場效應管中英文對照表
——
加入技術交流群
1．"型號"欄
表中所列各種場效應晶體管型號按英文字母和阿拉伯數字順序排列。同一類型的場效應晶體型號編為一組，處于同一格子內，不用細線分開。
2．"廠家"欄
為了節(jié)省篇幅，僅列入主要廠家，且廠家名稱采用縮寫的形式表示。）
所到廠家的英文縮寫與中文全稱對照如下：
ADV 美國先進半導體公司
AEG 美國AEG公司
AEI 英國聯合電子工業(yè)公司
AEL 英、德半導體器件股份公司
ALE 美國ALEGROMICRO 公司
ALP 美國ALPHA INDNSTRLES 公司
AME 挪威微電子技術公司
AMP 美國安派克斯電子公司
AMS 美國微系統公司
APT 美國先進功率技術公司
ATE 意大利米蘭ATES公司
ATT 美國電話電報公司
AVA 美、德先進技術公司
BEN 美國本迪克斯有限公司
BHA 印度BHARAT電子有限公司
CAL 美國CALOGIC公司
CDI 印度大陸器件公司
CEN 美國中央半導體公司
CLV 美國CLEVITE晶體管公司
COL 美國COLLMER公司
CRI 美國克里姆森半導體公司
CTR 美國通信晶體管公司
CSA 美國CSA工業(yè)公司
DIC 美國狄克遜電子公司
DIO 美國二極管公司
DIR 美國DIRECTED ENERGR公司
LUC 英、德LUCCAS電氣股份公司
MAC 美國M/A康姆半導體產品公司
MAR 英國馬可尼電子器件公司
MAL 美國MALLORY國際公司
MAT 日本松下公司
MCR 美國MCRWVE TECH公司
MIC 中國香港微電子股份公司
MIS 德、意MISTRAL公司
MIT 日本三菱公司
MOT 美國莫托羅拉半導體公司
MUL 英國馬德拉有限公司
NAS 美、德北美半導體電子公司
NEW 英國新市場晶體管有限公司
NIP 日本日電公司
NJR 日本新日本無線電股份有公司
NSC 美國國家半導體公司
NUC 美國核電子產品公司
OKI 日本沖電氣工業(yè)公司
OMN 美國OMNIREL公司
OPT 美國OPTEK公司
ORG 日本歐里井電氣公司
PHI 荷蘭飛利浦公司
POL 美國PORYFET公司
POW 美國何雷克斯公司
PIS 美國普利西產品公司
PTC 美國功率晶體管公司
RAY 美、德雷聲半導體公司
REC 美國無線電公司
RET 美國雷蒂肯公司
RFG 美國射頻增益公司
RTC 法、德RTC 無線電技術公司
SAK 日本三肯公司
SAM 韓國三星公司
SAN 日本三舍公司
SEL 英國塞米特朗公司 DIT 德國DITRATHERM公司
ETC 美國電子晶體管公司
FCH 美國范恰得公司
FER 英、德費蘭蒂有限公司
FJD 日本富士電機公司
FRE 美國FEDERICK公司
FUI 日本富士通公司
FUM 美國富士通微電子公司
GEC 美國詹特朗公司
GEN 美國通用電氣公司
GEU 加拿大GENNUM公司
GPD 美國鍺功率器件公司
HAR 美國哈里斯半導體公司
HFO 德國VHB聯合企業(yè)
HIT 日本日立公司
HSC 美國HELLOS半導體公司
IDI 美國國際器件公司
INJ 日本國際器件公司
INR 美、德國際整流器件公司
INT 美國INTER FET 公司
IPR 羅、德 I P R S BANEASA公司
ISI 英國英特錫爾公司
ITT 德國楞茨標準電氣公司
IXY 美國電報公司半導體體部
KOR 韓國電子公司
KYO 日本東光股份公司
LTT 法國電話公司
SEM 美國半導體公司
SES 法國巴黎斯公司
SGS 法、意電子元件股份公司
SHI 日本芝蒲電氣公司
SIE 德國西門子AG公司
SIG 美國西格尼蒂克斯公司
SIL 美、德硅技術公司
SML 美、德塞邁拉布公司
SOL 美、德固體電子公司
SON 日本縈尼公司
SPE 美國空間功率電子學公司
SPR 美國史普拉格公司
SSI 美國固體工業(yè)公司
STC 美國硅晶體管公司
STI 美國半導體技術公司
SUP 美國超技術公司
TDY 美、德TELEDYNE晶體管電子公司
TEL 德國德律風根電子公司
TES 捷克TESLA公司
THO 法國湯姆遜公司
TIX 美國德州儀器公司
TOG 日本東北金屬工業(yè)公司
TOS 日本東芝公司
TOY 日本羅姆公司
TRA 美國晶體管有限公司
TRW 英、德TRN半導體公司
UCA 英、德聯合碳化物公司電子分部
UNI 美國尤尼特羅德公司
UNR 波蘭外資企業(yè)公司
WAB 美、德WALBERN器件公司
WES 英國韋斯特科德半導體公司
VAL 德國凡爾伏公司
YAU 日本GENERAL股份公司
ZET 英國XETEX公司
3．"材料"欄
本欄目注明各場效應晶體管的材料和極性，沒有注明材料的均為SI材料，特殊類型的場效應晶體管也在這一欄中說明。
其英文與中文對照如下：
N-FET 硅N溝道場效應晶體管
P-FET 硅P溝道場效應晶體管
GE-N-FET 鍺N溝道場效應晶體管
GE-P-FET 鍺P溝道場效應晶體管
GaAS-FET 砷化鎵結型N溝道場效應晶體管
SB肖特基勢壘柵場效應晶體管
MES 金屬半導體場效應晶體管（一般為N溝道，若P溝道則在備注欄中注明）
HEMT 高電子遷移率晶體管
SENSE FET 電流敏感動率MOS場效應管
SIT 靜電感應晶體管
IGBT 絕緣柵比極晶體管
ALGaAS 鋁家砷
4．"外形"欄
根據本欄中所給出的外形圖序號，可在書末的"外形與管腳排列圖"中查到該型號場效應晶體管的外形與管腳排列方式，但不考慮管子尺寸大小。注明"P-DIT"的為塑料封裝雙列直插式外形，"CER-DIP"的為陶瓷封裝雙列直插式外形，"CHIP"的為小型片狀，"SMD"或"SO"的為表面封裝，"SP"的為特殊外形，"LLCC"為無引線陶瓷片載體，"WAFER"的為裸芯片。
5．"用途與特性"欄
本欄中介紹了各種場效應晶體管的主要用途及技術特性參數。對于MOSFET增加了MOS -DPI表示增強型金屬氧化物場效應晶體管或者MOS-ENH表示增強型金屬氧化物場效應晶體管，沒有注明的即結型場效應晶體管
其余的英文縮寫與中文全稱對照如下：
A 寬頻帶放大
AM 調幅
CC 恒流
CHOP 斬波、限幅
C-MIC 電容話筒專用
D 變頻換流
DC 直流
DIFF 差分放大
DUAL 配對管
DUAL-GATE 雙柵四極
FM 調頻
GEP 互補類型
HA 行輸出級
HF 高頻放大（射頻放大）
HG 高跨導
HI-IMP 高輸入阻抗
HI-REL 高可靠性
LMP-C 阻抗變換
L 功率放大
MAP 匹配對管
MIN 微型
MIX或M 混頻
MW 微波
NF 音頻（低頻） O 振蕩
S 開關
SW-REG 開關電源
SYM 對稱類
TEMP 溫度傳感
TR 激勵、驅動
TUN 調諧
TV 電視
TC 小型器件標志
UHF 超高頻
UNI 一般用途
V 前置/輸入級
VA 場輸出級
VHF 甚高頻
VID 視頻
VR 可變電阻
ZF 中放
V-FET V型槽MOSFET
MOS-INM MOSFET獨立組件
MOS-ARR MOSFET陳列組件
MOS-HBM MOSFET半橋組件
MOS-FBM 全橋組件
MOS-TPBM MOSFET三相橋組件
技術特性參數列出極限參和特征參數，其中電壓值：結型場效應晶體管為柵極間極電壓Vgds或Vgdo,MOS場效應晶體管（含MES、HEMT）一般為漏極-源極間極限電壓Vdss,IGBT晶體管為集電極發(fā)射極間極限電壓（基極和發(fā)射極短路）V(br)ces ;電流值：耗盡型（含結型）為最大漏極電流Idss,增強型為漏極極限電流Id，IGBT晶體管為集電極最大直流電流Ic；功率值：一般為漏極耗散功率Pd，高頻功率管有的列出漏極最大輸出功率Po，IGBT晶體管為集電極耗散功率Pc，單位為W或DBM；場效應管高頻應用的頻率值：一般為特征頻率Ft,有的為最高振蕩頻率FO；開關應用及功率MOS場效應管電阻值為漏極-源極間的導通電阻Rds，記為Ron，單位Ω；開關時間："/"(斜線)前為導通時間Ton , "/"后為關斷時間Toff,部分開關時間為上升時間Tr，和下降時間Tf，IGBT晶體管"/"斜錢前為延遲時間與上升時間之和td+tr, "/"后為下降時間TR；低噪聲的噪聲特性參數用噪聲系數NF（DB）或輸入換算噪聲電壓En（VN）表示；對于對管列有表示對稱性參數的柵源短路時的漏極電流之比⊿或柵源電壓差⊿VGS或柵極電流差⊿JG；跨導值：表示放大能力的參數，多為最大跨導GM，單位MS（毫西門子）；柵泄漏電流值：表示輸入阻抗特怕的能數，記為IGSS，單位NA或PA；夾斷電壓：表示關斷行斷特性的參數，記為VP,，單位V。
6，" 國內外相似型號"欄
本欄列出特性相似，可供代換的世界各國場效應晶體管型號，含國產場效應晶體管。這些型號的場效應晶體管一般都可以代換相應第一欄（"型號"欄）的場效應晶體管。這些管子多數可直接代換，但有個別型號的場效應晶體管因外形或管腳排列不同，不能直接代換使用，須加以注意。不過，這些場效應晶體管的主要技術能數與被代換場效應晶體管都比較接近。
這一欄里還對一些特殊的特性、參數以備注的形式進行說明。其中KOMPL（有時排印為KPL.）后的場效應晶體管為第一欄晶體管的互補管。注明INTEGR.D.的表示管內含有復合二極管。對組件注有XN中N 為組件中的器件數目。
西門子plc相關文章:西門子plc視頻教程
晶體管相關文章:晶體管工作原理
晶體管相關文章:晶體管原理
評論