高亮度LED初具產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ) 仍需政策助力

   　 雖然我國(guó)高亮度LED芯片產(chǎn)量于2007年超過(guò)210億只，但還遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，進(jìn)口芯片占很大比例，特別是高性能LED芯片和功率LED芯片幾乎全部進(jìn)口。估計(jì)2008年高亮度芯片產(chǎn)量會(huì)超過(guò)300億只，但仍不能滿足國(guó)內(nèi)市場(chǎng)需求，仍需大量進(jìn)口。

    　2007年，高亮度LED器件產(chǎn)量雖然達(dá)到250億只，但實(shí)際需求超過(guò)300多億只，特別是高性能LED器件，幾乎全部進(jìn)口。

    　國(guó)內(nèi)LED應(yīng)用產(chǎn)品市場(chǎng)目前的重點(diǎn)與國(guó)外不一樣，國(guó)際上現(xiàn)階段LED主要用于背光源、汽車及信息顯示部分，而目前國(guó)內(nèi)LED除用于信息顯示之外，還用于景觀裝飾照明、交通信號(hào)燈及部分功能性照明，特別是城市景觀照明和路燈的開(kāi)發(fā)應(yīng)用，已經(jīng)成為熱點(diǎn)。有人估計(jì)2008年LED應(yīng)用產(chǎn)品的產(chǎn)值將達(dá)540億元。加上LED芯片、器件、模塊和配套原材料等，整個(gè)LED產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值將超過(guò)1000億元。

    　中國(guó)加大投入LED產(chǎn)業(yè)

    　近年來(lái)，我國(guó)明顯加大了對(duì)LED產(chǎn)業(yè)的投入。政府相關(guān)部門加大了資金投入，扶持半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和發(fā)展，如教育部投入大學(xué)的基礎(chǔ)研究項(xiàng)目資金，中科院投入研究所的研發(fā)項(xiàng)目資金，科技部以863項(xiàng)目投入的研發(fā)資金，原信息產(chǎn)業(yè)部以電子發(fā)展基金項(xiàng)目投入資金，國(guó)家發(fā)改委以擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)化規(guī)模項(xiàng)目進(jìn)行投入等等。許多省、市也以各種形式投入資金發(fā)展半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)，有十幾個(gè)省、市將半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)作為本地區(qū)重點(diǎn)產(chǎn)業(yè)加以發(fā)展。

    　國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)集團(tuán)和私營(yíng)資本近幾年也積極投資半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)，有人估計(jì)投資額超過(guò)100億元。國(guó)內(nèi)LED前工序企業(yè)近年新購(gòu)置MOCVD設(shè)備40臺(tái)～50臺(tái)，芯片制造設(shè)備幾百臺(tái)套，擴(kuò)大企業(yè)產(chǎn)能。國(guó)內(nèi)最大的5家LED封裝企業(yè)均在近兩年內(nèi)投資建設(shè)新廠房，增資購(gòu)置自動(dòng)化封裝設(shè)備。另外，由于各方投資的增加，近兩年還增加了很多新進(jìn)入該領(lǐng)域的企業(yè)。

    　當(dāng)然，LED產(chǎn)業(yè)的投資風(fēng)險(xiǎn)也不容忽視。由于半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)屬于高科技產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)有上萬(wàn)個(gè)專利，對(duì)投資者來(lái)說(shuō)，要充分了解該技術(shù)領(lǐng)域的專利保護(hù)和專利糾紛問(wèn)題，不應(yīng)隨意介入，否則有可能引來(lái)國(guó)際訴訟；對(duì)于準(zhǔn)備在LED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域投資的企業(yè)而言，應(yīng)充分考慮其核心技術(shù)的來(lái)源，最好要有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，否則重復(fù)投資LED的中、低檔產(chǎn)品，其風(fēng)險(xiǎn)較大；在市場(chǎng)開(kāi)拓上，要充分考慮到韓國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)相關(guān)產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的激烈程度，特別是我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)，其LED的技術(shù)水平較高，產(chǎn)量也較大，在市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)方面，對(duì)大陸企業(yè)形成較大的挑戰(zhàn)。

    　技術(shù)、市場(chǎng)、政府支持缺一不可

    　雖然我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展速度較快，但技術(shù)水平與國(guó)際領(lǐng)先水平的差距仍然較大，主要是缺乏有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)，其產(chǎn)品以中、低檔為主，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模偏小，缺乏競(jìng)爭(zhēng)能力。
高性能LED和功率LED產(chǎn)品均要依賴進(jìn)口，為此，對(duì)于如何加速發(fā)展LED產(chǎn)業(yè)，提出如下三點(diǎn)建議：

    　第一，政府應(yīng)加大支持力度，增強(qiáng)調(diào)控能力。一方面，應(yīng)重點(diǎn)支持國(guó)家級(jí)半導(dǎo)體照明研發(fā)平臺(tái)建設(shè)，對(duì)分散重復(fù)的研究機(jī)構(gòu)進(jìn)行整合調(diào)整，真正支持有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)核心技術(shù)和創(chuàng)新項(xiàng)目的研發(fā)工作；另一方面，應(yīng)該用政府引導(dǎo)和宏觀調(diào)控的辦法，對(duì)LED前工序規(guī)模偏小和有條件的后工序封裝企業(yè)要引導(dǎo)投資、重點(diǎn)扶持，進(jìn)行整合、合資、合并，集中資源擴(kuò)大產(chǎn)業(yè)化規(guī)模，使企業(yè)在國(guó)際上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)能力。對(duì)此，可借鑒韓國(guó)和我國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的經(jīng)驗(yàn)。

    　第二，應(yīng)加強(qiáng)LED技術(shù)基礎(chǔ)研究、開(kāi)發(fā)。在LED外延、芯片制造領(lǐng)域，應(yīng)著重提高發(fā)光的內(nèi)量子效率和外量子效率，提高產(chǎn)品性能、穩(wěn)定性、一致性和可靠性，提高產(chǎn)品的成品率，要有創(chuàng)新成果和自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的核心技術(shù)。在封裝領(lǐng)域，應(yīng)加強(qiáng)白光LED和功率LED封裝技術(shù)的研發(fā)，主要是提高出光效率、出光均勻性、一致性，改進(jìn)封裝結(jié)構(gòu)，提高襯底散熱性能、降低熱阻，提高抗光衰能力和可靠性。在配套領(lǐng)域，應(yīng)加強(qiáng)LED主要原材料、配套件和制造LED的關(guān)鍵設(shè)備的基礎(chǔ)研究、開(kāi)發(fā)，主要是指襯底、有機(jī)源、環(huán)氧樹(shù)脂、硅膠、熒光粉、驅(qū)動(dòng)電路和MOCVD（金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積）設(shè)備等等。此外，還應(yīng)該加強(qiáng)LED的光、電、色、熱學(xué)及照明參數(shù)的測(cè)試研究，并對(duì)LED光源的可靠性開(kāi)展研究；同時(shí)，也應(yīng)該重視LED應(yīng)用產(chǎn)品的研發(fā)工作，要有創(chuàng)新意識(shí)，開(kāi)發(fā)出市場(chǎng)需求的新產(chǎn)品。

    　第三，應(yīng)擴(kuò)大LED應(yīng)用市場(chǎng)。LED產(chǎn)品的應(yīng)用面很廣，在推廣應(yīng)用和市場(chǎng)開(kāi)拓上，目前要重點(diǎn)抓住如下三個(gè)方面：一是加強(qiáng)中等尺寸和大尺寸LED背光源的研發(fā)工作，該市場(chǎng)潛力巨大，技術(shù)上逐步成熟，要抓住時(shí)機(jī)，盡快進(jìn)入市場(chǎng)；二是加大用于汽車上的各種LED燈和顯示的研發(fā)工作，其技術(shù)已成熟，市場(chǎng)潛力很大，要盡快進(jìn)入市場(chǎng)；三是加強(qiáng)開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體照明的應(yīng)用，特別是開(kāi)發(fā)專用照明和特種照明，該照明產(chǎn)品系列的技術(shù)已逐步成熟，正是開(kāi)發(fā)應(yīng)用的好機(jī)會(huì)，市場(chǎng)潛力也很大，要盡快進(jìn)入市場(chǎng)。

   　 相關(guān)鏈接

    　LED簡(jiǎn)介

    　半導(dǎo)體發(fā)光二極管(LightEmittingDiodes，簡(jiǎn)稱LED)是半導(dǎo)體Ⅲ-Ⅴ族化合物(GaP、GaAlAs、GaAs、AlGaInP、GaN等)經(jīng)加工產(chǎn)生P-N結(jié)后形成的器件，在外加一定電流的情況下，能發(fā)射紅外光、可見(jiàn)光或紫外光。

    　目前高亮度LED主要有兩大類：四元系A(chǔ)lGaInP發(fā)紅光、橙光、黃光，GaN基發(fā)綠光、藍(lán)光、紫光和紫外光。其主要應(yīng)用范圍也有兩大類：顯示與照明。由于LED技術(shù)的不斷進(jìn)步，發(fā)光強(qiáng)度(輻射功率)和發(fā)光效率的不斷提高，這些高亮度半導(dǎo)體發(fā)光二極管作為光源已逐步進(jìn)入光色照明、專用照明領(lǐng)域，并最終要進(jìn)入普通照明領(lǐng)域。這些高亮度LED作為光源進(jìn)入照明的領(lǐng)域通常稱為半導(dǎo)體照明。

    　由于半導(dǎo)體照明比現(xiàn)有的照明光源更加節(jié)能，因此半導(dǎo)體照明又被稱為照明領(lǐng)域中的又一次革命。比如，一只60W的白熾燈泡要消耗60W的電能，發(fā)出大約800lm的光，用現(xiàn)有的節(jié)能燈管，需要12W-15W的電能，如果用半導(dǎo)體照明(假定發(fā)光效率為120lm/W-150lm/W)只需要6W-8W的電能，目前LED的發(fā)光效率為100lm/W，經(jīng)過(guò)努力在未來(lái)幾年內(nèi)達(dá)到120lm/W-150lm/W。