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          IR推出用于DC-DC降壓轉換器的新型DirectFET MOSFET芯片組

          ——
          作者: 時間:2005-07-15 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            世界功率管理技術領袖國際整流器公司(International Rectifier,簡稱)近日推出新型的DirectFET MOSFET同步降壓轉換器芯片組。新品適用于下一代采用Intel和AMD處理器的高端臺式電腦和服務器,以及先進的電信和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)等高頻率、大電流的DC-DC轉換器應用。

            例如,電流為130A的五相轉換器如果采用最新的F6619 和F6633芯片組,可在一個緊湊的面積上實現(xiàn)85%的效率。

            IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出:“IRF6619 和IRF6633 芯片組能在處理器電源系統(tǒng)的每相位中取代四個標準的D-Pak MOSFET,可以減少一半的元件數(shù)量,并為每個相位減少一半以上的占板空間,有效壓縮工作站和服務器的體積?!?/P>

            IRF6619是理想的同步MOSFET,器件的典型導通電阻極低,在10VGS下為1.65mΩ,在4.5VGS下則為2.2mΩ,而逆向恢復電荷可以低至22nC。該器件采用MX中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度只有0.7mm。

            IRF6633的柵電荷極低,米勒電荷只有4nC,最適合作為控制用場效應管。與市場上其他20VN器件相比,其導通電阻和柵電荷減少了43%以上。該器件的混合導通電阻與柵電荷性能效益指數(shù)為38 mΩ-nC。它采用MP中罐DirectFET封裝,占板面積與SO-8封裝相同,高度同樣只有0.7mm。

            IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利,它匯集了標準塑料分立封裝所不具備的一系列設計優(yōu)點。金屬罐構造能發(fā)揮雙面冷卻功能,使得用以驅動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉換器的電流處理能力增加一倍。

            該芯片組的基本規(guī)格如下:

           

          產(chǎn)品編號

          封裝

          功能

          BVDSS (V)

          10V下最大RDS(on) (mOhm)

          4.5V下最大RDS(on) (mOhm)

          VGS

          (V)

          Tc=25



          關鍵詞: IR

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