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          基于TOP227Y芯片的新型開關(guān)電源的設(shè)計(jì)

          作者:劉海峰 時(shí)間:2008-01-24 來源:21IC中國(guó)電子網(wǎng) 收藏

          0 引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/77993.htm

            TOPSwitch單片芯片是美國(guó)PI公司于上世紀(jì)90年代中期推出的新型高頻芯片,它是三端離線式PWM開關(guān)(Three Terminal 0ffLine PWM Switch)的縮寫,被譽(yù)為“頂級(jí)”。其特點(diǎn)是將高頻開關(guān)電源中的PWM控制器和M0SFET功率開關(guān)管集成在同一芯片上,是一種二合—器件。其第一代產(chǎn)品是1994年推出的TOPl00/200系列;第二代產(chǎn)品是1997年推出的TOPSwitch—II系列。這些產(chǎn)品一經(jīng)問世,便顯示出了強(qiáng)大的生命力,被廣泛應(yīng)用于儀表、顯示器、開關(guān)電源、VCD/DVD、手機(jī)充電器等各種領(lǐng)域,形成了一種高效、低成本、新型的開關(guān)電源模式。同時(shí)因?yàn)槠浜?jiǎn)易的設(shè)計(jì)方法,使得TOOPSwitch芯片在應(yīng)用中更顯得得心應(yīng)手。應(yīng)用該芯片設(shè)計(jì)的開關(guān)電源,具有效率高、體積小以及外圍電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。可以預(yù)見,應(yīng)用TOPSwitch系列芯片所設(shè)計(jì)的單片開關(guān)電源必將在更廣泛的領(lǐng)域得到應(yīng)用。

          1 芯片性能特點(diǎn)及其內(nèi)部框圖

          1.1 芯片性能特點(diǎn)

            屬于TOP系列的第二代產(chǎn)品,其功率開關(guān)管耐壓值高達(dá)700V,具有以下顯著特點(diǎn)。

            1)將脈寬調(diào)制控制系統(tǒng)的全部功能集成到三端芯片中,內(nèi)含脈寬調(diào)制器、功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管、自動(dòng)偏置電路、保護(hù)電路、高壓?jiǎn)?dòng)電路和環(huán)路補(bǔ)償電路,通過高頻變壓器使輸出端與電網(wǎng)完全隔離,真正實(shí)現(xiàn)了無工頻變壓器、隔離、反激式開關(guān)電源的單片集成化。

            2)屬于漏極開路輸出并利用電源來線性調(diào)節(jié)占空比實(shí)現(xiàn)AC/DC變換,電流控制型開關(guān)電源。

            3)輸入交流電壓和頻率的范圍很寬。

            4)只有3個(gè)引出端。能以最簡(jiǎn)單方式構(gòu)成無工頻變壓器的反激式開關(guān)電源,其控制端屬于多功能引出端,可完成多種控制、偏置及保護(hù)功能,具有連續(xù)和不連續(xù)兩種工作模式,反饋電路有4種基本類型,能構(gòu)成各種普通型和精密型開關(guān)電源。

            5)開關(guān)頻率的典型值為100kHz,允許范圍是90~110kHz,占空比調(diào)節(jié)范圍是1.7%~67%。

            6)外圍電路簡(jiǎn)單,僅須接整流濾波器、高頻變壓器、漏極嵌位保護(hù)電路、反饋電路和輸出電路。

            7)因芯片本身功耗很低,電源效率高,可達(dá)80%左右,最高可達(dá)90%。

            8)若將它配以低壓差線性集成穩(wěn)壓器,則可構(gòu)成一種新型復(fù)合式開關(guān)電源,既保留了開關(guān)電源體積小、效率高的優(yōu)點(diǎn),又具有線性穩(wěn)壓電源穩(wěn)定性好、紋波電壓低等優(yōu)良特性。

            9)采用這種芯片能降低開關(guān)電源所產(chǎn)生的電磁干擾。

            10)其工作溫度范圍是0~70℃,芯片最高結(jié)溫Tom=135℃。

          1.2 TOP227Y內(nèi)部框圖

            TOP227Y的內(nèi)部框圖如圖1所示,主要包括控制電壓源、帶隙參考基準(zhǔn)電壓源、振蕩器、并聯(lián)調(diào)整器/誤差放大器、門驅(qū)動(dòng)級(jí)和輸出級(jí)、脈寬凋制器、過流保護(hù)電路、關(guān)斷/自動(dòng)重啟動(dòng)電路、上電復(fù)位電路、過熱保護(hù)電路等。

            TOP227Y的基本工作原理是利用反饋電路的Ic來調(diào)節(jié)占空比,D,從而達(dá)到穩(wěn)壓的目的。例如,當(dāng)輸出電壓Vo↓時(shí),經(jīng)過光耦反饋電路使得Ic→D→Vo↑,最終使Vo保持不變,具體工作原理請(qǐng)參閱參考文獻(xiàn)。

          2 設(shè)計(jì)實(shí)例

            根據(jù)技術(shù)要求,設(shè)計(jì)了一個(gè)輸入為AC 220 V,輸出為DC 5 V,20A的大功率開關(guān)電源。該開關(guān)電源的基本電路結(jié)構(gòu)框圖如圖2所示。

            由于TOPSwitch集成度高,設(shè)計(jì)工作主要是外圍電路的設(shè)計(jì)。外圍電路由輸人整流濾波電路、箝位保護(hù)電路、變壓器、輸出整流濾波電路及反饋電路5部分組成。電路原理圖如圖3所示

          2.1 輸入整流濾波電路設(shè)計(jì)

            整流濾波電路包括輸入交流濾波、整流和電容穩(wěn)壓3部分。交流濾波采用II型濾波電路,具體參數(shù)如下:去除共模干擾的Co、C1、C1為10nF;去除差模干擾的G2、G3,為1μF;10mH,采取雙線并繞。整流電路選擇不可控的整流橋。在當(dāng)前供電條件下,電容G4的電容值可根據(jù)輸出功率,每W對(duì)應(yīng)l μF。假設(shè)整流橋中二極管導(dǎo)通時(shí)間為tc=3ms,可得電容的最小耐壓值(最小直流輸入電壓)為


            式中:VACmin最小交流電網(wǎng)電壓;

            Po為輸出總功率;

            η為系統(tǒng)的效率,可選擇80%;

            f為交流電網(wǎng)頻率。

          2.2 箝位保護(hù)電路設(shè)計(jì)

            每個(gè)開關(guān)周期內(nèi),TOPSwitch的關(guān)斷將導(dǎo)致變壓器漏感產(chǎn)生尖峰電壓。VR1和VD1構(gòu)成的箝位電路防止了此電壓對(duì)TOPSwitch的損壞,VR1和Vo1的選擇由反射電壓VOR決定。VOR一般選擇為135 V,VR1嵌位電壓VCLD可由經(jīng)驗(yàn)公式VCLO=1.5VOR得出,VD1的耐壓值應(yīng)大于最大直流輸入電壓Vmas并選擇快恢復(fù)二極管。

          2.3 變壓器設(shè)計(jì)

          1)磁芯類型

            為滿足TOP227Y芯片100 kHz的工作頻率,宜選用錳鋅鐵氧體磁芯,本設(shè)計(jì)選擇EE一42型鐵氧體磁芯。

          2)最大占空比Dmax


            式中:VOR為次級(jí)反射到初級(jí)的反射電壓,可選135 V:

            VDS為TOP227Y的通態(tài)電壓,一般可選10Y。

          3)變壓器初級(jí)自感Lp

            式中:fs為TOP227Y的開關(guān)頻率,選擇100 kHz

          4)導(dǎo)線線徑

            在100kHz開關(guān)頻率下,銅芯導(dǎo)線的穿透深度是O.20~O.22mm,圓形銅芯導(dǎo)線的直徑則是兩倍的穿透深度O.40~0 44mm,再增加聚酯絕緣外層厚度O.06mm,則導(dǎo)線測(cè)量絕緣外徑為O.46~O.50mm,這里我們選用導(dǎo)線線徑為O.5mm。

          5)每匝電壓值

            工作在反激狀態(tài)下,繞組輸出電壓與每匝電壓值成正比,確定各繞組匝數(shù)N前須確定每匝電壓值。

          6)變壓器初、次級(jí)匝數(shù)

            變壓器匝數(shù)可以從選擇次級(jí)繞組匝數(shù)開始。對(duì)于輸入電壓為交流220V的電路,次級(jí)選擇O.6T/V即可滿足要求。根據(jù)變比再確定初級(jí)繞組的匝數(shù)。

          2.4 輸出整流濾波電路設(shè)計(jì)

            輸出整流濾波電路由整流二極管和濾波電容構(gòu)成。輸出整流二極管的開關(guān)損耗占系統(tǒng)損耗的1/6~l/5,是影響開關(guān)電源效率的主要因素,它包括虻紀(jì)ㄋ鷙暮頭聰蚧指此鷙?。由又B?SPAN class=GramE>特基二極管導(dǎo)通時(shí)正向壓降較低,因此,其正向?qū)〒p耗低。此外,肖特基二極管反向恢復(fù)時(shí)間短,在降低反向恢復(fù)損耗以及消除輸出電壓中的紋波方面有明顯的優(yōu)勢(shì),故選用肖特基二極管作為整流二極管。參照最大反向峰值電壓選取肖特基二極管。次級(jí)繞組的最大反向峰值電壓為


            式中:VSM為次級(jí)繞組輸出的最大反向峰值電壓;

            VS為次級(jí)繞組輸出電壓;

            Np為初級(jí)繞組匝數(shù);

            Ns為次級(jí)繞組匝數(shù);

            VAcmax為變壓器初級(jí)輸入電壓最大值。

          2.5 反饋電路設(shè)計(jì)

            反饋電路依據(jù)輸出電壓精度確定,本電源使用線性光耦+TL43l方案,可以把輸出電壓精度控制在±1%。電壓反饋信號(hào)經(jīng)分壓網(wǎng)絡(luò)引入TL431的Ret端,轉(zhuǎn)化為電流反饋信號(hào),經(jīng)過光耦隔離后輸入TOP227Y的控制端。光耦工作在線性狀態(tài),起隔離作用。如果所選光耦的電流放大率上限超過200%,容易造成TOP227Y過壓保護(hù)動(dòng)作,相反,若電流放大率下限小于40%,占空比,D將不能隨反饋電流的增大而減小,從而導(dǎo)致過流。因此,應(yīng)選擇電流放大率范圍接近100%的光耦。本療案選擇Siemens的CNY17—2(電流放大率為63%~125%)。

          3 電源性能測(cè)試及結(jié)果分析

            根據(jù)以上設(shè)計(jì),對(duì)采用TOP227Y的輸出電壓為5 V,電流為20 A的開關(guān)電源的性能進(jìn)行了測(cè)試。實(shí)測(cè)結(jié)果表明,該開關(guān)電源工作在滿載狀態(tài)時(shí),最大占空比為0.42,電源的效率為84%,紋波電壓控制、電壓調(diào)節(jié)精度及電源工作效率都超過了以往采用控制電路與功率開關(guān)管相分立的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)形式的開關(guān)電源。

          4 結(jié)語

            由于TOP227Y芯片內(nèi)部集成有PWM控制器、功率開關(guān)MOSFET以及多種保護(hù)電路,所以,采用該芯片設(shè)計(jì)出的開關(guān)電源具有體積小、重量輕、成本低、外圍電路簡(jiǎn)單、效率及可靠性高等特點(diǎn),因而在電子設(shè)備中具有廣泛的應(yīng)用前景。本文所設(shè)計(jì)的開關(guān)電源已應(yīng)用于某電路中,通過運(yùn)行觀察,該開關(guān)電源的性能良好,取得了很好的應(yīng)用效果。

           



          關(guān)鍵詞: TOP227Y 開關(guān)電源

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