噪聲、TDMA噪聲及其抑制技術(shù)(07-100)

　　噪聲和TDMA噪聲

　　“噪聲”通常廣泛用于描述那些會(huì)使所需信號(hào)的純凈度產(chǎn)生失真的多余的電氣信號(hào)。一些類型的噪聲是無法避免的(例如被測(cè)信號(hào)幅值上的實(shí)際波動(dòng))，只能通過信號(hào)平均化和帶寬收縮技術(shù)來克服這類噪聲。另一種類型的噪聲(例如，射頻干擾和“接地回路”)能夠通過不同的技術(shù)來降低或者消除，包括濾波技術(shù)和仔細(xì)的接線設(shè)置以及器件位置擺放。最后，有一種噪聲，它起因于信號(hào)放大過程并能夠通過低噪聲放大器設(shè)計(jì)技術(shù)來削弱。盡管降低噪聲的技術(shù)是有效的，但總是希望從可免于噪聲干擾,并具有盡可能低的放大器噪聲的系統(tǒng)開始使用降噪技術(shù)。下面介紹的是影響電子電路的各種類型噪聲的簡單總結(jié)。

　　熱噪聲(或者Johnson噪聲或者白噪聲)與電阻中電子的熱擾動(dòng)而體現(xiàn)出的溫度直接相關(guān)。在揚(yáng)聲器或者麥克風(fēng)的例子中，噪聲源是空氣分子的熱運(yùn)動(dòng)。

　　散粒噪聲是由于從表面發(fā)射或者從結(jié)點(diǎn)擴(kuò)散的大量帶電載流子隨機(jī)的波動(dòng)而造成的。該噪聲總是與直流電流相關(guān)聯(lián)，而與溫度無關(guān)，它主要存在于雙極性晶體管中。

　　閃爍噪聲(或者是1/f噪聲或粉紅噪聲)主要是由于硅表面玷污和晶格缺陷相關(guān)的陷阱造成的。這些陷阱隨機(jī)地捕獲和釋放載流子，并具有與工藝相關(guān)的時(shí)間常數(shù), 產(chǎn)生了在能量聚集在低頻率處的噪聲信號(hào)。

　　炒爆噪聲(爆米花噪聲)的產(chǎn)生是因?yàn)橹亟饘匐x子玷污的存在，在一些集成電路和分離電阻中都會(huì)發(fā)現(xiàn)此類噪聲。在一些雙極性集成電路中，炒爆噪聲是由于發(fā)射區(qū)的太多摻雜而造成的。降低摻雜水平有可能完全消除炒爆噪聲。這是另一種類型的低頻噪聲。

　　雪崩噪聲是pn結(jié)中的齊納現(xiàn)象或者雪崩擊穿現(xiàn)象產(chǎn)生的一種噪聲類型。在雪崩擊穿發(fā)生時(shí)，反偏pn結(jié)耗盡層中的空穴和電子通過與硅原子的碰撞以獲得足夠的能量來產(chǎn)生空穴-電子對(duì)。

　　TDMA噪聲(“哼聲”)源于GSM蜂窩電話中產(chǎn)生的217Hz的頻率波形，當(dāng)它耦合至音頻路徑和傳到揚(yáng)聲器、聽筒或者麥克風(fēng)時(shí)會(huì)產(chǎn)生可聽見的噪聲。下文會(huì)給出關(guān)于此類噪聲的詳細(xì)描述。

　　本應(yīng)用指南將會(huì)明確說明客戶在GSM蜂窩電話設(shè)計(jì)過程中驅(qū)動(dòng)單通道揚(yáng)聲器時(shí)所遇到的TDMA噪聲難題。在深入研究如何將該噪聲最小化時(shí)，將會(huì)回顧一下橋接負(fù)載(BTL)單通道放大器工作的背景說明。在下面應(yīng)用圖示中，所有的電阻都具有相等的R值(圖1)。

　　圖1. 橋接負(fù)載的單通道放大器

　　在該結(jié)構(gòu)(圖1)中，一個(gè)輸入信號(hào)VIN加到放大器A1的反相輸入端并通過增益為0dB的放大。A1的輸出連接到揚(yáng)聲器的一側(cè)和放大器A2的反相輸入端，同樣經(jīng)過0dB增益放大。A2的輸出連接到揚(yáng)聲器的另一端。因?yàn)锳2的輸出同A1的輸出是180度反相的，A1和A2之間的最終差值VOUT，是單個(gè)放大器輸出幅值的兩倍。當(dāng)給定正弦輸入信號(hào), 比較單端放大器，該BTL結(jié)構(gòu)有效地加倍輸出電壓，使得在相同負(fù)載下輸出功率增加為原來的四倍(圖2)。

　　圖2 橋接負(fù)載的輸出電壓