Aviza和SEZ就晶圓污染控制的技術展開合作

　　美國Aviza科技公司和澳大利亞SEZ集團日前就在利用ALD（Atomic Layer Deposition，原子層沉積）技術形成高介電常數(shù)（high-k）膜時，對附著在晶圓頂端或背面而造成元件污染的薄膜進行清除的技術達成了合作協(xié)議（發(fā)布資料1）。 

　　避免high-k材料造成污染的風險 

　　ALD技術可用于形成high-k膜，目前業(yè)界正在探討將其導入45nm工藝（hp65）以后的晶體管中。與真空濺鍍法相比，能夠形成均質(zhì)薄膜且覆蓋率高；另一方面，晶圓的頂端和背面則容易堆積薄膜?？衫肁LD技術形成的high-k膜材料包括HfO2、HfSixO和HfSiON等金屬氧化物，這些附著在晶圓頂端和背面的薄膜往往會產(chǎn)生污點，或者通過工藝設備產(chǎn)生污染。因此，必須在保護晶圓表面即將配備元件的部位的同時，利用藥劑通過蝕刻法清除這些多余的薄膜。但是，在這種過程中則面臨著因過度蝕刻而使晶圓的平坦性和均質(zhì)性遭到破壞的危險。 

　　此次展開合作的雙方——ALD設備廠商Aviza科技公司和單枚濕式處理技術開發(fā)商SEZ集團，將利用后者擁有的“旋涂工藝技術”，聯(lián)合開發(fā)對晶圓損傷較小的ALD膜清除技術。旋涂工藝技術由于能夠在帶圖案的晶圓正面朝下的狀態(tài)下進行處理，因此通過控制藥劑濺到晶圓正面，就能減輕對晶圓造成的損傷。 

　　還將著手解決采用金屬柵時對晶圓造成的損傷 

　　另外，SEZ集團同時還與從事工業(yè)及醫(yī)療氣體與藥品生產(chǎn)的法國Air Liquide公司達成了技術合作協(xié)議（發(fā)布資料2）。根據(jù)協(xié)議，雙方將聯(lián)合開發(fā)在形成預計將在45nm工藝（hp65）以后的工藝技術中與high-k膜同時導入的金屬柵時，用于清除附著在晶圓頂端和背面的薄膜的清除技術。作為金屬柵候選材料之一的Ru（釕）存在著化學活性低，難以利用藥劑進行清除的問題，雙方將共同致力于解決這一課題。