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          用存儲(chǔ)器映射的方法實(shí)現(xiàn)片外FLASH的擦寫(xiě)

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          作者: 時(shí)間:2005-09-19 來(lái)源: 收藏
          映射的方法實(shí)現(xiàn)片外
          1引言
          在DSP系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中,經(jīng)常要使用片外擴(kuò)充系統(tǒng)存儲(chǔ)空間。特別是當(dāng)DSP的片內(nèi)數(shù)據(jù)和程序存儲(chǔ)器容量比較小時(shí), 必須把一部分?jǐn)?shù)據(jù),如常量、原始數(shù)據(jù)庫(kù)等存儲(chǔ)到片外的存儲(chǔ)器中,從而節(jié)省DSP芯片內(nèi)部的存儲(chǔ)器資源。在實(shí)際應(yīng)用中,片外存儲(chǔ)器通常選擇RAM或FLASH MEMORY。RAM數(shù)據(jù)掉電即丟失,不適合長(zhǎng)期保存數(shù)據(jù)。對(duì)于一些無(wú)需頻繁讀寫(xiě)但需要長(zhǎng)期保存的數(shù)據(jù),如字模數(shù)據(jù)、端口地址等時(shí),通常選擇片外FLASH作偽擴(kuò)展的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。使用片外 FLASH必須要解決對(duì)其擦寫(xiě)的問(wèn)題。

          在實(shí)際應(yīng)用中,對(duì)片外有兩種方式:一是使用通用編程器對(duì)FLASH芯片進(jìn)行擦寫(xiě);二是直接由DSP對(duì)FLASH進(jìn)行擦寫(xiě)。對(duì)于需要修改或已安裝在電路板上的FLASH芯片無(wú)法使用第一種方式,只能采用第二種方式,且便于調(diào)試。本文介紹一種利用存儲(chǔ)器映射技術(shù)實(shí)現(xiàn)對(duì)DSP片外FLASH擦寫(xiě)的方法。

          DSP56F805芯片是Motorola公司在DSP56800 的基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的系列DSP芯片之一。該芯片采用先進(jìn)的修正哈佛結(jié)構(gòu),三個(gè)內(nèi)部地址總線和四個(gè)內(nèi)部數(shù)據(jù)總線支持?jǐn)?shù)據(jù)傳輸;采用MCU形式的指令集,尋址方式靈活;具有較強(qiáng)的片外存儲(chǔ)空間擴(kuò)展能力;功耗小,高度并行。但是該芯片的片內(nèi)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間最大為64k,程序存儲(chǔ)空間尋址范圍是64k,內(nèi)部模式(Mode0A和Mode0B)下只有31.5k。對(duì)于一些需要復(fù)雜中文圖形用戶界面的 DSP系統(tǒng)來(lái)說(shuō)芯片存儲(chǔ)資源顯得不夠,必須對(duì)芯片存儲(chǔ)空間進(jìn)行擴(kuò)展。考慮到具體要求,本文使用片外FLASH來(lái)擴(kuò)展系統(tǒng)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間,將DSP系統(tǒng)的中文圖形用戶界面中用到的所有字模數(shù)據(jù)和頁(yè)面內(nèi)容數(shù)據(jù)存放到片外FLASH中,大大節(jié)省了片內(nèi)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間。

          CodeWarrior IDE是由Metrowerks公司專為Motorola的DSP56800系列設(shè)計(jì)的開(kāi)發(fā)平臺(tái)。該平臺(tái)具有簡(jiǎn)單明了的圖形用戶界面和豐富的軟件開(kāi)發(fā)工具,適合于開(kāi)發(fā)基于DSP56800系列的應(yīng)用程序、插件程序等各種程序代碼。在CodeWarrior環(huán)境中,用戶可以通過(guò)修改.cmd文件來(lái)配置存儲(chǔ)器分配方式,還可以通過(guò)修改startup文件夾中的初始化程序來(lái)控制系統(tǒng)的初始化操作。用戶編譯并鏈接后,將生成.elf文件,在文件中可以看到存儲(chǔ)器的詳細(xì)分配情況。當(dāng)用戶將程序下載到DSP芯片后,可以使用CodeWarrior的調(diào)試器對(duì)程序進(jìn)行全面的調(diào)試,如設(shè)置斷點(diǎn)、單步執(zhí)行等;也可以使用 Watch Memory指令來(lái)檢查存儲(chǔ)器中的各地址段的值,還可以使用Save/Load Memory指令來(lái)保存或是載入某段存儲(chǔ)器的值。

          2方法介紹

          首先利用GPIOD0口生成合適的片外FLASH和片內(nèi)XRAM片選信號(hào),實(shí)現(xiàn)片內(nèi)XRAM和片外FLASH的訪問(wèn)切換。例如當(dāng)GPIOD0 =0時(shí),0x8000~0xFFFF映射到片內(nèi)XRAM,此時(shí)對(duì)于整個(gè)0x0000~0xFFFF地址范圍的讀寫(xiě)操作就是對(duì)于片內(nèi) XRAM的操作;當(dāng)GPIOD0=1時(shí),0x8000~0xFFFF地址范圍映射到數(shù)據(jù)FLASH,則對(duì)0x8000~0xFFFF 地址范圍的讀寫(xiě)操作就是對(duì)于片外FLASH的操作;對(duì)0x0000~0x7FFF地址范圍的讀寫(xiě)仍是針對(duì)片內(nèi) XRAM的操作,從而將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)空間擴(kuò)展了32k。

          再將映射方式設(shè)置為片內(nèi),將需要寫(xiě)到FLASH中的數(shù)據(jù)文件載入片內(nèi)XRAM。最后根據(jù)需要設(shè)置GPIO端口值,切換地址映射的存儲(chǔ)器。這樣通過(guò)地址映射的方法,便可實(shí)現(xiàn)將XRAM中數(shù)據(jù)寫(xiě)入片外FLASH的操作,而對(duì)于DSP芯片來(lái)說(shuō)只是進(jìn)行了其XRAM尋址空間內(nèi)部的數(shù)據(jù)搬移操作。

          假設(shè)要將一組二維數(shù)組character[180][32]形式的字模數(shù)據(jù)保存入片外數(shù)據(jù)FLASH的0x8000~0xA000地址段中,先做以下準(zhǔn)備工作:

          ①用一個(gè)GPIO端口,擴(kuò)展系統(tǒng)的可尋址數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間;②編寫(xiě)FLASH擦寫(xiě)程序,程序流程如圖1所示。

          #define N 100 /* 由于FLASH與RAM的讀寫(xiě)速度不同,所以需要在每項(xiàng)操作后加入若干個(gè)延遲以保證正確性,延遲的具體長(zhǎng)短可以根據(jù)具體情況作調(diào)整 */




          void main()

          {

          unsigned int i,code;

          unsigned int *code_addr;

          unsigned int *flash_addr;

          *GPIO_D_DR=0x0002; /*映射方式設(shè)置為映射到片外數(shù)據(jù)FLASH*/

          delay(N);

          GPIOD_setup(); /*GPIOD設(shè)置*/

          delay(N);

          erase_flash(); /*如FLASH上原有數(shù)據(jù)無(wú)需保留,則全部擦除,如部分據(jù)需保留,也可部分擦除*/


          *GPIO_D_DR=0x0000; /*映射方式設(shè)置為映射到片內(nèi)XRAM*/
          delay(N);

          flash_addr=(unsigned int *) FLASH_ADDR;

          code_addr=(unsigned int *)CODE_ADDR; /*設(shè)置XRAM的存儲(chǔ)起始地址和數(shù)據(jù)FLASH擦寫(xiě)起始地址*/


          /*循環(huán)擦寫(xiě)*/

          for(i=0;i{

          *GPIO_D_DR=0x0000;

          delay(N);

          code=*(code_addr++); /*保存XRAM中數(shù)據(jù)到變量code*/

          delay(N);

          *GPIO_D_DR=0x0002;

          delay(N);

          pre_write_flash(); /* 寫(xiě)FLASH前的預(yù)處理,向FLASH內(nèi)寫(xiě)入相應(yīng)命令字,根據(jù)所選用 FLASH的不同預(yù)處理操作也有所不同*/

          delay(N);

          *(flash_addr++)=code; /*寫(xiě)數(shù)據(jù)到FLASH中*/

          delay(N);

          }

          }

          擦寫(xiě)步驟如下:

          ① 將character[180][32]設(shè)置為全局變量。

          ② 將程序編譯下載到DSP芯片中,打開(kāi)工程目錄中output文件夾中的.elf文件,找到character 數(shù)組在XRAM中存放的起始地址和長(zhǎng)度。用戶可以使用Watch Memory命令察看該段地址的數(shù)據(jù)值。

          ③ 使用Save Memory命令將XRAM中對(duì)應(yīng)于character數(shù)組的地址段的數(shù)據(jù)以二進(jìn)制形式保存在計(jì)算機(jī)上。通過(guò)UltraEdit將其打開(kāi),檢看數(shù)據(jù)保存是否正確。

          ④ 打開(kāi)FLASH擦寫(xiě)程序,修改數(shù)據(jù)在片內(nèi)XRAM中存儲(chǔ)的起始地址和起始地址與數(shù)據(jù)長(zhǎng)度。編譯下載后,單步執(zhí)行,執(zhí)行到擦除完FLASH,并將地址映射方式置為映射到片內(nèi)XRAM處,使用Load Memory指令將char數(shù)據(jù)文件載入到片內(nèi)XRAM的相應(yīng)存儲(chǔ)地址段中,再接著全速運(yùn)行程序,幾十秒之后程序執(zhí)行完畢,數(shù)據(jù)便寫(xiě)到片外FLASH的相應(yīng)地址中。

          ⑤ 再次打開(kāi)FLASH擦寫(xiě)程序,單步執(zhí)行到映射方式置為片外FLASH處停止,使用Save Memory命令保存FLASH中剛寫(xiě)入的地址段的數(shù)據(jù)值。接著使用UltraEdit的比較文件命令比較前兩次保存的數(shù)據(jù),如完全相同就表明character字模數(shù)組已經(jīng)正確的寫(xiě)到片外FLASH中。

          將數(shù)據(jù)擦寫(xiě)入片外數(shù)據(jù)FLASH后,就可以在用戶程序中對(duì)該數(shù)據(jù)加以調(diào)用。在調(diào)用的時(shí)候要先將映射方式設(shè)置為映射到片外FLASH,然后再取數(shù)據(jù)。如下所示,取出FLASH中0x6000地址上存儲(chǔ)的數(shù)據(jù):

          #define FLASH_ADD (unsigned int *)0x6000

          *GPIO_D_DR=0x0002; /*映射方式設(shè)置為映射到片外FLASH*/

          data = *(FLASH_ADD);

          3 結(jié)論

          本文介紹了一種通過(guò)地址映射方式,在基于 DSP的嵌入式系統(tǒng)中,通過(guò)DSP擦寫(xiě)片外FLASH的方法。該方法可適用于多種場(chǎng)合,針對(duì)多個(gè) FLASH芯片可使用多個(gè)GPIO端口進(jìn)行地址的擴(kuò)展,并可通過(guò)DSP實(shí)現(xiàn)對(duì)其擦寫(xiě)操作;若將部分程序放置到片外FLASH中并作相應(yīng)設(shè)置,即可實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的自舉運(yùn)行等。


          評(píng)論


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