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          凌力爾特推出100V高端/低端N溝道高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器

          —— 100V 高端/低端 N 溝道高速 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
          作者: 時(shí)間:2008-06-13 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            公司 (Linear Technology Corporation) 推出高頻、高輸入電源電壓 (100V) LTC4446,用來(lái)驅(qū)動(dòng)雙晶體管正激式中的高端和低端 N 溝道功率 。這個(gè)與功率 和一個(gè)公司的 DC/DC 控制器一起,可組成一個(gè)完整的高效率雙晶體管正激式,或者可以配置為快速動(dòng)作的高壓 DC 開(kāi)關(guān)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/84106.htm

            這個(gè)強(qiáng)大的以 1.2Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)高端 MOSFET 時(shí)可以提供高達(dá) 2.5A 的電流,而以 0.55Ω 下拉阻抗驅(qū)動(dòng)同步 MOSFET 時(shí)可提供 3A 的電流,從而非常適用于驅(qū)動(dòng)高柵極電容、大電流 MOSFET。LTC4446 還可以為較大電流應(yīng)用驅(qū)動(dòng)多個(gè)并聯(lián) MOSFET。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pF 負(fù)載時(shí),高端 MOSFET 的快速 8ns 上升時(shí)間和 5ns 下降時(shí)間、以及低端 MOSFET 的 6ns 上升時(shí)間和 3ns 下降時(shí)間最大限度地減小了開(kāi)關(guān)損耗。

            LTC4446 配置為使用兩個(gè)不受電源影響的輸入。高端輸入邏輯信號(hào)在內(nèi)部將電平移位至自舉電源,在比地電平高 114V 時(shí)還可以工作。另外,該器件在 7.2V 至 13.5V 的電壓范圍內(nèi)同時(shí)驅(qū)動(dòng)高端和低端 MOSFET 柵極。

            性能概要:LTC4446

            • 高端/低端 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器

            • 最高電源電壓為 100V

            • 非常適用于雙晶體管正激式

            • 高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用

            • 大驅(qū)動(dòng)電流:在下拉阻抗為 0.55Ω 時(shí)提供 3A 電流

            • 7.2V 至 13.5V 的柵極驅(qū)動(dòng)電壓

            • 高端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 8ns,下降時(shí)間為 5ns

            • 低端柵極:驅(qū)動(dòng) 1000pF 負(fù)載時(shí)上升時(shí)間為 6ns,下降時(shí)間為 3ns

            • 為柵極驅(qū)動(dòng)電壓提供欠壓閉鎖

            • 耐熱增強(qiáng)型 MSOP-8 封裝

           



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