卓芯微電子推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品
卓芯微電子(Innova-Semi)推出P型MOSFET集成肖特基產(chǎn)品RCRH010FA 和RCRH003FB。P溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管采用高密度DMOS生產(chǎn)工藝,具有極低的導(dǎo)通電阻,并且在低至1.8V的柵極電壓下仍可正常開(kāi)啟。配合使用的肖特基芯片采用Low VF工藝,同時(shí)具有極佳的反向漏電特性。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/86117.htm該兩款產(chǎn)品主要應(yīng)用在充電電路,DC/DC 轉(zhuǎn)換器和LED控制電路。整個(gè)器件在正向?qū)〞r(shí)具有很低的正向壓降,不僅滿足使用USB接口進(jìn)行充電的要求,同時(shí)具有極低的功率耗散,提升整個(gè)系統(tǒng)的能效。
這兩款產(chǎn)品已廣泛應(yīng)用于手機(jī)充電線路部分,主要適用于基于MTK平臺(tái)、ADI平臺(tái)、Spreadtrum平臺(tái)以及部分TI平臺(tái)和Infineon平臺(tái)的方案中。其基本電路如圖所示:
電源管理器件通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制充電電流,肖特基二極管可防止電流倒灌。RCRH010FA采用DFN3×2封裝(3.0×2.0×0.8mm),RCRH0003FB采用DFN2×2封裝(2.0×2.0×0.55mm),相比同類(lèi)產(chǎn)品,具有以下優(yōu)勢(shì):
·采用了更薄的封裝,適用于超薄機(jī)型設(shè)計(jì);
·在器件腹部增加了散熱片,大幅提升器件額定功耗和散熱能力,防止PCB熱損傷,提升整機(jī)安全性。
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評(píng)論