Ramtron在V系列品線中增添串行512-Kb F-RAM

　　全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05，提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM，采用8腳SOIC封裝，特點(diǎn)包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲、計(jì)算機(jī)及其它應(yīng)用領(lǐng)域的串行閃存和串行EEPROM存儲器的理想替代產(chǎn)品。除512Kb的FM25V05之外，Ramtron較早前也已宣布推出1 Mb的FM25V10產(chǎn)品。

　　Ramtron市場拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“FM25V05為客戶提供另一種密度選擇，加上Ramtron V系列F-RAM產(chǎn)品較低工作電壓和集成功能的特性。Ramtron已計(jì)劃在V系列中推出其它器件，為客戶系統(tǒng)提供廣泛的接口和密度選擇。”

　　關(guān)于FM25V05
　　與串行閃存或串行EEPROM不同，F(xiàn)M25V05以總線速度執(zhí)行寫操作，無寫入延遲，且數(shù)據(jù)能夠立即寫入存儲器陣列，并以最高每秒40Mb的速度連續(xù)寫入數(shù)據(jù)。與串行閃存和串行EEPROM比較，F(xiàn)M25V05的耐用性高出幾個(gè)數(shù)量級以上，且功率消耗更低。

　　FM25V05具有高性能F-RAM功能，適用于要求頻繁或快速數(shù)據(jù)寫入或低功耗操作的非易失性存儲器應(yīng)用，范圍從需要寫入次數(shù)極高的高頻數(shù)據(jù)采集應(yīng)用，到嚴(yán)苛的工業(yè)控制應(yīng)用。在這些應(yīng)用中，由于串行閃存或EEPROM器件的寫入時(shí)間長而出現(xiàn)潛在的數(shù)據(jù)丟失風(fēng)險(xiǎn)，因此并不適用。

　　FM25V05具有一個(gè)只讀器件ID，可以通過獨(dú)一無二的序列號和/或系統(tǒng)重置選項(xiàng)來命令它。器件ID提供有關(guān)制造商、產(chǎn)品密度和產(chǎn)品版本的信息。獨(dú)特的序列號使主機(jī)擁有一個(gè)ID，以區(qū)別于世界上任何其它主機(jī)。系統(tǒng)重置選項(xiàng)可省去對外部系統(tǒng)重置部件的需要。

　　FM25V05可在-40°C至+85°C的工業(yè)溫度范圍工作，以40MHz SPI時(shí)鐘速率運(yùn)行時(shí)耗電僅為3mA，待機(jī)模式耗電為90µA，睡眠模式耗電更低至5µA。FM25V05的有功功率為每MHz 38µA，其電流較同類串行閃存或EEPROM產(chǎn)品低一個(gè)數(shù)量級。

　　關(guān)于F-RAM V系列
　　Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品采用Ramtron和德州儀器共同開發(fā)的公認(rèn)的130nm CMOS生產(chǎn)工藝制造，包含各種并行、串行I2C和SPI存儲器。先進(jìn)的制造工藝能夠提高產(chǎn)品的技術(shù)規(guī)格及擴(kuò)展其功能集。Ramtron已計(jì)劃在2008年年底前推出其它V系列產(chǎn)品，具有I2C和并行接口。所有串行F-RAM V系列產(chǎn)品均具有可選器件特性，包括獨(dú)特的序列號和系統(tǒng)重置。

　　供貨
　　Ramtron現(xiàn)提供符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝FM25V05，查詢價(jià)格詳情，請與Ramtron聯(lián)系。

　　關(guān)于Ramtron International
 　　Ramtron International 總部設(shè)在美國科羅拉多州Colorado Springs市，是專門設(shè)計(jì)、開發(fā)和銷售專用的半導(dǎo)體存儲器和集成半導(dǎo)體解決方案的無晶圓廠半導(dǎo)體公司，產(chǎn)品廣泛用于各種應(yīng)用和全球市場。要了解更多信息，請?jiān)L問公司網(wǎng)站www.ramtron.com。