奇夢達(dá)宣布突破性的30納米次代技術(shù)藍(lán)圖

　　奇夢達(dá)公司宣布其Cell尺寸可達(dá)4F² 的30納米次代的先進(jìn)技術(shù)藍(lán)圖。奇夢達(dá)的創(chuàng)新Buried Wordline技術(shù)結(jié)合高效能、低功耗及芯片面積小的特性，再次拓展公司的多元化產(chǎn)品組合。奇夢達(dá)目前推出此尖端技術(shù)的65納米進(jìn)程，計(jì)劃在2008年下半年開始生產(chǎn)1Gbit DDR2產(chǎn)品。

　　奇夢達(dá)公司總裁暨首席執(zhí)行官羅建華(Kin Wah Loh)表示：“這項(xiàng)新的技術(shù)將能改善生產(chǎn)力和單位比特(per bit)成本至本公司前所未有的水平。我們是業(yè)界第一家宣布30納米的次代技術(shù)藍(lán)圖的廠商，并將Cell尺寸縮減至4F²。此技術(shù)的推出是我們做為領(lǐng)導(dǎo)內(nèi)存產(chǎn)品開發(fā)的領(lǐng)導(dǎo)者、持續(xù)創(chuàng)新的結(jié)果。這也有助于我們開發(fā)新的合作機(jī)會。”

　　奇夢達(dá)的目標(biāo)是于2009年下半年開始量產(chǎn)46納米Buried Wordline DRAM技術(shù)。與58納米溝槽技術(shù)相比，此46納米的Buried Wordline DRAM技術(shù)會提供每晶圓超過兩倍以上的比特(bit)。公司計(jì)劃于2009及2010財(cái)年，將由現(xiàn)金流量來做為制造流程的轉(zhuǎn)換的投資，此一次性約1億歐元的投資，將用于轉(zhuǎn)換現(xiàn)有的溝槽產(chǎn)能至Buried Wordline技術(shù)。奇夢達(dá)運(yùn)用Buried Wordline的技術(shù)和精簡的制造流程，加上主流的堆棧式電容，使得這項(xiàng)制造流程轉(zhuǎn)換只需較低的投資金額。