低功耗、高線(xiàn)性CMOS可編程放大器

摘  要：針對(duì)接收機(jī)前端中可變?cè)鲆娣糯笃餍枰呔€(xiàn)性處理大信號(hào)的問(wèn)題。分析了使用源極退化電阻以及跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器線(xiàn)性度；設(shè)計(jì)了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的放大器。它具有更強(qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力，同時(shí)減小了輸入MOS管跨導(dǎo)由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線(xiàn)性失真。提出了一種對(duì)稱(chēng)的可變電阻結(jié)構(gòu)，它降低了MOS管開(kāi)關(guān)帶來(lái)的非線(xiàn)性。仿真結(jié)果表明，放大器在3．3V電源電壓下直流功耗為1．5mW。在1～lOMHz帶寬、3～24dB增益范圍內(nèi)，差分輸出信號(hào)峰峰值為3．3V時(shí)，總諧波失真低于-60dB。
關(guān)鍵詞：可變?cè)鲆娣糯笃?可編程增益放大器; CMOS高線(xiàn)性

    接收機(jī)模擬前端(以下簡(jiǎn)稱(chēng)接收機(jī))中的可變?cè)鲆娣糯笃饔脕?lái)調(diào)整信號(hào)大小，改變信號(hào)動(dòng)態(tài)范圍。在一條接收鏈路上通常存在幾個(gè)可變?cè)鲆娣糯笃?，它們共同作用，使得接收機(jī)前端能輸出滿(mǎn)足信噪比要求，并且具有較大功率的信號(hào)。
    隨著無(wú)線(xiàn)通信系統(tǒng)的發(fā)展，接收機(jī)的指標(biāo)在不斷變化，對(duì)中頻可變?cè)鲆娣糯笃鞯男阅芤蟛粩嗵岣摺Ｊ紫韧ㄐ畔到y(tǒng)使用寬帶調(diào)制，要求放大器具有足夠高的帶寬，通常在1～10 MHz左右。其次通信系統(tǒng)使用復(fù)雜的編碼，要求輸出信號(hào)具有較高的信噪比，意味著放大器具有很好的線(xiàn)性度。最后無(wú)線(xiàn)接收機(jī)應(yīng)該盡量降低功耗，那么放大器在實(shí)現(xiàn)大信號(hào)輸出的前提下必須減小偏置電流。以上這些條件對(duì)中頻可變?cè)鲆娣糯笃鞯脑O(shè)計(jì)提出了苛刻的要求。
    文使用跨導(dǎo)增強(qiáng)電路減小放大器輸入管跨導(dǎo)帶來(lái)的非線(xiàn)性失真，不過(guò)其功耗很大，線(xiàn)性度不高；文的輸出差分電壓幅度有限，大約為電源電壓的一半；文使用運(yùn)放加可變電阻的閉環(huán)電路結(jié)構(gòu)，放大器的工作帶寬較小；文的可變?cè)鲆娣糯笃骶哂懈呔€(xiàn)性度和大帶寬，不過(guò)由于采用電流運(yùn)放，其輸入阻抗對(duì)前級(jí)電路構(gòu)成較重的負(fù)載，需要在放大器前插入緩沖器，因此功耗較大；文的輸入采用源極跟隨器的形式，限制了輸入信號(hào)范圍。總的來(lái)說(shuō)，這些可變?cè)鲆娣糯笃鞯木€(xiàn)性輸入、輸出范圍有限。
    本文設(shè)計(jì)的可變?cè)鲆娣糯笃鞴ぷ鲙捲趌～10MHz，可以放大寬帶信號(hào)；輸出信號(hào)幅度可以達(dá)到差分峰峰值3．3V，而總諧波失真低于-60dB，具有較高的線(xiàn)性度。整個(gè)放大器的靜態(tài)功耗為1．5mW。

1 放大器線(xiàn)性分析
    圖1是使用源極負(fù)反饋電阻的共源放大器電路圖。根據(jù)差分電路的對(duì)稱(chēng)性，可以對(duì)半邊電路進(jìn)行分析。在忽略電流源和MOS管輸出電阻的前提下，放大器的增益為

    當(dāng)負(fù)反饋電阻Rdeg遠(yuǎn)大于輸入管跨導(dǎo)gm倒數(shù)的時(shí)候，放大器的增益近似等于負(fù)載電阻RLoad和Rdeg的比值。因?yàn)樵鲆嫒Q于兩個(gè)電阻的比值，所以放大器具有較好的線(xiàn)性度。但在實(shí)際應(yīng)用中，該電路的線(xiàn)性度受到很多因素的影響。
    最大的影響來(lái)源于跨導(dǎo)的非線(xiàn)性。為了使電路具有高線(xiàn)性度，必須增大gm或增大Rdeg。增大gm意味著增大電流，功耗上升；或者增大MOS管的尺寸，帶寬下降。增大Rdeg則會(huì)增加噪聲；而且如果用MOS管做電流源，其非線(xiàn)性的輸出電阻和Rdeg并聯(lián)，因此也不能無(wú)限增大Rdeg。總的來(lái)說(shuō)，這個(gè)放大器的線(xiàn)性度、帶寬、增益和功耗等參數(shù)之間存在折衷，很難同時(shí)達(dá)到要求。
    圖2是使用跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變?cè)鲆娣糯笃鳌Ｓ^察左半邊電路，M2管構(gòu)成接地的跨導(dǎo)增強(qiáng)放大器，它和M1、I1、I2構(gòu)成負(fù)反饋環(huán)路。設(shè)M1、Mz管的跨導(dǎo)分別為gml、gm2，A點(diǎn)到地的電阻為RA，那么放大器的增益為，

    由式(2)可見(jiàn)，輸入管M1的跨導(dǎo)被增大了gm2RA倍，gml對(duì)增益的影響減弱，放大器的線(xiàn)性度提高。再來(lái)考慮A、B兩點(diǎn)的電壓對(duì)輸入電壓的增益。對(duì)于M1、M2、I1和I2構(gòu)成的電路，如果把B點(diǎn)作為輸出節(jié)點(diǎn)，那么它也叫做超級(jí)源極跟隨器，因此B點(diǎn)電壓和輸入電壓之間是跟隨關(guān)系，增益近似為1。而A點(diǎn)電壓對(duì)輸入電壓的增益為

2 電路設(shè)計(jì)
    圖3是使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變?cè)鲆娣糯笃鳌榱朔€(wěn)定電路的直流工作點(diǎn)，在輸入管漏極和跨導(dǎo)增強(qiáng)電路放大管柵極之間插入了隔直電容，這兩級(jí)電路各自偏置，獲得穩(wěn)定的直流工作點(diǎn)。通過(guò)適當(dāng)設(shè)計(jì)可以使隔直電容對(duì)電路的交流信號(hào)基本不產(chǎn)生影響。設(shè)Mi管的跨導(dǎo)為gmi(i=1，2，3)，A、B、C各節(jié)點(diǎn)到地的電阻分別為RA、RB、Rc，那么通過(guò)推導(dǎo)可以得出放大器的增益近似為

   
    比較式(5)和式(3)，A點(diǎn)電壓對(duì)輸入電壓的增益更低，這意味著A點(diǎn)電壓變化幅度更小，輸入管M1的漏源電壓變化幅度更小，gml由于漏源電壓變化產(chǎn)生的非線(xiàn)性更小，電路的線(xiàn)性度更好。以上的分析證明，使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變?cè)鲆娣糯?br /> 器能進(jìn)一步增大跨導(dǎo)，提高電路的線(xiàn)性度。
    對(duì)于使用源極負(fù)反饋電阻的開(kāi)環(huán)可變?cè)鲆娣糯笃鱽?lái)說(shuō)，除了輸入管跨導(dǎo)產(chǎn)生的非線(xiàn)性外，源極負(fù)反饋電阻的非線(xiàn)性也有重要影響。本電路設(shè)計(jì)增益范圖3～24dB，每3dB一檔，使用3b字符控制。每一檔對(duì)應(yīng)的負(fù)反饋電阻用多晶電阻和MOS管開(kāi)關(guān)串連實(shí)現(xiàn)。圖4是兩種實(shí)現(xiàn)方法。第二種方法將一個(gè)電阻拆成相等的兩個(gè)，對(duì)稱(chēng)放置在MOS管開(kāi)關(guān)兩側(cè)，這樣MOS管的源漏級(jí)關(guān)于襯底完全對(duì)稱(chēng)。流過(guò)MOS管開(kāi)關(guān)的電流是奇諧波函數(shù)，其周期是正弦輸入信號(hào)周期的一半。這樣MOS管開(kāi)關(guān)只產(chǎn)生奇次諧波，從而提高了等效源級(jí)負(fù)反饋電阻的線(xiàn)性度。

3 仿真結(jié)果
    本文設(shè)計(jì)的可變?cè)鲆娣糯笃魇褂肨SMCO．25μm CMOS工藝，以廠(chǎng)家提供的工藝模型文件為基礎(chǔ)進(jìn)行了仿真。根據(jù)要求，因?yàn)殡娐返碾娫措妷簽?．3V，所以可使用的NMOS管和PMOS管最小溝道長(zhǎng)度分別是0．35μm和0．3μm。放大器的靜態(tài)功耗為1．5 mW。圖5是放大器不同增益的頻域響應(yīng)。其增益從3 dB變化到24dB，3dB一檔。在24dB增益時(shí)，3dB帶寬是100MHz。圖6是放大器
在24dB增益時(shí)等效輸入噪聲隨頻率的變化關(guān)系。

    1 MHz和10 MHz放大器的等效輸入噪聲分別是。當(dāng)輸入信號(hào)頻率為1MHz時(shí)，在24、12、3dB增益下，輸出信號(hào)總諧波失真分別是-67．3、-70．9、-73．4dB。當(dāng)輸入信號(hào)頻率為10MHz時(shí)，在24、12、3 dB增益下，輸出信號(hào)總諧波失真分別是-65．5、-72．1、-68．1 dB。此時(shí)放大器輸出差分峰峰值電壓均為3．3V。仿真詳細(xì)數(shù)據(jù)見(jiàn)表1。

    表2列出了設(shè)計(jì)的放大器和幾種已有放大器性能的比較(文[1，3，5]為測(cè)試結(jié)果)。可看出本文的放大器具有最小的功耗，能夠高線(xiàn)性輸出最大幅度的信號(hào)。此外還具有較低的噪聲和較寬的頻帶。說(shuō)明該放大器適宜作為需要輸出大信號(hào)的接收機(jī)末級(jí)放大器。

4 結(jié)  論
    本文提出了使用改進(jìn)型跨導(dǎo)增強(qiáng)電路的可變?cè)鲆娣糯笃?，它具有更?qiáng)的跨導(dǎo)增強(qiáng)能力，同時(shí)減小了MOS漏源電壓變化對(duì)跨導(dǎo)線(xiàn)性的影響。此外，本文分析并提出一種對(duì)稱(chēng)的可變電阻結(jié)構(gòu)，可以降低MOS管開(kāi)關(guān)帶來(lái)的非線(xiàn)性。
    應(yīng)用以上結(jié)果，本文用CMOS 0．25,μm工藝設(shè)計(jì)了可編程增益放大器。該放大器工作在3．3V，功耗為1．5 mW，增益范圍3～24 dB，在各級(jí)增益下3 dB帶寬均大于100 MHz。在輸出信號(hào)峰峰值為3．3V時(shí)，總諧波失真低于-60dB。仿真結(jié)果表明，該放大器適于在接收機(jī)模擬前端中使用。