三菱電機(jī)第五代IGBT模塊將亮相于電子展

三菱電機(jī)將攜同多種系列的第五代IGBT模塊，在3月18至20日于上海新國(guó)際博覽中心舉行之2008慕尼黑上海電子展（展位5102）上，為不同領(lǐng)域的客戶(hù)提供與其相應(yīng)的應(yīng)用解決方案。

三菱電機(jī)采用最新開(kāi)發(fā)的載流子存儲(chǔ)式溝槽型雙極晶體管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，實(shí)現(xiàn)了第五代IGBT模塊的產(chǎn)品化，其具有低損耗、低飽和壓降、高功率循環(huán)和壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。分別針對(duì)不同應(yīng)用開(kāi)發(fā)了A、 NF、 NFM、NFH和NX系列。

A系列IGBT模塊為中低端工業(yè)應(yīng)用提供性?xún)r(jià)比優(yōu)異的IGBT模塊，其應(yīng)用場(chǎng)合如：通用變頻器、伺服驅(qū)動(dòng)器、UPS以及特種電源等。NF系列IGBT模塊則為高端工業(yè)應(yīng)用提供性?xún)r(jià)比優(yōu)異的IGBT模塊。NFM系列IGBT模塊非常適用于變頻焊接設(shè)備等中高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用，其開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz。NFH系列IGBT模塊的開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)60 kHz，適用于感應(yīng)加熱電源、醫(yī)療儀器等高頻應(yīng)用場(chǎng)合。NX系列IGBT模塊是通用變頻器應(yīng)用中具有很高性?xún)r(jià)比優(yōu)勢(shì)的功率開(kāi)關(guān)器件。

三菱電機(jī)機(jī)電（上海）有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部長(zhǎng)谷口豐聰先生說(shuō)：“在變頻器、交流伺服驅(qū)動(dòng)器、電源等各種電力變換器的應(yīng)用領(lǐng)域中，IGBT是一種能夠滿(mǎn)足廣泛需求，并具有很好通用性的功率器件。為了滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)不斷改善IGBT性能的需求，三菱電機(jī)不斷完善現(xiàn)有產(chǎn)品，還為不同的客戶(hù)量身訂制符合他們需求的特有方案，協(xié)助他們面對(duì)越來(lái)越激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)。”

三菱電機(jī)在展會(huì)期間，將現(xiàn)場(chǎng)滾動(dòng)講解各技術(shù)方案及其應(yīng)用。

關(guān)于NX系列

三菱電機(jī)針對(duì)通用變頻器市場(chǎng)對(duì)性?xún)r(jià)比的要求，專(zhuān)門(mén)推出NX系列IGBT模塊。該系列IGBT模塊產(chǎn)品豐富，有600V和1200V兩個(gè)電壓等級(jí)，額定電流從35A到600A，分別有CIB (Converter Inverter Brake)、七單元、二單元和一單元模塊。NX系列IGBT模塊采用最優(yōu)化的CSTBTTM硅片技術(shù)，內(nèi)部集成NTC (Negative Temperature Coefficient) 測(cè)溫電阻。全系列產(chǎn)品采用同一封裝平臺(tái)從而降低了模塊的制造成本，使得NX系列IGBT模塊的性?xún)r(jià)比具有不同尋常的競(jìng)爭(zhēng)力。NX系列IGBT模塊特別適合用于通用變頻器。另外，該系列產(chǎn)品有條件接受客戶(hù)定制。

關(guān)于NFM 系列

著眼于市場(chǎng)迅速擴(kuò)大的電焊機(jī)應(yīng)用領(lǐng)域，三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)了最適合這些應(yīng)用的NFM 系列中高頻IGBT模塊。NFM系列IGBT模塊的主要特征是：采用第5代CSTBTTM硅片技術(shù)，實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)速度控制的最優(yōu)化；飽和壓降低于業(yè)界同類(lèi)產(chǎn)品；采用超高速續(xù)流二極管，其恢復(fù)特性好，拖尾電流極低；模塊內(nèi)部寄生電感低，應(yīng)用于電流諧振逆變器時(shí)損耗較以前大大降低。另外，NFM系列IGBT模塊的外形尺寸和目前市場(chǎng)上所普遍采用的完全兼容，開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)30kHz，是變頻焊接設(shè)備等中高頻開(kāi)關(guān)應(yīng)用的一種非常理想的電力電子器件。