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          熱交換器構(gòu)成可調(diào)電路斷路器(04-100)

          —— 熱交換器,電路斷路器
          作者:Maxim公司 Mark Pearson 時(shí)間:2008-03-28 來(lái)源: 收藏

            9~12V的中、高電壓系統(tǒng)往往需要1個(gè)或多個(gè)電路功能:熱變換控制,失效保護(hù)和侵入電流限制。在圖1電路中R4可為負(fù)載(C1和R2)提供侵入電流限制和可靠的功能。仍然它只包含1個(gè)P溝道MOSFET、1個(gè)熱交換控制器IC和兩個(gè)任選電阻器(R1和R3)。在MOSFET漏極增加R4(小值電阻器)可提供可調(diào)節(jié)斷路點(diǎn)并改善工作溫度范圍內(nèi)的精度。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/80873.htm

            對(duì)于熱交換應(yīng)用,根據(jù)一般的9V/ms柵板驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)換率,U1限制侵入電流。侵入電流由下式給出:

            I=(C×dv)/dt=C×SR

            其中C表示負(fù)載電容,SR為U1設(shè)置的轉(zhuǎn)換率(通常為9V/ms)。對(duì)于100mF的負(fù)載電容,IC限制侵入電流大約為0.9A。

            U1的功能用內(nèi)部比較器和MOSFET導(dǎo)通電阻RDS(ON)來(lái)感測(cè)失效條件。Q1的RDS(ON)典型值為52mW,U1具有300mV、400mV或500mV可選擇電路斷路器(CB)斷路點(diǎn)。在最低斷路點(diǎn)(300mV),CB斷路電流一般為5.77A(Tj=25℃)。

            電路斷路器的電壓斷路值由下式?jīng)Q定:

            VCB>RDS(ON)×ILOAD(MAX)或

            VCB/ILOAD(MAX)>RDS(ON)

            假定所希望限值是2A,則所用典型值為:

            300mV/2A≈150mW>RDS(ON)

            替代具有較高導(dǎo)通電阻的另1個(gè)MOSFET,大約100mW(R4)的電阻器與Q1串聯(lián)。除能夠可調(diào)節(jié)電路斷路器電平外,R4能提供更好的電路斷路器精度和改善整個(gè)溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定變。對(duì)于Q1的RDS(ON)≈52mW (Tj=25℃)和≈130mW (Tj=125℃),其變化為150%。假若增加1個(gè)100mW、100ppm/ ℃電阻器(從25℃到150℃其變化為0.001W),則從25℃(152mW)到125℃(231mW)組合變化僅為79W,此為52%。■(魯)

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