DRAM廠50nm制程的轉(zhuǎn)進(jìn)與資本投資

　　DRAM價格持續(xù)低于現(xiàn)金成本;2009年資本支出大減56%

　　隨著全球DRAM產(chǎn)業(yè)面臨了超過二年的不景氣，加上去年下半年金融風(fēng)暴襲卷造成消費需求急凍之下，2008年DRAM顆粒價格下跌逾85%，2009第一季DDR2 667Mhz 1Gb價格回到了0.88美元均價，但仍在材料成本與現(xiàn)金成本之間，在DRAM廠本身面臨到極大的現(xiàn)金流出壓力下，不僅要大幅減產(chǎn)因應(yīng)，對新制程轉(zhuǎn)進(jìn)，也在大減資本支出下延后時程。根據(jù)集邦科技調(diào)查統(tǒng)計，全球2009年的DRAM資本支出已經(jīng)下修至54億美元，比起2008年時122億美元，大幅減少56%。

　　全球DRAM廠50nm制程的進(jìn)程規(guī)劃皆往后延遲一季至二季

　　以目前各家DRAM廠50nm制程的進(jìn)程規(guī)劃(Roadmap)，50nm制程導(dǎo)入量產(chǎn)的時間皆有往后延遲一季至二季不等的趨勢。集邦科技預(yù)估DDR3在年底將占標(biāo)準(zhǔn)型DRAM約30%，在DDR2及DDR3新制程轉(zhuǎn)進(jìn)方面，各家DRAM廠在產(chǎn)品種類乃至于容量大小都有不同的策略：如韓系廠，DDR3轉(zhuǎn)進(jìn)50nm制程就比DDR2早，而DDR3/2Gb也比1Gb早量產(chǎn)。而在美日DRAM廠方面，根據(jù)規(guī)劃進(jìn)程表中DDR3導(dǎo)入50nm制程落在今年第三季與第四季間，較韓系廠商晚，但同樣規(guī)劃優(yōu)先量產(chǎn)DDR3 2Gb。因此DDR3時代來臨，顆粒容量主流亦將轉(zhuǎn)向2Gb，有助廠商成本降低及刺激市場需求轉(zhuǎn)進(jìn)更高容量。臺系廠商在現(xiàn)金壓力下，50nm制程轉(zhuǎn)進(jìn)落后于國際大廠。今年主要以“試產(chǎn)”為主。

　　50nm制程顆粒數(shù)增加約40%-50%，成本大幅降低

　　半導(dǎo)體界著名的摩爾定律：「芯片晶體管數(shù)量，每隔12月就會倍增?！乖诮曛瞥涛⒖s難度大增后，此定律改為24個月。在轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，線徑縮小，使同一片晶圓顆粒產(chǎn)出數(shù)增加同時亦大幅降低廠商生產(chǎn)成本，提升成本競爭力。在DRAM方面，從70nm世代制程轉(zhuǎn)進(jìn)60nm世代制程時，平均產(chǎn)出量增加30%左右，若同世代制程設(shè)計改善再微縮(Die Shrink)，可再增加約20%的產(chǎn)出量，而在50nm世代制程上更可以比60nm世代制程多出將近40%-50%的產(chǎn)出量，達(dá)到單片12吋晶圓上可以產(chǎn)出近1500-1700顆DRAM顆粒，成本上更可以下降30%以上。

　　浸潤式微影設(shè)備為50nm 轉(zhuǎn)進(jìn)主要資本投資

　　轉(zhuǎn)進(jìn)50nm最大挑戰(zhàn)在微影技術(shù)，微影設(shè)備必須采用新型的浸潤式設(shè)備。原本193波長曝光設(shè)備在65nm以下因波長限制將不再適用。過去干式曝光顯影是以空氣為媒介進(jìn)行，透過光罩在晶圓上顯影;而浸潤式微影(immersion lithography)則是以水為透鏡，在晶圓與光源間注入純水，波長光束透過「水」為中介，會縮短成更短波長，得以投射更精密的芯片設(shè)計于晶圓上。就是這項發(fā)明，制程在65奈米后得以延續(xù)至45奈米。

　　目前全球浸潤式機臺的主要供貨商為ASML、Nikon、及Canon。其中又以ASML為市場當(dāng)中最大的供貨商，目前ASML主推的機臺為XT1900Gi，制程已經(jīng)可以微縮至40nm以下，在DRAM業(yè)界中算是接受程度最高的機種，而Nikon的主力機種方面，則是主推2007年推出的NSR-S610C，制程可微縮至45nm制程，Canon則是在2008年中推出FPA-7000AS7，同樣可以支持45nm以下的制程。

　　以目前DRAM制程來看，若以一般月廠能七萬片，要跨入浸潤式技術(shù)，此一生產(chǎn)線升級至浸潤式技術(shù)光機臺就需耗費至少二億一千萬美金。加上新制程轉(zhuǎn)進(jìn)所需其它資本支出，估計每一萬片產(chǎn)能需要一億美金的總資本支出。