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          ADC實現(xiàn)測量數(shù)字化的必經(jīng)之路

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          作者: 時間:2005-10-25 來源: 收藏
          高速和低分辨率經(jīng)歷二十年才實現(xiàn)取樣率從1GS/S到20GS/S的進步,但缺少通用芯片可供使用,最近幾年情況有很大改善。溫故而知新,通過下文的回顧,可以預期高速和較高分辨率的將有更多突破,出現(xiàn)更多的應(yīng)用。
          專用遙遙領(lǐng)先
          推動ADC取得優(yōu)異成果的主要力量來自電子測量儀器業(yè)界,為了保持與時俱進的高速信號的測試和分析,自從1960年代開始,安捷倫科技和泰克兩家公司,一直不懈努力研發(fā)電子示波器、頻譜分析儀、邏輯分析儀、任意波形發(fā)生器所需的專用集成電路,以期達到測量儀器領(lǐng)先于尖端信號測試的需求。安捷倫和泰克都擁有自己專用集成電路設(shè)計和制造部門,目的是保持測量儀器的超性能,在各種儀器專用器件中對ADC投入的力量最強,因為“模擬輸入、數(shù)字處理”是現(xiàn)代測量儀器的結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),而溝通模擬和數(shù)字的橋梁則非ADC莫屬。對此安捷倫和泰克兩公司為測量業(yè)界創(chuàng)造了奇跡,從新千禧年的2000年開始至2005年中期,依靠ADC性能的不斷提升,從取樣率2GS/S和分辨率8位起步,躍進到現(xiàn)在的取樣率20GS/S和分辯率8位的最高水平,使數(shù)字示波器順利地越過實時帶寬1GHz的難關(guān)走向16GHz,同時對實現(xiàn)頻譜分析儀推進到6GHz,以及測試有關(guān)2G、2.5G和3G移動通信指標的無線測量系統(tǒng),高清晰度數(shù)字電視測量系統(tǒng)。
          我們先回顧泰克研發(fā)GS/S級ADC的專用集成電路的歷程,泰克原來是一個全能的示波器供應(yīng)商,后來精簡機構(gòu)把半導體部門剝離,但留下一百多名工程師的集成電路開發(fā)和支持隊伍,在高速器件方面與IBM微電子部密切合作。兩公司取得成功的關(guān)鍵是采用SiGe材料制作高速ADC等數(shù)字示波器前端集成電路,當時其它競爭對手仍然著意開發(fā)Si的CMOS集成電路。IBM掌握SiGe的BiCMOS工藝,既可制成雙極模擬電路,亦可生產(chǎn)高速數(shù)字電路和混合電路,比Si工藝更適合高性能測量儀器的要求。在1990年后期開始取得突破,SiGe的BiCMOS集成電路的晶體管振蕩速度達到60GHz,當時Si的雙極晶體管振速度只有25GHz。現(xiàn)在SiGe工藝又有改進,晶體管振蕩速度超過120GHz,單個樣管更高至200GHz,SiGe的BiCMOS的發(fā)展趨勢如圖1所示。
          根據(jù)泰克的生產(chǎn)經(jīng)驗,10GHz測量系統(tǒng)的速度與單元晶體管速度之比約為10:1。預計Si的雙極和CMOS工藝已無希望,而轉(zhuǎn)為SiGe工藝尚待實踐,放棄熟悉的SiCMOS工藝,再投入可觀的研發(fā)經(jīng)費,需要科學的論證。終于,泰克方面邁開重要的一步,放棄Si材料而使用SiGe,IC設(shè)計人員從頭學起,IBM方面對數(shù)字電路熟悉但缺乏雙極電路經(jīng)驗,而且泰克是第一家SiGe用戶,合作只許成功不能失敗。IBM發(fā)揮SiGe優(yōu)勢,改進工藝至綜合雙極和CMOS兼容,泰克發(fā)揮儀器電路的經(jīng)驗,改進設(shè)計。雙方合作從1996年開始,1997年進入攻堅階段,2000年在IBM代號為“5HP”的制程基礎(chǔ)上獲得一批數(shù)字示波器前端高速IC,包括ADC為核心的輸入寬帶放大器、取樣保持電路、精確時鐘電路、波形處理用的DSP、高速存儲器、開關(guān)陣列等關(guān)鍵器件。泰克公司在這些SiGe集成電路基礎(chǔ)上推出著名的TDS7000系列數(shù)字熒光示波器,早期產(chǎn)品的ADC取樣率是1GS/S和分辨率8位,兩塊1GS/S利用時鐘移相T/2的插值法擴展成為取樣率2GS/S。
          引用SiGe芯片,泰克“五年不鳴,一鳴警人”,一直保持數(shù)字示波器的領(lǐng)先地位,并且占有高檔數(shù)字示波器市場的50%以上的份額。IBM由于合作成功,繼續(xù)推廣SiGe工藝至其它RF器件并向第三方轉(zhuǎn)讓技術(shù)專利,使SiGe工藝更為成熟,運用它的第三代技術(shù)的“7HP”制程,為泰克制成取樣率8GS/S、10GS/S和20GS/S的分辨率8位ADC,以及10GHz以上寬帶探頭用放大器芯片?,F(xiàn)在測量儀器業(yè)界公認SiGe制程是解決高速數(shù)字儀器前端ADC的優(yōu)選工藝,將會出現(xiàn)取樣率更高的ADC芯片。
          安捷倫作為測量儀器業(yè)巨頭,擁有自己的研發(fā)實驗室和獨立的半導體制造部門,比泰克條件更優(yōu)越,但是產(chǎn)品也多種多樣,1998年脫離惠普公司獨立經(jīng)營不久,儀器市場大起大落,高速數(shù)字示波器進展緩慢,當泰克宣布推出TDS7000系列高檔數(shù)字示波器和SiGe高速ADC之后,安捷倫加緊開發(fā)具有自身特點的相應(yīng)產(chǎn)品。它的數(shù)字示波器前端模/數(shù)電路,由安捷倫實驗室設(shè)計和直屬半導體廠制造,綜合最擅長的微波技術(shù)和高頻半導體技術(shù),分別發(fā)揮GaAs、SiGe、Si材料和CMOS、BiCMOS工藝的作用,制成混合集成電路模塊,密封在金屬法拉弟噪聲屏敝封裝內(nèi)。模塊內(nèi)安排有SiGe工藝的前端放大器,GaAs雙極觸發(fā)電路,GaAs步進衰減器和限幅器,模塊核心電路由20個250MG/S的8位分辨率ADC塊組成5GS/S的ADC。由于250MG/S的ADC塊很容易用CMOS工藝實現(xiàn),可以達到較高精度和較低噪聲,ADC前端的緩沖級采用SiGe工藝,并裝有2


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