高幅度任意波形/函數(shù)發(fā)生器簡化汽車、半導(dǎo)體、科學(xué)和工業(yè)應(yīng)用中的測(cè)量
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圖6 測(cè)量電源MOSFET的開關(guān)時(shí)間。
與時(shí)間相關(guān)需要關(guān)注的參數(shù)是起動(dòng)時(shí)延和關(guān)閉時(shí)延及上升時(shí)間和下降時(shí)間。為測(cè)量這些參數(shù),應(yīng)使用來自信號(hào)發(fā)生器輸入的窄脈沖激勵(lì)MOSFET的門,然后使用示波器測(cè)量門電壓和漏電壓(參見圖4)。
通過使用集成高幅度輸出階段的任意波形/函數(shù)發(fā)生器,而不是外部放大器,用戶可以直接查看MOSFET輸入電路上的有效信號(hào)幅度,而不需使用示波器測(cè)量幅度。
現(xiàn)在,通過示波器屏幕顯示的曲線中的光標(biāo)測(cè)量,可以方便地確定起動(dòng)時(shí)延。起動(dòng)時(shí)延是從門源電壓達(dá)到最后值10%時(shí)到漏源電壓下降到初始值90%時(shí)所需的時(shí)間。類似的,關(guān)閉時(shí)延是從門源電壓下降到前一水平90%時(shí)到漏源電壓上升到供電電壓10%時(shí)所需的時(shí)間。為測(cè)量漏極信號(hào)的上升時(shí)間和下降時(shí)間,現(xiàn)代示波器提供了方便的自動(dòng)化測(cè)量功能。
圖7 IGBT電路符號(hào)和等效電路。
圖8 IGBT門驅(qū)動(dòng)電路和開關(guān)測(cè)試電路。
評(píng)論