針對PCMCIA調(diào)制解調(diào)器設(shè)計的鉭電容器解決方案

　　簡介

　　為適應(yīng)移動計算的需求，無線網(wǎng)絡(luò)存取技術(shù)正快速發(fā)展。全球移動通信系統(tǒng)(GSM)網(wǎng)絡(luò)及通用分組無線業(yè)務(wù)(GPRS)也因此廣泛應(yīng)用于各行各業(yè)。為支持PDA及移動電話等基于網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的產(chǎn)品發(fā)展，2.5G基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)正在加速進(jìn)行，由此產(chǎn)生了對筆記本電腦在網(wǎng)絡(luò)存取技術(shù)方面所需外圍設(shè)備的需求。工程師們紛紛把目光投向個人計算機(jī)存儲卡國際協(xié)會(PCMCIA)定義的總線，普遍將其作為實(shí)現(xiàn)GSM調(diào)制解調(diào)器設(shè)計的一種解決方案。

　　研究表明，GSM傳輸由需要高強(qiáng)電流的相對短脈沖構(gòu)成。 用于該應(yīng)用程序的發(fā)送器工作電壓為3.0V，其峰值電流為2A。 然而，PCMCIA總線規(guī)格使得最大可用電流僅為1.0A， 該規(guī)格顯然無法滿足需求。 因此，設(shè)計人員不得不考慮使用大容量電容(1000mF 至5500mF)，以便在傳輸期間維持電壓并提供所需電流。

　　PCMCIA調(diào)制解調(diào)器設(shè)計人員可用的電容器解決方案一直以來僅限于電化學(xué)雙層電容器(EDLC)技術(shù)，該技術(shù)可保障極高電容量。 本文將指出，在時間與溫度方面伴有不穩(wěn)定性的高等效串聯(lián)電阻(ESR)將對脈沖應(yīng)用造成嚴(yán)重限制。 因此，EDLC并非最有效的解決方案。 要達(dá)到最佳性能，設(shè)計人員須考慮使用高電容-電壓(CV)、高效容量及低ESR的鉭電容器。 因其電容量僅在680mF以內(nèi)(明顯不足)，業(yè)界一直未考慮使用此類器件。 但超高電容量鉭電容器的發(fā)展為調(diào)制解調(diào)器設(shè)計人員提供了新的良機(jī)。以表面貼裝封裝的此類電容器電容量值高達(dá)3300mF，從而為此棘手問題提供了解決方案。

　　為方便說明問題，我們的討論將主要圍繞使用PCMCIA總線的GSM調(diào)制解調(diào)器而展開，然后對此類概念在脈沖功率應(yīng)用(使用其他功率限制型總線結(jié)構(gòu)，如USB總線等)中的應(yīng)用方式進(jìn)行說明。

　　問題總結(jié)

　　如圖1所示，GSM信號以216Hz(4.62 ms PRI)的速率在載體中傳輸，并采用一次性劃分(包括產(chǎn)生577ms 脈寬的1/8周期)。 這要求電容器使用剩余的7/8周期進(jìn)行再充電。 以此為例，假設(shè)功率放大器要求的電流為2A。最壞的可能性是，傳輸期間所需功率完全由電容器提供，因此而忽略了PCMCIA總線可提供的電流。

　　在具備由PCMCIA總線提供的3.3V工作電壓及諸多功率放大器所需3V最低輸入電壓的情況下，允許產(chǎn)生0.3V的最大電壓降。 表1總結(jié)了設(shè)計制約條件，而圖2則對簡化電路圖進(jìn)行了說明。

　　電路中的電壓降包括兩部分：與電容器內(nèi)部阻抗(近ESR)相關(guān)聯(lián)的電阻壓降及脈沖結(jié)束時的電容器電壓降。  因此，總電壓降計算公式如下：

　　V = IR + I(t/C)

　　其中：V=電壓降(V)；I=電流(A)；R=電容器內(nèi)部阻抗—ESR(Ohm)；t=脈寬(s)；C=電容(F)。

　　備選設(shè)計方案

　　可用備選設(shè)計方案見表2內(nèi)數(shù)據(jù)。針對該設(shè)計問題，我們應(yīng)對四種潛在解決方案進(jìn)行論述。其中兩種用于展示鉭解決方案對該設(shè)計的影響，另外兩種將著重闡述利用EDLC技術(shù)的結(jié)果。解決方案1允許使用三個鉭電容器，提供總量為6.6mF的電容；而解決方案2則使用兩個鉭電容器，組合總電容為4.4mF。除總電容量之外，這兩種解決方案在ESR方面也有所差異。

　　同樣，在探索使用EDLC技術(shù)時，我們也應(yīng)考慮兩種解決方案。解決方案3為EDLC，提供22mF的額定電容。解決方案4較解決方案3而言提供更大的電容及更低的ESR。

　　鑒于EDLC的內(nèi)部組成，與使用傳統(tǒng)電介質(zhì)的電容器相比，器件以較慢速度對電場做出響應(yīng)。 因此，可用(或有效)電容為圖3所示脈寬的強(qiáng)大功能。若為GSM傳輸中使用的脈寬(577ms)，現(xiàn)今市場所售EDLC的有效電容為額定電容值的3% - 48%。 以此為例，我們對EDLC技術(shù)的有效電容的發(fā)展趨勢將有最樂觀的預(yù)計。

　　方案1

　　設(shè)計三個并聯(lián)鉭電容器可提供的總電容為6.6mF。 圖4就等效電路進(jìn)行演示，展示了電容及器件的內(nèi)部阻抗。 鑒于器件為并聯(lián)方式，總電容計算公式如下：

　　CT=C1+C2+C3=6.6mF

　　有效內(nèi)部ESR總值計算公式如下：

　　RT=1/(1/R1+1/R2+1/R3)

　　若R1=R2=R3，等式簡化為：

　　RT=R/3

　　因此，有效ESR = 35 m?3 = 12 m?得出：

　　V=(2A×0.012?+(2A×[0.000557s/0.0066F])

　　V=0.02V+0.17V

　　V=0.20V

　　從上述計算公式可以看出，鉭電容器的低內(nèi)部阻抗導(dǎo)致最小內(nèi)部IR損耗。 得出的0.2V總電壓降在設(shè)計制約因素以內(nèi)(允許最大值為0.3V)。

　　方案2

　　如解決方案1所示，解決方案2的有效ESR計算公式如下：

　　ESR=35m?2=18m?得出：

　　V=0.04V+0.26V

　　V=0.30V

　　雖然在設(shè)計制約條件以內(nèi)，但0.3V的電壓降不會在設(shè)計中保留余地。

　　方案3

　　檢查EDLC后可以發(fā)現(xiàn)：

　　V=0.40V+0.10V

　　V=0.50V

　　高ESR成為造成總電壓降的主要因素，得出的0.50V總電壓降超出電路設(shè)計允許范圍。

　　方案4

　　最后，檢查高電容/低ESR EDLC解決方案：

　　V=0.30V+0.07V

　　V=0.37V

　　低ESR可能會對計算的電壓降產(chǎn)生有利影響。 不過，電容的增加對整體性能幾乎沒有影響。 雖然低于解決方案3所示值，本方案中的總電壓降仍然超出設(shè)計制約條件。該解決方案的另一弊端在于設(shè)備的尺寸。4.8mm的高度對于PCMCIA卡標(biāo)準(zhǔn)之形狀因數(shù)以內(nèi)的使用并不十分理想。

　　為克服與ESR相關(guān)聯(lián)的過剩電壓降，采用EDLC技術(shù)的設(shè)計人員須考慮使用其他電路(如DC-DC引導(dǎo)轉(zhuǎn)換器)。該設(shè)計方案在耗盡寶貴插板空間的同時，還將產(chǎn)生額外電路成本。

　　如前所述，電路對ESR的依賴是設(shè)計中需要考慮的重要因素之一。 各解決方案中所述計算方式基于指定為25 ℃的初始ESR。 必須考慮對ESR對電路的造成的影響進(jìn)行更為深入徹底的分析：

　　·ESR在溫度方面的穩(wěn)定性，及最終產(chǎn)品壽命老化引起的ESR可變性。 

　　通過對現(xiàn)有技術(shù)的調(diào)查發(fā)現(xiàn)，EDLC中的ESR在其指定工作溫度下與鉭(其ESR在相同溫度范圍內(nèi)保持在指定水平)相比差異可達(dá)400%。設(shè)計人員還須考慮到如下事實(shí)：在部件使用壽命內(nèi)，EDLC ESR將隨著老化情況而增加。 

　　表3就鉭ESR性能與EDLC技術(shù)進(jìn)行了對比。就鉭而言，ESR在溫度及時間方面均比較穩(wěn)定，在全工作溫度或壽命試驗(yàn)中不發(fā)生規(guī)格變化。對于筆記本電腦內(nèi)即定的PCMCIA卡工作環(huán)境而言，ESR保持85 ℃的穩(wěn)定性是非常理想的情況。

　　對比而言，EDLC技術(shù)中的ESR差異在脈沖應(yīng)用中則較為麻煩。 如上述電路分析所示，與EDLC中的ESR相關(guān)聯(lián)的電阻降壓已是總體電壓降的主導(dǎo)因素。鑒于 ESR 的高可變性，難以在各種條件下以足夠的裕度設(shè)計電路。

　　結(jié)語

　　對脈沖功率應(yīng)用中大容量電容的需要而言，設(shè)計人員須意識到：ESR是關(guān)鍵因素。 超高電容(甚至過剩電容)無法克服與高ESR解決方案相關(guān)聯(lián)的效率損耗。用額外電路克服此類損耗(如引入轉(zhuǎn)換器的使用)不僅成本高，也占用寶貴的插板空間，從而加大設(shè)計的工作量。另外，選擇充足電容量的解決方案(配合低ESR)將會創(chuàng)造更高效率及成本有效性。