IR推出新型邏輯電平溝道MOSFET

　　全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新系列邏輯電平柵極驅(qū)動溝道HEXFET功率MOSFET。該器件具有基準(zhǔn)通態(tài)電阻 (RDS(on)) 和高封裝電流額定值，適用于高功率DC電機(jī)和電動工具、工業(yè)電池及電源應(yīng)用。

　　新系列基準(zhǔn)MOSFET采用了IR最新的溝道技術(shù)，可在4.5V Vgs下實現(xiàn)非常低的RDS(on) ，顯著改善了熱效率。此外，這些器件具有更高的電流額定值，多余瞬變可以帶來更多防護(hù)頻帶，并可減少由多個MOSFET共享高電流的并行拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的元件數(shù)目。與典型封裝額定值相比，由于封裝電流額定值高達(dá)195A，TO-220、D2PAK和TO-262封裝的改善超過了60%;與標(biāo)準(zhǔn)D2PAK封裝相比，7引腳D2PAK進(jìn)一步降低了多達(dá)16%的RDS(on) ，功能更為完善。

　　IR亞洲區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“新推出的邏輯電平柵極驅(qū)動溝道MOSFET具有基準(zhǔn)RDS(on) ，能夠由微控制器或弱電池驅(qū)動，提升其在輕負(fù)載條件下的效率。這些新元件非常適合高電流DC-DC轉(zhuǎn)換和DC電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。”

　　新型邏輯電平溝道MOSFET系列的電壓范圍為40V至100V。該系列已獲得工業(yè)級和MSL1潮濕敏感度認(rèn)證，更具備所有標(biāo)準(zhǔn)功率封裝，包括TO-220、D2PAK、TO-262 以及7引腳D2PAK。新元件不含鉛并符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)管制規(guī)定 (RoHS) 。