Vishay推出新型第三代TrenchFET功率MOSFET系列的首款器件

　　Vishay推出新型第三代 TrenchFET® 功率 MOSFET 系列的首款器件。該器件具有破紀(jì)錄的導(dǎo)通電阻性能和導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積指標(biāo)。

　　新型 TrenchFET 第三代 Si7192DP 是一款采用 PowerPAK® SO-8 封裝的 N 溝道器件，在 4.5V 柵極驅(qū)動電壓下具有 2.25 毫歐的最大導(dǎo)通電阻。導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積是 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中 MOSFET 的關(guān)鍵優(yōu)值系數(shù)(FOM)，Vishay 推出的Si7192DP器件的 FOM 值為 98 --- 創(chuàng)造了任何采用 SO-8 封裝的 VDS = 30V、VGS = 20 V 器件的新的業(yè)界紀(jì)錄。與分別為實現(xiàn)低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗而優(yōu)化的最接近的競爭器件相比，Vishay的新器件代表了市場上最佳的可用規(guī)格。更低的導(dǎo)通電阻及更低的柵極電荷意味著更低的導(dǎo)通損耗和更低的開關(guān)損耗。

　　Vishay SilIConix Si7192DP 將作為同步降壓式轉(zhuǎn)換器及次級同步整流和 OR-ing 應(yīng)用中的低端 MOSFET，其低導(dǎo)通及低開關(guān)損耗將有助于穩(wěn)壓器模塊(VRM)、服務(wù)器及采用負(fù)載點(POL) 功率轉(zhuǎn)換器的眾多系統(tǒng)實現(xiàn)更高功效且更節(jié)省空間的設(shè)計。

　　Siliconix 創(chuàng)建于 1962 年，是業(yè)界率先推出溝道功率 MOSFET 的供應(yīng)商，并于 1996 年成為 Vishay 的子公司。該公司的 TrenchFET IP 包含眾多專利，其中包括可追溯到 20 世紀(jì) 80 年代初的基礎(chǔ)技術(shù)專利。每種新一代 TrenchFET 技術(shù)均可滿足各種計算、通信、消費類電子及許多其他應(yīng)用對更高功率 MOSFET 性能的需求。

　　目前，Si7192DP 已開始提供樣品和批量生產(chǎn)，大宗訂單的交貨周期為 10 至 12 周。