我國半導(dǎo)體技術(shù)在照明革命中搶占制高點

　　半導(dǎo)體光源具有體積小、壽命長、節(jié)能、環(huán)保和安全等特點，用它代替白熾燈、熒光燈是人們夢寐以求的目標。半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)屬于光電子產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。隨著第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵的突破和藍、綠、白光發(fā)光二極管的問世，半導(dǎo)體技術(shù)在引發(fā)微電子革命之后，又在孕育一場新的產(chǎn)業(yè)革命——照明革命。美國、日本、韓國等國家和地區(qū)，近年來相繼推出半導(dǎo)體照明計劃，投入巨資進行研發(fā)。

　　我國“半導(dǎo)體照明工程”重大項目在探索性、前沿性材料生長和器件部分關(guān)鍵技術(shù)取得突破，部分核心技術(shù)突破的苗頭已經(jīng)顯現(xiàn)。

　　目前，國內(nèi)已首次成功生長出直徑3英寸的SiC單晶，外延片上進行電致發(fā)光試驗已得到藍光輸出;以企業(yè)為主體的100流明/瓦LED制造技術(shù)開發(fā)進展較快，特別是在圖形襯底制備及外延生長、垂直結(jié)構(gòu)LED芯片制備(襯底剝離和芯片黏接)技術(shù)、通過粗化提高光萃取效率技術(shù)等方面取得較好進展，在國際上首次推出功率型Si襯底LED芯片產(chǎn)品，已超過課題階段任務(wù)目標;半導(dǎo)體照明公共研發(fā)平臺取得階段性進展，批量生產(chǎn)的白光LED發(fā)光效率最高為68lm/W(@350mA、3.21V)，處于國內(nèi)高端水平，達到韓國、臺灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)化先進水平，提高了企業(yè)產(chǎn)品的市場競爭力;重大應(yīng)用和規(guī)?；到y(tǒng)集成技術(shù)研究進展順利，42英寸采用LED背光的液晶電視樣機，已經(jīng)展出，奧運兩大場館之一的國家游泳中心(水立方)5萬平方米的LED景觀照明工程已完成3輪現(xiàn)場試驗;目前已制定行業(yè)標準3項，正在研究制定6項國家標準和10余項行業(yè)標準。