我國(guó)半導(dǎo)體照明風(fēng)險(xiǎn)與機(jī)遇中前進(jìn)

　　雖然國(guó)家半導(dǎo)體照明工程總體進(jìn)展順利，但是我們應(yīng)該清楚地看到，與國(guó)際相比，我國(guó)在半導(dǎo)體照明技術(shù)與產(chǎn)業(yè)方面尚存在一定差距，還面臨著許多急需解決的問(wèn)題。

　　首先，產(chǎn)業(yè)化的核心技術(shù)與專(zhuān)利缺乏，研發(fā)投入不足，研究力量分散，缺少產(chǎn)業(yè)化的國(guó)家公共研發(fā)平臺(tái)。

　　我國(guó)外延材料的核心技術(shù)研究仍處于弱勢(shì)，生產(chǎn)外延材料的MOCVD(化學(xué)氣相沉積設(shè)備)核心裝備也高度依賴進(jìn)口，無(wú)法支撐外延核心技術(shù)、工藝和方法的持續(xù)創(chuàng)新，并且制造成本高。半導(dǎo)體照明外延材料的研發(fā)，不僅在設(shè)備與原料上投入很高，而且還是一項(xiàng)"人與機(jī)器結(jié)合"不斷摸索的艱苦工作。與國(guó)外相比，我國(guó)研究投入明顯不足，研究力量又分散，研究工作也缺乏連續(xù)性，再加上設(shè)備、技術(shù)、信息不能有效共享等問(wèn)題，造成核心關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)沒(méi)有形成合力，缺少能夠有效地對(duì)單項(xiàng)技術(shù)集成和促進(jìn)工藝上、工程上成熟的產(chǎn)業(yè)化支撐平臺(tái)，無(wú)法形成自主創(chuàng)新資源的合理配置和集中投入。

　　其次，產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展不均衡，企業(yè)規(guī)模偏小、創(chuàng)新能力弱，高端市場(chǎng)被國(guó)際公司占據(jù)。

　　我國(guó)LED產(chǎn)業(yè)雖然先后實(shí)現(xiàn)了自主生產(chǎn)器件、芯片和外延片，但自產(chǎn)的LED外延、芯片仍以中、低檔為主，產(chǎn)業(yè)化規(guī)模偏小，80%以上的高亮功率型LED芯片、器件還是依賴進(jìn)口。由于技術(shù)進(jìn)步速度加快，大規(guī)模應(yīng)用市場(chǎng)正在形成，所以急需上、中游規(guī)模化生產(chǎn)能力的擴(kuò)大和產(chǎn)品性能的提高。目前雖然民間資本介入較快，但與國(guó)外相比企業(yè)規(guī)模較小，形不成競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和品牌，并且技術(shù)創(chuàng)新能力與承擔(dān)風(fēng)險(xiǎn)能力都遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠，因此高端外延、芯片市場(chǎng)仍然被國(guó)際幾大巨頭壟斷。

　　再次，標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)體系不完善，缺乏權(quán)威檢測(cè)平臺(tái)。

　　由于半導(dǎo)體照明技術(shù)進(jìn)步快，涉及行業(yè)多，處在多學(xué)科交叉的產(chǎn)業(yè)邊緣地帶，以及在檢測(cè)設(shè)備、檢測(cè)方法的研發(fā)等方面沒(méi)有足夠的投入，導(dǎo)致半導(dǎo)體照明的標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)體系尚未形成，也沒(méi)有針對(duì)半導(dǎo)體照明產(chǎn)品的權(quán)威檢測(cè)平臺(tái)。由于LED產(chǎn)品的技術(shù)差異性極大，又沒(méi)有專(zhuān)業(yè)權(quán)威、統(tǒng)一的測(cè)試機(jī)構(gòu)與認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)，加之地方政府示范心切，且又急于發(fā)展地方的企業(yè)，導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量良莠不齊，嚴(yán)重影響消費(fèi)者的信心。

　　最后，缺乏針對(duì)光電產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策。

　　美國(guó)、日本、歐盟等采取了一系列措施來(lái)促進(jìn)半導(dǎo)體照明的應(yīng)用和推廣。與國(guó)外相比，我國(guó)尚沒(méi)有相關(guān)的產(chǎn)業(yè)促進(jìn)政策出臺(tái)或沒(méi)有實(shí)施細(xì)則，缺乏支持產(chǎn)業(yè)發(fā)展的相應(yīng)措施。特別是核心裝備和關(guān)鍵原材料高度依賴進(jìn)口，過(guò)高的進(jìn)口關(guān)稅及增值稅，嚴(yán)重影響了國(guó)內(nèi)上游外延芯片企業(yè)制造成本的降低和規(guī)模的擴(kuò)大。