臺(tái)灣存儲(chǔ)器之夢(mèng)破碎

　　臺(tái)灣地區(qū)取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設(shè)計(jì)第二（僅次于美國(guó)）如此驕人的成績(jī)，并沒(méi)有　沾沾自喜，相反總是在努力尋找差距，并確立追趕目標(biāo)，這一點(diǎn)非常難能可貴。例如在臺(tái)灣島內(nèi)自2004年開(kāi)始，就半導(dǎo)體及平板顯示業(yè)展開(kāi)大討論，以南韓為目標(biāo)尋找差距?？谔?hào)是“為什么韓國(guó)能，臺(tái)灣不能？”

　　通過(guò)分析與比較，臺(tái)灣在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的目標(biāo)是：1) 總產(chǎn)值要超過(guò)韓國(guó)，成為繼美國(guó)，日本之后的全球第三位；2) 在未來(lái)三至五年中，存儲(chǔ)器業(yè)要超過(guò)韓國(guó)，成為全球第一。

　　為什么選擇存儲(chǔ)器作為突破口？

　　這是一個(gè)值得思考的好問(wèn)題?；仡?0年代日本追趕美國(guó)，以及90年代韓國(guó)追趕日本，都是以存儲(chǔ)器作為突破口。原因是存儲(chǔ)器市場(chǎng)巨大、設(shè)計(jì)技術(shù)相對(duì)簡(jiǎn)單且易于擴(kuò)大市場(chǎng)份額等。

　　韓國(guó)就是在6英寸晶圓廠過(guò)渡到8英寸晶圓廠的世代交替時(shí)，以9座8英寸晶圓廠的產(chǎn)能優(yōu)勢(shì)，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產(chǎn)業(yè)的第一。

　　臺(tái)灣地區(qū)試圖以同樣的方法，希望在8英寸過(guò)渡到12英寸晶圓廠的世代交替時(shí)，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來(lái)取勝。結(jié)果臺(tái)灣并未成功，三星及海力士仍雄居全球存儲(chǔ)器第一與第二位。

　　臺(tái)灣在存儲(chǔ)器方面重投資策略未能奏效

　　半導(dǎo)體業(yè)內(nèi)有個(gè)潛規(guī)則，只要舍得投資就有可能成功。例如臺(tái)灣地區(qū)半導(dǎo)體業(yè)在90年初代工模式剛興起時(shí)，年投資金額與年銷售額之比達(dá)60％以上。

　　根據(jù)此理念，臺(tái)灣地區(qū)從2004年開(kāi)始加速存儲(chǔ)器方面的投資。例如從2004至2008年期間，臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面的總投資達(dá)300億美元以上，擁有20條12英寸晶圓生產(chǎn)線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。但是最終并未因12英寸晶圓生產(chǎn)線多而取得勝利，日前臺(tái)灣地區(qū)已宣布放棄存儲(chǔ)器追趕策略，而轉(zhuǎn)向固守陣地。臺(tái)灣DRAM和三星投資比較，如下圖所示。

　　臺(tái)灣DRAM與三星在投資方面的比較 
 

　　原因初探

　　臺(tái)灣地區(qū)在存儲(chǔ)器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認(rèn)為臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體策略上的一次重大失誤。據(jù)筆者觀察有以下三個(gè)主要原因：

　　首先，臺(tái)灣地區(qū)在發(fā)展存儲(chǔ)器業(yè)中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。眾所周知，在DRAM產(chǎn)業(yè)中有兩個(gè)趨勢(shì)已成為共識(shí)，一個(gè)是制程轉(zhuǎn)變快，緊跟摩爾定律。由于存儲(chǔ)器的產(chǎn)品設(shè)計(jì)上相對(duì)簡(jiǎn)單，無(wú)多大差異。例如在12英寸晶圓中，同為512Mb DDR2產(chǎn)品，在相同工藝制程下，假設(shè)成品率均為85％時(shí)，90nm與70nm制程在每片晶圓上產(chǎn)出的芯片數(shù)量分別為750-1050個(gè)及1350-1420個(gè)，成本差距達(dá)40％以上。所以目前全球DRAM業(yè)紛紛從70nm制程加快轉(zhuǎn)進(jìn)6x-5xnm制程。另一個(gè)是月產(chǎn)能達(dá)15萬(wàn)片的超級(jí)大廠盛行，投資高達(dá)50-80億美元。主要原因是出于運(yùn)營(yíng)成本的考慮，運(yùn)行3個(gè)5萬(wàn)片晶圓廠的成本肯定高過(guò)一個(gè)15萬(wàn)片晶圓廠。按此理分析，代工廠的產(chǎn)能小時(shí)無(wú)法與IDM廠競(jìng)爭(zhēng)。當(dāng)產(chǎn)能足夠大時(shí)，一來(lái)代工廠擔(dān)心未來(lái)訂單不足而猶豫擴(kuò)充產(chǎn)能，同時(shí)那些IDM廠又擔(dān)心代工廠會(huì)與自己爭(zhēng)奪客戶。另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進(jìn)制程的產(chǎn)品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業(yè)中受到質(zhì)疑，中芯國(guó)際近期退出存儲(chǔ)器代工可能也是基于此理。

　　再有一個(gè)原因，臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器業(yè)中缺乏自己應(yīng)有的技術(shù)，過(guò)多的依賴于技術(shù)轉(zhuǎn)移。例如力晶與爾必達(dá)，茂德與海力士及華亞科與奇夢(mèng)達(dá)（現(xiàn)在的美光）。沒(méi)有自已應(yīng)有的技術(shù)，等于缺乏脊梁。這也是臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器追趕韓國(guó)失敗的主要原因。

　　最后一個(gè)原因是全球存儲(chǔ)器的市場(chǎng)未能達(dá)到預(yù)期。而目前幾乎2/3的新建或擴(kuò)充產(chǎn)能集中在存儲(chǔ)器業(yè)中。從市場(chǎng)分析，推動(dòng)全球存儲(chǔ)器業(yè)再次躍起有如下幾個(gè)潛在因素：Vista操作系統(tǒng)的普及、全球服務(wù)器和數(shù)據(jù)處理中心中存儲(chǔ)器的更替以及筆記本和移動(dòng)多媒體中SSD的推廣。因種種原因市場(chǎng)并未如預(yù)期那么大，而前幾年的投資開(kāi)始發(fā)酵，造成供過(guò)于求的局面。最終導(dǎo)致DRAM和NAND閃存價(jià)格的持續(xù)下跌完全超出市場(chǎng)預(yù)期。

　　臺(tái)灣地區(qū)存儲(chǔ)器業(yè)經(jīng)過(guò)近5年努力，花費(fèi)300億美元以上的投資，結(jié)果未能超過(guò)韓國(guó)。一方面表明韓國(guó)在存儲(chǔ)器方面的實(shí)力之強(qiáng)大；另一方面也證明“金錢(qián)不是萬(wàn)能的”，挑戰(zhàn)了半導(dǎo)體業(yè)的潛規(guī)則。

　　結(jié)語(yǔ)

　　任何策略不可能簡(jiǎn)單地復(fù)制，任何成功都是由多個(gè)因素共同促成的。臺(tái)灣地區(qū)在半導(dǎo)體業(yè)總體上是成功的，但是此次存儲(chǔ)器之夢(mèng)未能實(shí)現(xiàn)。