IR推出全新30V DirectFET MOSFET系列
加入技術(shù)交流群
國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務(wù)器CPU電源、圖形，以及記憶體穩(wěn)壓器應(yīng)用的同步降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)而優(yōu)化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結(jié)合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術(shù)與先進(jìn)的DirectFET封裝技術(shù)，比標(biāo)準(zhǔn)SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設(shè)計(jì)。新一代30V器件的導(dǎo)通電阻 (RDS(on)) 非常低，同時(shí)把柵極電荷 (Qg) 和柵漏極電荷 (Qgd) 減至最少，并以極低的封裝電感減少了導(dǎo)通及開(kāi)關(guān)損耗。
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有極低的RDS(on) 特性，非常適合高電流同步MOSFET。這些新器件與上一代器件采用通用的MT和MX占位面積，所以當(dāng)需要提高電流水平或改善散熱性能時(shí)，易于從舊器件轉(zhuǎn)向使用新器件。
IRF6721S、IRF6722S與IRF6722M極低的Qg和Qgd，使這些器件非常適用于控制MOSFET。它們還有SQ、ST和MP占位面積可供選擇，可以使設(shè)計(jì)更具靈活性。
產(chǎn)品規(guī)格
|
器件 編號(hào) |
BVDSS (V) |
10V下典型RDS(on) (mOhms) |
4.5V下典型RDS(on) (mOhms) |
典型QG (nC) |
典型QGD |
DirectFET 外形代碼 |
|
IRF6721S |
30 |
5.1 |
8.5 |
11 |
3.7 |
SQ |
|
IRF6722S |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.1 |
ST |
|
IRF |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.3 |
MP |
|
IRF |
30 |
1.9 |
2.7 |
33 |
10 |
MX |
|
IRF |
30 |
1.7 |
2.4 |
36 |
11 |
MX |
|
IRF |
30 |
1.3 |
1.9 |
51 |
16 |
MT |
|
IRF |
30 |
1.2 |
1.8 |
49 |
16 |
MX |
新器件符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制規(guī)定 (RoHS)，并已接受批量訂單。
評(píng)論