電磁兼容與噪聲(04-100)
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作者：山東大學(xué)物理與微電子學(xué)院 趙麗生
時(shí)間：2008-03-28
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/80859.htm
結(jié)果討論
·集膚深度隨頻率增高而減小，電磁波衰減到原來(lái)的37%時(shí)集膚深度就已很小。
·銅屏蔽殼體在頻率為0.5MHz時(shí)，其衰減到1/100的透入深度只在距表面約0.4mm處，而鋁則在約0.6mm處，鋼在約l.0mm處。
·在高頻范圍內(nèi)，采用厚度0.5~1.5mm的金屬材料作屏蔽效果較為理想。
·使用鐵磁性作屏蔽體適用于100KHz以下。
·屏蔽效果由反射損耗R決定。
吸收損耗與屏蔽介質(zhì)厚度成正比，與集膚深度成反比。從頻率角度看，吸收損耗隨頻度增加而增加，這是由于集膚深度隨頻率增加而減小造成的。反射損耗從圖3可以看出將隨頻率增加而降低，而吸收損耗隨頻率的增加而增加，最小的屏蔽效果出現(xiàn)在中頻頻率。對(duì)于低頻平面波的大量衰減是由于反射損耗，而高頻時(shí)大量損耗是由于吸收損耗。
屏蔽高頻電磁場(chǎng)輻射，其屏蔽體材料和厚度的選擇，可從取得較好的屏蔽性能出發(fā)，往往優(yōu)先考慮屏蔽體的機(jī)械強(qiáng)度、彎曲易加工性、彈性零件的尺寸穩(wěn)定性以及接觸電阻等因素來(lái)滿足需要，同時(shí)還要綜合考慮屏蔽體的外形尺寸、所受磁場(chǎng)方向、漏磁、接地點(diǎn)等問(wèn)題。■
評(píng)論