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          理解和應(yīng)用數(shù)模轉(zhuǎn)換器

          作者:ADI 公司 時(shí)間:2008-08-18 來源:中電網(wǎng) 收藏

            )是非常通用的器件,其能力遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出電平設(shè)置的范疇,而且延伸到通信、、、電位計(jì)和替代可變電阻器、信號(hào)合成以及許多其它應(yīng)用。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/87067.htm

            的一些技術(shù)指標(biāo)

            是最基本最重要的混合信號(hào)構(gòu)建模塊,其輸出可以是單端,也可以是差分;器件可以是單極性,也可以是雙極性的;DAC的傳遞函數(shù)是線性的,也可以是非線性的,如"LogDAC"為對(duì)數(shù)傳遞函數(shù),主要應(yīng)用在系統(tǒng)中。實(shí)際傳遞函數(shù)與理想傳遞函數(shù)的擬合度可以用DAC的積分非線性或INL來描述,通常有兩種表達(dá)方法:一種是端點(diǎn)方法,如圖1左圖所示,另一種是最佳直線的方法,如圖1右圖所示。即使是簡(jiǎn)單的Σ-Δ轉(zhuǎn)換器那樣并不呈現(xiàn)微分非線性誤差的轉(zhuǎn)換器也都有INL誤差,而且這個(gè)誤差還會(huì)影響到雜散和失真的性能。


            DAC不僅可以對(duì)輸入代碼產(chǎn)生一個(gè)量化輸出電平的響應(yīng),同時(shí)也可以動(dòng)態(tài)產(chǎn)生信號(hào)。與ADC一樣,DAC也是一個(gè)采樣數(shù)據(jù)系統(tǒng),因而遵循奈奎斯特和香農(nóng)采樣定理。

            此外,建立時(shí)間是一個(gè)DAC設(shè)計(jì)多方面的技術(shù)指標(biāo)。簡(jiǎn)單的可以理解為從輸出電壓離開一個(gè)具有指定誤差范圍電平到穩(wěn)定進(jìn)入目標(biāo)誤差范圍電平的時(shí)間。有些制造商定義的建立時(shí)間還包括與鎖存和開關(guān)設(shè)置時(shí)間相關(guān)的寄存器延遲,以及如圖2中所示的左側(cè)的死區(qū)。前者在使用DAC產(chǎn)生動(dòng)態(tài)信號(hào)時(shí)更為有用,而后者對(duì)于電平設(shè)置的調(diào)節(jié)很重要。不符合建立時(shí)間的時(shí)序指標(biāo)可能會(huì)導(dǎo)致性能上的問題。

            DAC的架構(gòu)

            DAC的一個(gè)基本構(gòu)建模塊是一個(gè)簡(jiǎn)單的開關(guān)。圖3所示為最簡(jiǎn)單的電壓輸出DAC架構(gòu),包括一個(gè)Kelvin分壓器,溫度計(jì)式DAC,全譯碼器。這種DAC也可稱為電阻串(string)DAC。圖中所示的是一個(gè)3位電阻串DAC,一般來講電阻串DAC不超過8位。對(duì)于Kelvin分壓式DAC,由輸入代碼的改變而產(chǎn)生的開關(guān)毛刺相對(duì)恒定,與代碼在DAC范圍內(nèi)所處位置無關(guān),因此成為了目前較高分辨率的分段式DAC的常用構(gòu)建模塊。基準(zhǔn)電壓是加在階梯型電阻串的頂部,輸入代碼確定了開關(guān)與電阻串的連接。由于CMOS開關(guān)漏電流很小,而且可以實(shí)現(xiàn)很高的集成度,因此,電阻串DAC常采用CMOS制造工藝。

            如果去掉圖3電阻串DAC最上面的電阻,梯形電阻串的上下兩個(gè)端點(diǎn)就變成了電位器的兩個(gè)端點(diǎn),從而得到數(shù)字電位器,電阻串DAC的輸出成為了電位器的抽頭。



            基于R/2R網(wǎng)絡(luò)的DAC一直是一種普遍使用的類型,由于2:1比率很低,因此電阻非常容易制造以及微調(diào),如圖4所示為一個(gè)電壓型R/2R階梯網(wǎng)絡(luò)DAC。該架構(gòu)中每個(gè)二進(jìn)制位在地與基準(zhǔn)電壓之間切換,其中一個(gè)有利的特點(diǎn)是該架構(gòu)輸出阻抗與代碼無關(guān),是恒定的。其輸出可以為電壓,或者是流入虛地的電流。需注意的是,這些開關(guān)必須能工作在很大的共模電壓范圍(從VREF到地電位)內(nèi),而且VREF端點(diǎn)的阻抗是輸入數(shù)字量代碼的函數(shù),因而必須用低阻抗驅(qū)動(dòng)。

            對(duì)于R/2R階梯DAC電流型輸出結(jié)構(gòu),其開關(guān)總是工作在地電位。由于這種架構(gòu)如果使用CMOS開關(guān),則VREF輸入可以有正極性或者負(fù)極性。如果把雙極性AC輸入加到VREF引腳上,就有4象限乘法,因此可以得到VREF電壓與數(shù)字量代碼之間乘積的輸出,因此這種DAC架構(gòu)通常被用于乘法DAC(MDAC)中,可以應(yīng)用到以數(shù)字控制方式對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大或縮小。

            如果用電容切換代替電阻或電流源,即為開關(guān)電容DAC或稱電荷分配DAC,如圖5所示。其中電容的匹配是用精密光刻技術(shù)控制的,并且還另外增加了一些電容和開關(guān)出廠前的微調(diào),或者在完成安裝之后的系統(tǒng)級(jí)自校準(zhǔn)調(diào)試過程中使用。而該架構(gòu)的一個(gè)缺點(diǎn)是,開關(guān)時(shí)的瞬態(tài)電流注入到模擬輸入端,這需要驅(qū)動(dòng)放大器對(duì)于這些瞬態(tài)電流能夠在大約半個(gè)轉(zhuǎn)換周期內(nèi)穩(wěn)定下來。

            若干個(gè)低分辨率DAC可以使用"分段(segmentation)"技術(shù)組合成較高分辨率的DAC,有許多種方法可以實(shí)現(xiàn)這種分段。如圖6中(A)所示,兩個(gè)3位電阻串DAC構(gòu)成一個(gè)完整的6位DAC,如果采用CMOS工藝,這種DAC效果很好。其中,最高的幾位是用第一個(gè)電阻串DAC實(shí)現(xiàn),而最低的幾位用第二個(gè)電阻串DAC實(shí)現(xiàn)。而在圖6(B)中,低位DAC是用二進(jìn)制DAC構(gòu)成的。分段法降低了開關(guān)毛刺的影響,有助于減少與數(shù)字輸入有關(guān)的DNL誤差,因此常用于高速DAC中。

           

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