輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器(08-100)
—— 輸出峰值功率1kW的晶體管射頻放大器
TAN500的典型輸入/輸出特性曲線和集電極效率曲線如圖1和圖2所示。從圖中可見,在90MHz、1090MHz和1215MHz頻率下,輸入功率/輸出功率有不錯的線性關(guān)系,而且在額定峰值輸出功率500W下,集電極效率超過40%。對于Si雙極晶體管射頻末極功率放大器來說,TAN500的整體指標處在領(lǐng)先水平。目前TAN系列已有TAN300、TAN350和TA500等多種型號,分別是輸出功率300W、350W和500W的同族產(chǎn)品,而且1000W以上的型號將很快推出。實際上,Microsem公司在2005年生產(chǎn)的MDS系列Si雙極射頻功率晶體管中,MDS1100是用于航空電子設(shè)備末級功放的器件。它在+50V電源和1030MHz下可提供超過1000W的峰值功率輸出,在20℃環(huán)境溫度下最大功耗是8750W,最高工作溫度可達+200℃,最低集電極效率是45%。TAN系列晶體管的設(shè)計理念與MDS系列的完全相同,但是對設(shè)計參數(shù)進一步優(yōu)化,達到特性參數(shù)最佳的目的。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/91679.htm
圖1 TAN500 Si雙極晶體管的輸入/輸出特性
圖2 TAN500 Si雙極晶體管的效率特性
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