IR推出新型DirectFET MOSFET
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國際整流器公司近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET－IRF6648。該器件的最大導(dǎo)通電阻為7.0 mΩ(VGS=10V)，導(dǎo)電損耗可比同類解決方案減少30%。
單個采用SO-8封裝的IRF6648，性能可與兩個并聯(lián)的同類增強型SO-8器件相媲美。IRF6648最適用于電信及網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。
如果將IRF6648用于48V輸入、12V輸出的240W隔離式轉(zhuǎn)換器的次級，功率密度可由每平方英寸72W增加15%。這完全歸功于IR DirectFET MOSFET 封裝技術(shù)具有的良好散熱設(shè)計和雙面冷卻能力。
IR中國及香港銷售總監(jiān)嚴國富指出：“我們擴展了中壓DirectFET MOSFET產(chǎn)品系列，這使得電源設(shè)計人員可以有更多的器件選擇去改善隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級和次級插槽的性能?！?
“IRF6648是一種多功能器件，可用于36V到75V輸入的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的次級同步整流插槽、初級半橋及全橋隔離式DC-DC總線轉(zhuǎn)換器、24V輸入初級正向有源箝位電路和48V輸出AC-DC有源ORing系統(tǒng)?！?
IR的DirectFET MOSFET封裝已獲得專利，它集中了標(biāo)準塑料分立封裝所不具備的一系列設(shè)計優(yōu)點。其中的金屬罐構(gòu)造能發(fā)揮雙面冷卻功能，使用以驅(qū)動先進微處理器的高頻DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器的電流處理能力增加了一倍。另外，DirectFET封裝的器件均符合“電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令”（RoHS）的要求。
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