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          ZVS移相全橋控制器UCC3895及其應(yīng)用

          作者:趙文武 姚慧聰 陳增祿 時(shí)間:2008-08-20 來源:中電網(wǎng) 收藏

            1.引言: 

            芯片是Texaslnstruments公司生產(chǎn)的專用于移相全橋DC/DC的新型控制芯片。它在UC3875(79)系列原有功能的基礎(chǔ)上增加了自適應(yīng)死區(qū)設(shè)置和能力,這樣就適應(yīng)了負(fù)載變化時(shí)不同的準(zhǔn)諧振軟開關(guān)要求。同時(shí)由于它采用了BICMOS工藝,使得它的功耗更小,工作頻率更高,因而更加符合電力電子裝置高效率、高頻率、高可靠的發(fā)展要求。通過不同的外圍電路設(shè)置,既可工作于電壓模式,也可工作于電流模式,并且軟啟動(dòng)/軟停止可按要求進(jìn)行調(diào)節(jié)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/87176.htm

            2.芯片介紹

            芯片采用了20個(gè)引腳實(shí)現(xiàn)了以下功能:自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間設(shè)置;振蕩器雙向同步功能;電壓模式控制或電流模式控制;軟啟動(dòng)/和控制器片選功能可編程;移相占空比控制范圍0%~100%;內(nèi)置7MHz帶寬誤差放大器;最高工作頻率達(dá)到1MHz;工作電流低,500kHz下的工作電流僅為5mA;欠壓鎖定狀態(tài)下的電流僅為150μA。

            UCC3895芯片是UC3875(79)系列芯片的升級(jí),同后者相比,內(nèi)部電路做了許多改進(jìn),設(shè)計(jì)更為方便,性能有所增加。下面介紹其部分主要引腳功能:

            EAP、EAN、EAOUT分別為誤差放大器的同相輸入端、反向輸入端和輸出端。

            CS和ADS CS是電流檢測(cè)比較器的反相輸入端。內(nèi)部接到電流測(cè)量比較器負(fù)輸入端和過流比較器正輸入端以及ADS放大器。電流測(cè)量信號(hào)用于實(shí)現(xiàn)峰值電流模式控制中的逐周期限流,及過流關(guān)閉輸出脈沖保護(hù)。過流關(guān)閉輸出脈沖會(huì)導(dǎo)致一個(gè)重新的軟啟動(dòng)過程。ADS是自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間設(shè)置,是該控制芯片新增的控制管腳,可設(shè)置最大和最小輸出死區(qū)時(shí)間之比值。CS端的電壓應(yīng)限制在2.5V以下。當(dāng)ADS與CS相連時(shí),死區(qū)時(shí)間沒有自適應(yīng)調(diào)節(jié)功能;當(dāng)ADS直接接地時(shí),死區(qū)時(shí)間調(diào)節(jié)范圍最大,此時(shí),CS=0時(shí)的死區(qū)時(shí)間約為CS=2.0V(峰值電流限制值)時(shí)死區(qū)時(shí)間的4倍。當(dāng)ADS接到CS和GND之間的電阻分壓器上時(shí)(見圖1),VADS-VCS項(xiàng)減小,使VDEL也減小,即死區(qū)調(diào)節(jié)量減小。ADS通過式(1)改變腳DELAB和DELCD上的輸出電壓值VDEL,叫從而改變輸出死區(qū)。

            式(1)中VADS必須限制在0V到2.5V且必須小于等于VCS。圖1給出與死區(qū)設(shè)置有關(guān)的電阻接線方法。

            DELAB和DELCD兩引腳分別為兩路互補(bǔ)輸出端之間的死區(qū)時(shí)間設(shè)置。RDELAB通過DELAB端設(shè)置OUTA和OUTB之間的死區(qū)時(shí)間,RDELCD通過DELCD端設(shè)置OUTC和OUTD之間的死區(qū)時(shí)間。在該死區(qū)時(shí)間內(nèi),外部橋式的功率器件實(shí)現(xiàn)諧振轉(zhuǎn)換。兩半橋允許不同的死區(qū)時(shí)間以適應(yīng)不同的等效諧振電容充電電流。死區(qū)時(shí)間由式(2)決定:

            DELAB和DELCD引腳上可輸出最大電流為1mA,應(yīng)選擇電阻RDEL使其輸出電流不超過該值。

            CT和RT CT接振蕩定時(shí)電容CT,RT外接振蕩定時(shí)電阻RT。振蕩器通過一個(gè)可調(diào)的電流對(duì)CT充電,充電電流由RT決定。CT上波形為鋸齒波,峰值約2.35V。振蕩周期由式(3)近似估算,CT可從100pF到880pF,RT的阻值范圍40kΩ~120kΩ。

            OUTA,OUTB,OUTC,OUTD 4個(gè)100mA的互補(bǔ)輸出MOS驅(qū)動(dòng)信號(hào)。OUTA和OUTB互補(bǔ),OUTC和OUTD互補(bǔ),分別驅(qū)動(dòng)外部功率電路的一個(gè)半橋功率開關(guān),它們的工作頻率為振蕩頻率的一半。

            SS/DISB軟啟動(dòng)和禁止端。其中禁止模式即芯片輸出的快逸關(guān)閉。禁止模式在外部強(qiáng)制SS/DISB低于0.5V、外部強(qiáng)制REF低于4V、VDD低到UNLO設(shè)定值之下、或在發(fā)生過流故障(CS>=2.5V)時(shí)啟動(dòng)。在REF低于4V或VDD低到UNLO情況發(fā)生時(shí),SS/DISB被內(nèi)部MOSFET拉低到地,如果是發(fā)生過流,SS/DISB吸入10倍IRT電流直到SS/DISB低于0.5V。

            圖2是UCC3895的時(shí)序圖。

            圖2中,是時(shí)鐘信號(hào),RAMP是RT端的鋸齒波,COMP表示的是電壓模式控制時(shí)誤差調(diào)節(jié)器的輸出信號(hào)。OUTPUTA、B、C、D為互補(bǔ)輸出MOS管的四個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)。OUTPUTA和B互補(bǔ),OUTPUTC和D互補(bǔ),OUTPUTA、B和OUTPUTC、D之間的相位差由圖中輸出波形的占空比決定。

            3.基于UCC3895DC/DC的參數(shù)設(shè)計(jì)

            DC/DC變換器的電路原理如下圖3。圖中除了UCC3895及其外圍電路外,QA、QB、QC和QD四個(gè)MOSFET組成橋式變換電路,依靠其漏源間等效電容實(shí)現(xiàn)零電壓軟開關(guān);T1和T2為脈沖變壓器,分別用來驅(qū)動(dòng)主電路開關(guān)管QA、QB和QC、QD;T4為電流互感器,與C7、R10一起組成電流檢測(cè)電路;T3為高頻變壓器,實(shí)現(xiàn)輸出隔離和電壓匹配;D1和D2對(duì)高頻變壓器副邊電壓整流,精L1、L2和C10濾波得到輸出直流電壓VCC;TL431是一個(gè)基準(zhǔn)電壓為2.5V的電壓調(diào)節(jié)器,通過光耦Q8實(shí)現(xiàn)輸出電壓閉環(huán)反饋。

            采用UCC3895芯片作為控制電路主要部分,通過TI公司提供的原理圖、測(cè)試參數(shù)、設(shè)計(jì)原理、應(yīng)用參數(shù)等資料,結(jié)合本實(shí)驗(yàn)的要求給出部分電路參數(shù)設(shè)計(jì)。

            預(yù)設(shè)fosc=200kHz,得tosc=1/200kHz=5μs,根據(jù)式(3)計(jì)算得RTCT=46.8×10-6,取RT=100kΩ,CT=470pF。

            由式(1)和(2),開關(guān)切換時(shí)CS端的最低電壓決定了最大死區(qū)時(shí)間。VCS上的電壓范圍為0V~2.5V,選取RCS=200kΩ,RADS=100kΩ,如圖3所示。據(jù)式(1)得到VDEL上的電壓范圍為0.5V~1.75V,選取RDELAB=RDELCD=2kΩ,最大電流為0.875mA<1mA,符合要求。再據(jù)式(2)得到死區(qū)時(shí)間為50~125ns。

            據(jù)光耦參數(shù),取工作點(diǎn)為IC=2.5mA,IF=3mA,選擇EAP端電壓工作點(diǎn)為VREF的中點(diǎn),即得R4=VREF/(2IC)=1kΩ。

            根據(jù)設(shè)計(jì)要求輸出電壓Vcc=30V,已知TL431的參考電壓為2.5V,則應(yīng)取R8=11kΩ,R9=1.0kΩ。選擇TL431輸出端電壓工作點(diǎn)為動(dòng)態(tài)范圍的中點(diǎn),可得R11=(Vcc-1.5-2.5)/(2IF)=4.3kΩ。

            選擇驅(qū)動(dòng)變壓器原、副邊匝比為10:10;高頻變壓器T3原副邊匝比為15:45。輸入電壓Vin為15V,電流平均值約為5A;考慮占空比和的T3的勵(lì)磁電流,輸入電流峰值約為9A;電流互感器原副邊匝比選為1:75,可得副邊電流為0.12A;選擇R10為20Ω,可得CS端的最大電壓為2.4V,不能超過2.5V。

            4.實(shí)驗(yàn)結(jié)果

            圖4是在上述參數(shù)下的控制電路輸出波形。

            圖4中上面三個(gè)波形依次為CT上的輸出波形、OUTA的輸出波形和OUTB的輸出波形;下面三個(gè)波形是上面波形的局部放大圖。OUTA、OUTB的開關(guān)頻率為100kHz,CT的輸出頻率為200kHz的鋸齒波,開關(guān)頻率是fOCS的二分之一。為了觀察穩(wěn)定的波形,反饋回路處于開路,等效為輸出一直處于欠壓狀態(tài);可以看出PWM占空比接近100%,死區(qū)時(shí)間約為120ns,在設(shè)定范圍之內(nèi)。

            5.結(jié)論

            本文介紹了ZVS移相全橋DC/DC變換器控制芯片UCC3895,與此前同類芯片比較增加了自適應(yīng)死區(qū)時(shí)間控制。設(shè)計(jì)了一臺(tái)15V/30V的DC/DC變換器的設(shè)計(jì),該方案采用了峰值電流控制模式,可在較大范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)移相全橋零電壓開關(guān)(ZVS)。最大可實(shí)現(xiàn)1~2kW的功率變換。實(shí)驗(yàn)證實(shí)了UCC3895的控制功能。預(yù)計(jì)會(huì)有較大的應(yīng)用前景。

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