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          IR推出溝道型HEXFET功率MOSFET系列
          
						
          
				作者：
				時(shí)間：2008-11-04
				來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
				
				
				
				
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          　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布推出具有基準(zhǔn)低通態(tài)電阻 (RDS (on)) 的溝道型HEXFET功率MOSFET系列。這些采用TO-247封裝的MOSFET適用于同步整流、動(dòng)態(tài)ORing及包括高功率DC馬達(dá)、DC-AC轉(zhuǎn)換器及電動(dòng)工具等工業(yè)應(yīng)用。
          本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/89185.htm

          　　新MOSFET的通態(tài)電阻 (RDS (on)) 能效比同類(lèi)產(chǎn)品高出達(dá)50%，無(wú)需工業(yè)應(yīng)用中通常使用的大型及昂貴封裝，有助于節(jié)省總系統(tǒng)成本。此外，低RDS (on) 可降低導(dǎo)通損耗，并提升系統(tǒng)效率。
          

          　　IR亞洲區(qū)銷(xiāo)售副總裁潘大偉表示：“這個(gè)系列的卓越RDS (on) 額定值，可讓設(shè)計(jì)人員避免使用大電流工業(yè)應(yīng)用中，往往因散熱需要的大而昂貴的ISOTOP或小型BLOC封裝，使系統(tǒng)成本降低50%。”
          

          　　全新N溝道MOSFET系列可提供40V至200V電壓，也符合工業(yè)級(jí)及MSL1要求。新MOSFET均不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制 (RoHS) 指令。
          
				
            
                
			
							
          
                
			              
              
            
          
		
          
		
          
		
          
		
          
		
          
			
            
				
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