45nm機遇、挑戰(zhàn)和新的協(xié)作模型
Altera計劃2008年推出45nm產(chǎn)品。45nm工藝可以為客戶帶來價值,但是提高了廠商進入的門檻,使45nm是重量級廠商才能玩得起的游戲。45nm使FPGA有更多的機會進入ASIC領域,因ASIC的開發(fā)風險更高。45nm開發(fā)的三要素是:選擇正確的合作伙伴;投片的第一個硅片就可以交付給用戶;IC設計和生產(chǎn)緊密合作。
45nm芯片性能更高
從技術演化圖的發(fā)展可知,十年來,半導體業(yè)每兩年推出一個新的工藝節(jié)點,這種趨勢還將繼續(xù)保持著,并向35nm、22nm節(jié)點推進。其背后的驅(qū)動力來自于成本降低和硅片尺寸的減少。例如,密度比上一節(jié)點提高近2倍,容量提升等效于每年晶體管成本降低25%~30%;與此同時,工藝尺寸的降低也可以降低功耗,提高速度。
然而,與以往不同的是,客戶需求的優(yōu)先級發(fā)生改變。在90年代末到2000年初,客戶最關心性能,其次是功耗、成本。這兩年,用戶最關心成本,之后是功耗、性能。45nm應變硅工程可提高三級管的性能達40%以上。
設計門檻提高
45nm提高了進入門檻,首先是由高昂的開發(fā)成本帶來的。芯片的研發(fā)成本從一代到下一代至少增加50%,同時掩膜成本增加。
其次,工藝和設計之間的關系越來越緊密,因此諸如光刻、器件建模、可制造設計、可靠性等工藝生產(chǎn)型問題,不得不在IC設計過程中被考慮到。
再有,45nm研發(fā)的技術挑戰(zhàn)大??刂迫龢O管漏電流很重要。迄今電壓能做到1V左右,由于電壓不可能再往下降,因此降低功耗不能靠降低電壓來實現(xiàn)了。器件布局比原來更受限制。由于采用了應變硅工程,改善了三級管之間的距離。三極管也不像過去隨溫度變化的現(xiàn)象那么明顯,因此可把過去高性能三極管變成功耗較低的三極管。
制造門檻提高
投資一條45nm生產(chǎn)線成本30億美元左右,每個新工藝開發(fā)成本接近10億美元。工藝開發(fā)過程中我們遇到了兩個問題,光的波長限制和原子尺寸的限制。我們采用12英寸晶圓和193nm浸入式光刻機,幾乎達到了原子尺寸極限。門極氧化物厚度接近3~4個原子。所以原子漂移和數(shù)量多少會極大地影響三極管的性能。
三項措施
Altera主要有三個戰(zhàn)略:1,選擇正確的合作廠商,Altera是fabless(無芯片生產(chǎn)線)廠商,因此選擇TSMC(臺積電)作為芯片代工廠。2,采用“硅片率先投產(chǎn)”設計方法,即投片的第一個硅片就可以交付給用戶生產(chǎn)。3,進行協(xié)作設計和工藝開發(fā),Altera與TSMC的協(xié)作關系更像是一家公司的兩個部門,兩家公司共同成立了12個聯(lián)合開發(fā)組,以共同應對45nm的挑戰(zhàn)。
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