SLIC充電泵(08-100)

　　其中，Vsat為Q1最低的期望發(fā)射極-集電極電壓，VBE2為Q2的基極-發(fā)射極電壓。

　　圖3顯示了3.3V輸入應(yīng)用之后的輸出電壓。由于-48V輸出跟蹤在大約兩倍調(diào)節(jié)電壓上，因此-24V輸出上升至穩(wěn)壓狀態(tài)。一旦處于穩(wěn)壓狀態(tài)時(shí)，-24V輸出就隨負(fù)載發(fā)生少許變化。

　　圖3 -24V和-48V電源的受控關(guān)斷

　　在所有負(fù)載狀態(tài)下，-48V輸出電壓變化低于±1.5%。較好的電壓交叉調(diào)節(jié)歸因于鉗位控制的充電泵工作特性。在-24V輸出端上引起誤差的最大原因是隨負(fù)載變化的二極管電壓降，以及Q2基極-發(fā)射極結(jié)的變化和控制器的內(nèi)部電壓基準(zhǔn)。-24V輸出情況下輸出紋波電壓為50mVp-p，-48V輸出時(shí)紋波電壓為200mVp-p。1W負(fù)載的效率在72%時(shí)達(dá)到峰值。引起損耗的關(guān)鍵原因是內(nèi)部MOSFET的傳導(dǎo)損耗和開(kāi)關(guān)損耗。

　　圖4顯示了原型電路。整個(gè)SLIC電路占用了不到一平方英寸的電路板面積。該控制器采用6引腳、2×2mmQFN封裝。該設(shè)計(jì)有賴(lài)于一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的單繞組電感而非較大的定制變壓器或雙繞組電感，以實(shí)現(xiàn)較小的電路板占用面積。

　　圖4 電路占用了不到一平方英寸的電路板面積

　　這種方法成本很低。該設(shè)計(jì)的最大輸出功率受內(nèi)部FET的電流極限限制。使用一個(gè)更高的輸入電壓和大電感值降低了FET峰值電流，從而提高了可以實(shí)現(xiàn)的最大輸出功率。然而，對(duì)于較低的輸入電壓而言，該電路是一款實(shí)用且經(jīng)濟(jì)的解決方案。