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          小小的電源開關(guān)可如何拯救世界(08-100)

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          作者:Alfred Hesener 飛兆半導(dǎo)體公司 時間:2009-02-26 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 雖然包含了兩個元件而非一個,卻沒有因此而更復(fù)雜。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/91747.htm

           

            圖3 右邊的符號圖簡單闡明了雙極型晶體管是如何被MOSFET所驅(qū)動,左圖給出了采用硅技術(shù)實現(xiàn)時該器件的垂直結(jié)構(gòu)

            由于MOSFET的開關(guān)頻率可以更高 (因此電感更小),故那些需要相對較低電流和快速開關(guān)工作或I-V線性特性的應(yīng)用產(chǎn)品通常都采用MOSFET來構(gòu)建,而那些功率較高的、并且需要更大增益和更大電流及中速開關(guān)工作的應(yīng)用一般采用IGBT來構(gòu)建。IGBT的擊穿電壓也更容易提高,對于功率較高的系統(tǒng),最常見的值為1200V、1700V和3500V,而這對MOSFET而言幾乎是不可能的,更遑論商業(yè)用了。

           



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