KLA-Tencor 為晶片廠推出光罩檢查系統(tǒng)的全新 TeraFab 系列

　　KLA-Tencor 公司推出了全新系列的光罩檢查系統(tǒng)，為晶片廠提供更靈活的配置方式，以檢驗(yàn)進(jìn)貨的光罩，并檢查生產(chǎn)光罩是否存在會(huì)降低產(chǎn)能并增加生產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)的污染物。TeraFab 系統(tǒng)提供了三種基本配置，以滿足邏輯集成電路和內(nèi)存晶片廠及不同代光罩的特殊檢查要求。這些配置為芯片制造商提供了極具成本效益的光罩質(zhì)量控制的先進(jìn)工具。

　　KLA-Tencor 的光罩和光掩模檢查部的副總裁兼總經(jīng)理 Harold Lehon 表示：“在先進(jìn)的晶片廠中，累積光罩污染物缺陷是一個(gè)復(fù)雜的問題，因?yàn)檫@些污染物有多種來源。65 納米及更小尺寸光罩污染物的增加會(huì)造成嚴(yán)重的產(chǎn)能風(fēng)險(xiǎn)。由于提高光罩可靠性是業(yè)界關(guān)鍵的優(yōu)先指標(biāo)，我們正與全球客戶一同合作開發(fā)兼具高靈敏度和成本效益的光罩污染物檢查方案。我們?nèi)碌?TeraFab 光罩檢查系統(tǒng)在檢測(cè)算法技術(shù)方面取得了重要突破，可大幅降低產(chǎn)能損失，同時(shí)讓客戶能夠根據(jù)其特定要求來選擇正確的檢測(cè)性能組合，從而獲得更高的檢查效率和更低的總體擁有成本。”

　　全新的 TeraFab 系統(tǒng)采用最近極成功的 STARlight2 技術(shù)上的算法突破，拓展了 KLA-Tencor 市場領(lǐng)先的 TeraScan 平臺(tái)。STARlight2 可檢測(cè)出生產(chǎn)光罩上的晶體生長和累積缺陷，這些缺陷是晶片產(chǎn)能的致命殺手，會(huì)隨著時(shí)間的推移而對(duì)器件的性能和可靠性造成重大影響。全新的 STARlight2+ (SL2+) 算法改善了 STARlight 檢測(cè)技術(shù)，可以順利進(jìn)行 65 納米和 45 納米級(jí)的生產(chǎn)，以及 32 納米級(jí)的開發(fā)。

　　SL2+ 算法的優(yōu)點(diǎn)可在系統(tǒng)的所有多像素尺寸中使用，包括讓 STARlight最小最先進(jìn)的 72 納米像素, 因此能針對(duì)大范圍的技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)行檢查。與其上一代算法相比，SL2+ 算法技術(shù)可找到更大及更小的缺陷。它還允許通過基于同等靈敏度有效使用更大的像素以提高產(chǎn)能，在給定的應(yīng)用中，它可將檢查時(shí)間縮短將近一半。

　　TeraFab 系統(tǒng)系列包括：

　　TeraFab SLQ-1X 是 Terafab 系統(tǒng)中具有最低擁有成本 (CoO) 和最高易用性 (EOU) 的產(chǎn)品。SLQ-1X 可處理邏輯晶片廠重檢應(yīng)用中常用的單晶檢查，并可達(dá)到較高的產(chǎn)能和較低的擁有成本。該系統(tǒng)包括最新 SL2+ 算法的諸多優(yōu)點(diǎn)，如有必要，還可延伸至更小的像素。透過以出色的擁有成本提供快速易用的光罩重檢中的通過/失敗信息，芯片制造商現(xiàn)在可以極具成本效益的方式來實(shí)施直接光罩檢查，以增加取樣率，或避免未執(zhí)行檢查的風(fēng)險(xiǎn)。

　　TeraFab Q-3X 是用于多晶重檢和外來原料質(zhì)量控制 (IQC) 應(yīng)用中的專用系統(tǒng)，常在內(nèi)存(包括閃存)晶片廠中使用。該系統(tǒng)的高效運(yùn)行意味著其擁有成本比以前的系統(tǒng)更低，且其靈敏度較高，因此能夠檢查 45 納米級(jí)的內(nèi)存光罩是否存在污染物。Q-3X 系統(tǒng)具備良好的靈敏度和性能，適合需要晶粒到晶粒范圍的晶片廠使用，它可提供現(xiàn)有的檢測(cè)性能、可擴(kuò)展性和擁有成本的最佳組合。

　　TeraFab SLQ-2X – 此系統(tǒng)主要適用于邏輯集成電路客戶，它包含最新及最先進(jìn)的技術(shù)，采用了全新的 STARlight2+ 算法，并具有最小的像素，能達(dá)到最高靈敏度，可滿足最先進(jìn)晶片廠最廣泛的應(yīng)用系列之需。它同樣適用于 IQC 或光罩重檢使用案例。SLQ-2X 具備 32 納米開發(fā)所需的靈敏度，是最靈活、最高性能的 TeraFab 系統(tǒng)。

　　TeraFab 系統(tǒng)目前正在日本、臺(tái)灣和歐洲等領(lǐng)先的 45 納米級(jí)邏輯集成電路和內(nèi)存晶片廠進(jìn)行 beta 測(cè)試與評(píng)估。