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          業(yè)界第一個(gè)商用TMBS整流器與傳統(tǒng)整流器電子應(yīng)用的對比(08-100)

          —— 業(yè)界第一個(gè)商用TMBS整流器與傳統(tǒng)整流器電子應(yīng)用的對比
          作者:Max Chen、Henry Kuo、L. C. Kao 、PJ Kung Vishay臺(tái)灣有限公司通用半導(dǎo)體功率二極管部門研發(fā)部 時(shí)間:2009-03-05 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

           

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/92119.htm

            圖2 沿半導(dǎo)體漂移區(qū)的與平面肖特基器件電場曲線的比較。左側(cè)的X軸是硅表面,這里形成了肖特基勢壘

            Vishay發(fā)布的所有100 V、120 V、150 V和200 V 都采用了淺溝道(最深2.1 um)和薄氧化物厚度(最厚0.3 um),它可以大幅度縮短溝道蝕刻制造所需的處理周期時(shí)間,因此可以提高制造工藝的吞吐量。

            器件特征描述

            本部分將僅涉及100 V和200 V 的器件特征描述,但是其結(jié)論可適用于其他電壓的TMBS器件。

            40 A/100 V TMBS的特征

            與傳統(tǒng)60 A相比,40 A/100 V TMBS器件顯示出了改善的正向壓降性能,如圖3a和3b所示。



            圖3a和3b TMBS和傳統(tǒng)平面肖特基整流器的正向電壓比較

           



          關(guān)鍵詞: TMBS 整流器

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