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          基于L6561的電流準(zhǔn)連續(xù)模式APFC電源設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2008-02-01 來源: 收藏

          0. 引言

                   近20年以來,國(guó)內(nèi)高頻開關(guān)電源在個(gè)人計(jì)算機(jī)、電視機(jī)等設(shè)備上得到了廣泛應(yīng)用。由于開關(guān)電源的重量、體積及能耗等方面都比線性電源顯著減少,而且對(duì)整機(jī)多項(xiàng)指標(biāo)有良好影響,因此它的應(yīng)用得到了推廣。隨著對(duì)大量使用開關(guān)功率變換器而帶來諧波危害認(rèn)識(shí)的日益深入,對(duì)開關(guān)電源的要求也在不斷的提高,要求其效率高、功率因數(shù)高、功率密度高、可靠性高等。針對(duì)上述問題,AC/DC開關(guān)電源的功率因數(shù)校正(PFC)問題正成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)之一。因此,傳統(tǒng)的開關(guān)電源上加上PFC功能,是以后開關(guān)電源發(fā)展的趨勢(shì)和要求。

          1.  電感APFC電源工作原理分析

                  APFC電源既要保持輸出電壓恒定,又要控制輸入電流為正弦波,以獲得高的功率因數(shù),為了能方便地控制輸入電流,APFC電源常采用boost電路。

                  為一(TM模式)的APFC控制芯片,即電感電流處于連續(xù)模式與斷續(xù)模式的臨界點(diǎn)。其工作原理如下:首先控制芯片生成一電感電流的參考信號(hào),每一開關(guān)周期開始時(shí)MOS管導(dǎo)通,電感電流線性增加,然后將電感電流的檢測(cè)信號(hào)與參考信號(hào)相比,當(dāng)電感電流檢測(cè)值等于電感電流參考值時(shí),MOS管關(guān)斷,電感電流減少,當(dāng)電感電流降為零時(shí),MOS管再導(dǎo)通,如此周而復(fù)始。電感電流的參考信號(hào)由系統(tǒng)輸出電壓檢測(cè)值與給定值相減,再經(jīng)由PI調(diào)節(jié)器,然后將PI調(diào)節(jié)器的輸出與整流橋后端的boost電路輸入電壓波形相乘得到。由于電感電流參考信號(hào)由電壓反饋環(huán)決定,故為保持系統(tǒng)穩(wěn)定且獲得高的功率因數(shù),電壓反饋環(huán)的帶寬不宜太寬。圖1 給出了一個(gè)線周期內(nèi)電感電流與電感電流參考信號(hào)的仿真波形圖。

                  電感電流實(shí)際為三角波,其包絡(luò)為電感電流參考信號(hào),由于電感電流參考信號(hào)為電壓誤差放大器的輸出與整流后的boost電路輸入電壓波形的乘積,且當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定工作時(shí),誤差放大器的輸出基本恒定,故電感電流的包絡(luò)基本為正弦波。

                  設(shè)電感電流的包絡(luò)為: ,根據(jù)三角形面積公式,可得電感電流平均值 ,即電感電流的平均值為正弦波。由于并連于整流橋后端的濾波電路將電感電流的高頻部分濾掉,故系統(tǒng)的輸入電流為正弦波,且相位與電源電壓一致,系統(tǒng)功率因數(shù)接近1。

                  采用Matlab對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)字仿真分析。圖1給出了輸入220VAC、  輸出400VDC、boost電感500mL、輸出電容 、負(fù)載 系統(tǒng)穩(wěn)定工作時(shí)電感電流及其參考信號(hào)的仿真波形。由圖可知,當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定工作時(shí)電感電流的包絡(luò)基本為正弦波,與上述分析相一致。

          圖1 電感電流及其參考信號(hào)的仿真波形

          圖2  圖1仿真波形的局部放大

          2. 芯片結(jié)構(gòu)與工作原理簡(jiǎn)介

                  是ST公司生產(chǎn)的有源功率因數(shù)校正專用芯片。能方便的構(gòu)成寬電壓輸入(AC85V—265V),低諧波含量的APFC電源;能直接驅(qū)動(dòng)MOS管,且集成了各種保護(hù)功能;由于集成度很高,它大大減少了構(gòu)成系統(tǒng)所需的元器件,降低了損耗,提高了效率。

                  圖3給出了L6561的內(nèi)部原理圖。8號(hào)引腳為芯片的電源輸入端,芯片的正常工作電壓范圍為11V—18V,芯片內(nèi)部有一20V的穩(wěn)壓管并連于該引腳與地之間,為防止芯片供電電壓過高而將芯片內(nèi)部穩(wěn)壓管擊穿,可在該引腳與外部供電電源間串接一限流電阻;7號(hào)引腳為芯片的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳,該引腳內(nèi)部采用了圖騰柱結(jié)構(gòu),具有最大400mA的驅(qū)動(dòng)能力,能直接驅(qū)動(dòng)MOS管;6號(hào)引腳為芯片的參考地,該引腳應(yīng)和主電路的地連在一起;5號(hào)引腳為芯片的過零檢測(cè)引腳,用于確定何時(shí)導(dǎo)通MOS管。該引腳檢測(cè)電感電流過零時(shí)產(chǎn)生的電壓振蕩,有效觸發(fā)信號(hào)為一下降沿;4號(hào)引腳為MOS管電流采樣引腳,芯片將該引腳檢測(cè)到的信號(hào)與芯片內(nèi)部產(chǎn)生的電感電流參考信號(hào)相比較,用以確定何時(shí)關(guān)斷MOS管;3號(hào)引腳為芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸入端,該引腳與boost電路輸入電壓相連,確定輸入電壓的波形與相位,用以生成芯片內(nèi)部的電感電流參考信號(hào);2號(hào)引腳為內(nèi)部乘法器的另一個(gè)輸入端,同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端,當(dāng)系統(tǒng)穩(wěn)定工作時(shí),該點(diǎn)的電壓應(yīng)恒定;1號(hào)引腳為系統(tǒng)反饋電壓的輸入端,該引腳與內(nèi)部運(yùn)算放大器的負(fù)相輸入端相連,同時(shí)通過一電阻分壓網(wǎng)絡(luò)與輸出電壓相連,從而構(gòu)成負(fù)反饋;1號(hào)引腳和2號(hào)引腳之間應(yīng)接一補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò),該網(wǎng)絡(luò)一方面構(gòu)成電壓環(huán)的PI調(diào)節(jié)器,另一方面用以補(bǔ)償系統(tǒng)的動(dòng)靜態(tài)性能。
                

          圖3  L6561的內(nèi)部原理圖         


           圖4  基于L6561的APFC電源的實(shí)際電路圖

          3.  系統(tǒng)構(gòu)成及其原理

                  圖4給出了由L6561構(gòu)成的APFC電源的實(shí)際電路圖。圖中輸入交流電經(jīng)整流橋整流后變換為直流電,作為boost電路的輸入;電容C1用以濾除電感電流中的高頻部分,降低輸入電流的諧波含量;電阻R9和R10構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),用以確定輸入電壓的波形與相位,電容C7與電阻R9構(gòu)成一RC濾波器,用以              除去3號(hào)引腳的高頻干擾信號(hào);boost電感有一副邊繞組,該繞組一方面通過電阻R1將電感電流過零信號(hào)傳遞到芯片的5號(hào)引腳,另一方面作為芯片正常工作時(shí)的電源;芯片驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過電阻R5連到MOS管的門極,R5用以防止MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)振蕩;電阻R6作為電感電流檢測(cè)電阻,用以采樣電感電流的上升沿(MOS管電流),該電阻一端接于系統(tǒng)地,另一端同時(shí)接在MOS管的源極和芯片的4號(hào)引腳;電阻R7和R8構(gòu)成電阻分壓網(wǎng)絡(luò),形成輸出電壓的負(fù)反饋回路;電容C3連接于芯片1、2號(hào)引腳之間,用于形成電壓環(huán)的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò);電阻R2,R3,電容C2,C6,二極管D3,穩(wěn)壓管D2和boost電感的副邊共同構(gòu)成了芯片電源,其中,電阻R3連接于電容C1和芯片8號(hào)引腳之間,在系統(tǒng)通電時(shí)提供芯片的啟動(dòng)電壓。

          4.系統(tǒng)設(shè)計(jì)

                  以下以L6561芯片為基礎(chǔ),詳細(xì)介紹APFC電源的設(shè)計(jì)過程。系統(tǒng)設(shè)計(jì)基于以下參數(shù):①輸入電壓:85VAC—265VAC;②最大輸出功率:250W;③輸出電壓:直流400V±3%。

          4.1主電路設(shè)計(jì)

          1)  熔絲管:由系統(tǒng)最大輸入電流 ,故可選用6A/250V的熔絲管。
          2)  整流橋:整流橋的設(shè)計(jì)由兩個(gè)參數(shù)決定,一是系統(tǒng)的最大輸入電流,一是系統(tǒng)最大輸入電壓,據(jù)此整流橋可由6A500V的普通二極管構(gòu)成。
          3) 電感T:設(shè)系統(tǒng)輸入電壓為 ,系統(tǒng)輸入功率為 ,系統(tǒng)輸出電壓為U。(忽略輸出電壓的脈動(dòng)),電感量為L(zhǎng),則系統(tǒng)的輸入電流為 ,控制電路所生成的參考電流為 。所以MOS管導(dǎo)通時(shí)間 為:
                                   (1)
          MOS管關(guān)斷時(shí)間 為:
                  (2)
          MOS管的開關(guān)頻率為:
                             (3)
          圖5給出了一個(gè)線周期內(nèi)MOS管的開關(guān)頻率與MOS管關(guān)斷時(shí)間波形,圖中: 由圖5與式(3)可知, MOS管開關(guān)頻率的最大值為 , MOS管開關(guān)頻率的最小值為 


          圖5   MOS管的開關(guān)頻率與關(guān)斷時(shí)間波形 

                  根據(jù)以上的分析,當(dāng)電感L過小時(shí),MOS管的最大開關(guān)頻率將增加,導(dǎo)致MOS損耗增加,損壞MOS管;當(dāng)電感L過大時(shí),一方面電感自身的體積將相應(yīng)增大,另一方面將導(dǎo)致系統(tǒng)性能下降(低次諧波含量將增加);故電感量的選擇應(yīng)綜合考慮,由于芯片要求最小MOS管開關(guān)頻率不小于15kHz,今選電感量為500uH,此時(shí)MOS管工作頻率在16kHz—220kHz之間。

          4)  原、副邊匝比:電感原、副邊匝比不宜過大,即;式中, U。 為系統(tǒng)輸出電壓,Uis 為boost輸入電壓的峰值,Ug 為芯片所認(rèn)同的高電平的最小值。在此取k=9。

          5)  電容C:根據(jù)經(jīng)驗(yàn),輸出電容C的選取為0.3 ~0.4uF/W,而其兩端電壓為系統(tǒng)輸出電壓,故可選用450V150uF的電解電容。

          6)  二極管D:二極管D應(yīng)為快恢復(fù)二極管,流過二極管的平均電流為 ,最大峰值電流為 ,故可選用BYV26E,其阻斷電壓為1000V,最大平均電流為1A,最大可重復(fù)沖擊電流為10A。

          7) 電容C1 :根據(jù)經(jīng)驗(yàn),該電容可選用1uF/400V的CBB電容。

          8)  MOS管: MOS管的最大阻斷電壓由輸出電壓U。加上適當(dāng)?shù)脑A縼頉Q定,而其最大允許電流為系統(tǒng)的輸入電流,故可選取IRFP450作為開關(guān)管。

          4.2控制電路設(shè)計(jì)

          1) INV引腳:該引腳為電壓誤差放大器的反相輸入端和輸出電壓過壓保護(hù)輸入端。相關(guān)的電阻分壓網(wǎng)絡(luò)參數(shù)可由下式?jīng)Q定:
                                       
          式中 為系統(tǒng)輸出電壓, 為系統(tǒng)允許的最大過電壓。

          2)COMP引腳:該引腳同時(shí)為電壓誤差放大器的輸出端和芯片內(nèi)部乘法器的一個(gè)輸入端。反饋補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)接在該引腳與引腳INV之間,根據(jù)經(jīng)驗(yàn),補(bǔ)償電容可選  。

          3) MULT引腳:該引腳為芯片內(nèi)部乘法器的另一輸入端。分壓電阻R9、R10由下式選?。?img class="" width="148" height="36" alt="" src="http://editerupload.eepw.com.cn/201108/fbd3b8516a6ad5c3f3911f2322b52bdd.png" /> ;  為 的最大峰值, 為系統(tǒng)輸入電壓的最大有效值。電容C7可由 來確定。

          4) CS引腳: CS引腳為芯片內(nèi)部PWM比較器的反相輸入端,該引腳通過電阻R6來檢測(cè)MOS管電流。根據(jù)芯片資料,可選擇電阻R6的阻值。

          5) ZCD引腳: ZCD引腳為電感電流過零檢測(cè)端,該引腳通過一限流電阻接于boost電感的副邊繞組。R1的選取應(yīng)保證流入ZCD引腳的電流不超過3mA。

          6) GND引腳:該引腳為芯片地,芯片所有信號(hào)都以該引腳為參考,該引腳直接與主電路地相連。

          7)  GD引腳: GD引腳為MOS管的驅(qū)動(dòng)信號(hào)輸出引腳。為避免MOS管驅(qū)動(dòng)信號(hào)震蕩,一般在GD引腳與MOS管的柵極之間連接一十幾歐姆到幾十歐姆電阻,該電阻的大小由實(shí)際電路決定。

          8) Vcc引腳:Vcc引腳為芯片電源。該引腳同時(shí)連接于啟動(dòng)電路和電源電路。穩(wěn)壓管D2選用18V穩(wěn)壓管;電容C2選用幾十uF的電解電容;二極管D3應(yīng)選用快恢復(fù)二極管,如1N4148;電阻R3選用幾百千歐的電阻;電容C6可用幾十nF的瓷片電容;電阻R2為幾百歐姆。

          5.  試驗(yàn)波形及其分析

                  圖7給出了由L6561構(gòu)成的boost校正器的輸入電流和輸出電壓實(shí)驗(yàn)波形,圖7給出的實(shí)驗(yàn)波形的實(shí)驗(yàn)條件為:輸入電壓為調(diào)壓器提供的220.4V交流電壓;負(fù)載由兩個(gè)150W/220V的白熾燈串聯(lián)組成。由圖可看出輸入電流基本為正弦波,輸出電壓的直流分量基本為400V,其脈動(dòng)頻率為兩倍的線頻率。圖6給出了boost校正器MULT和CS引腳電壓的實(shí)驗(yàn)波形。由圖可以看出流過MOS管的電流的包絡(luò)波形與MULT引腳的電壓波形相吻合;然而MULT引腳的電壓并不為正弦波,而是有一定的畸變,特別是當(dāng)boost輸入電壓過零時(shí),這是由濾波電容C1和C7引起的,適當(dāng)減小這兩個(gè)電容可減小其畸變,然而會(huì)導(dǎo)致更大的高頻諧波。CS引腳電壓波形中的毛刺是由開關(guān)管的通斷產(chǎn)生的電流毛刺引起的。圖6還給出了boost校正器COMP引腳電壓實(shí)驗(yàn)波形。由圖可看出在線周期內(nèi)該電壓保持恒定。

                    
          圖6MULT 、CS、COMP引腳電壓實(shí)驗(yàn)波形  


           圖7APFC電源輸入電流和輸出電壓實(shí)驗(yàn)波形

          6. 結(jié)束語

                  本文在分析電感的有源功率因數(shù)預(yù)校正電路原理的基礎(chǔ)上,針對(duì)傳統(tǒng)AC/DC變換器電流諧波高、網(wǎng)絡(luò)功率因數(shù)低等缺點(diǎn),采用控制芯片L6561制作了一臺(tái)寬電壓輸入(85VAC—265VAC)、輸出功率為250W的APFC電源,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明該電源系統(tǒng)的功率因數(shù)提高到0.98以上,總諧波含量低于5%。
                       
          參考文獻(xiàn)

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          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/78583.htm

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