北工大一成果入選中國高校2007年十大科技進展

專家稱，該項目是一項集現(xiàn)代電子顯微學原位表征與納米材料新異物理性能研究于一體的原創(chuàng)性成果，為現(xiàn)代納米材料性能表征提供了新途徑。近年來，一維納米材料作為具有新異物理性能的納米器件的基本結構單元，引起了世界各國的廣泛重視。張澤院士和韓曉東教授的研究小組，在原位外場作用下納米材料物理性能與顯微結構間關系研究上，取得了突破性進展。發(fā)明了一種集現(xiàn)代電子顯微學原位表征與納米材料新異物理性能研究于一體的新方法。

在原子尺度對單體一維納米材料力學等性能進行外場作用下原位表征測量，是當今國際納米科學研究的瓶頸性難題之一。該研究小組發(fā)明了幾項頗具特色的納米操作技術，并成功用于硅和碳化硅等重要半導體納米線在外場作用下力學性能與原子尺度顯微結構間關系研究，取得了突出創(chuàng)新性成果。他們驚奇地發(fā)現(xiàn)，作為現(xiàn)代信息基礎材料的硅這種脆性材料，達一維納米尺度時，在拉應力外場作用下，也可發(fā)生室溫脆—韌轉變，甚至呈現(xiàn)超常塑性行為。同樣，碳化硅在一維納米尺度也呈現(xiàn)這種室溫超塑性。這類共價鍵結構半導體納米線的超常塑性行為，是伴隨缺陷和非晶態(tài)轉變等一系列結構演變而產(chǎn)生的。這些新方法，不僅對在原子尺度認知新異物理現(xiàn)象與顯微間結構間關系，而且對他們在先進半導體領域的新應用，將提供重要的試驗和理論依據(jù)。