三星改進DRAM芯片明年應用于生產

　　全球最大的內存芯片生產商三星電子宣布，已經成功采用70納米生產工藝制造出第一塊DRAM芯片。一旦這種生產工藝廣泛應用于該公司的生產線，從同一硅片上生產的芯片數量將會翻倍。 

　　芯片上的晶體管越多，它們之間的距離就越近，芯片性能也將得到提升。對于三星、美光和英飛凌等廠商，開發(fā)新技術對于削減成本以及增加銷量是至關重要的。 

　　DRAM芯片在線票據交換所宣稱，應用最廣泛的DRAM芯片的價格今年下跌了1/3，目前每塊的價格僅為2.53美元。由于生產商大量的需求，現貨市場上的DRAM如同原油和小麥一樣火爆。 

　　三星同時預計，與目前DRAM產品生產線采用的90納米生產工藝相比，采用新的生產技術之后，從相同一塊硅片上生產的芯片數量起碼要增加1倍。用于生產芯片的硅片大小與盤子相當，每塊硅片可以生產出數千塊芯片。 

　　三星發(fā)言人表示，“我們定于明年下半年將70納米生產工藝廣泛應用到DRAM芯片生產中。”目前，該公司已經將這種工藝用于NAND閃存芯片的生產，但DRAM芯片仍主要采用80和90納米生產工藝。該公司同時發(fā)表聲明稱，為了突破70納米生產技術的局限性并改進數據刷新功能，公司仍有必要進行技術革新。 

　　三星是在去年中期開始采用90納米生產工藝進行DRAM芯片生產的，并從今年下半年開始采用80納米生產工藝。三星表示，從明年中期開始，將采用70納米生產工藝，生產容量為512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。