日本德州儀器耐壓30V的新模擬工藝技術將投入量產
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日本德州儀器(日本TI)日前就模擬IC量產中采用的新工藝技術“LBC7”召開了一場記者說明會。LBC7是一種能夠集成耐壓30V的LDMOS(laterally diffused MOS)的雙極CMOS技術,相當于現(xiàn)有雙極CMOS技術“LBC6”(可集成耐壓18V的LDMOS)的后續(xù)技術。今后,美國德州儀器公司(TI)將運用LBC7,在2005年下半年至2006年陸續(xù)投產最大耐壓達數(shù)10V的電源IC、硬盤等馬達驅動IC與伺服驅動IC,以及車用半導體產品等。LBC7的生產線位于日本茨城縣美浦工廠。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/7573.htm與LBC6相比,LBC7對特性及制造技術等都進行了改進。首先,將LDMOS的導通電阻減小了15~20%。比如,Vdss為30V時導通電阻約為0.1mΩ
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