

    更重要的是，大型電腦制造商們對DRAM的需求從6月起就已逐步增加，由于7月IT市場將進入傳統(tǒng)上的旺季，加上DRAM制造商只優(yōu)先向大型電腦制造商提供DRAM芯片，因此DRAM模塊制造商們未來恐將面臨長達數(shù)個月的DRAM芯片供貨“枯水期”，目前各家DRAM模塊制造商們只能自行尋找DRAM貨源，預(yù)計我國臺灣的一些DRAM芯片制造廠可望因此得利。